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威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器

　　威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術(shù)時(shí)代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。　　USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)5Gbps，是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外，該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機(jī)控制器之間的互動(dòng)功能，包括能耗管理上的重要改進(jìn)。　　VIA VL810由威盛集團(tuán)全資子公司VIA Labs研發(fā)，它實(shí)現(xiàn)在一個(gè)USB接口上連接多個(gè)設(shè)備從而擴(kuò)展了計(jì)算機(jī)的USB性能。一個(gè)輸出接口及四個(gè)輸入接口不僅支持高
關(guān)鍵字：威盛 USB3.0 CMOS

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言

對(duì)于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過(guò)不同的配置選擇，嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口，雙端口
關(guān)鍵字： RAM 重構(gòu) 模塊設(shè)計(jì) 方法 FPGA 平臺(tái) 0.13 微米 CMOS 工藝

ADI 公司完成制造工廠戰(zhàn)略性升級(jí)改造計(jì)劃

　　ADI最近成功完成了對(duì)專(zhuān)有模擬、混合信號(hào)和 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造工藝技術(shù)的升級(jí)和改進(jìn)，目的是降低成本，提高晶圓制造效率。美國(guó)馬薩諸塞州威明頓工廠的改造已于11月1日完成，而在今年早期，位于愛(ài)爾蘭利默瑞克的工廠也完成了改造計(jì)劃，這是 ADI 公司之前宣布的一項(xiàng)確?？蛻粝碛懈咝詢r(jià)比和靈活的全球制造基礎(chǔ)設(shè)施的長(zhǎng)期規(guī)劃的一部分。　　威明頓工廠主要制造射頻、線性和其它模擬產(chǎn)品，并已計(jì)劃生產(chǎn) ADI 的 MEMS 產(chǎn)品。利默瑞克工廠則全部轉(zhuǎn)換成 ADI 公司的高產(chǎn)能8英寸晶圓代工廠。產(chǎn)能的擴(kuò)張和業(yè)務(wù)效率
關(guān)鍵字： ADI MEMS

研究人員開(kāi)發(fā)基于MEMS設(shè)備用于供電無(wú)線感應(yīng)器節(jié)點(diǎn)

　　Holst Centre，一家專(zhuān)注為無(wú)線自治傳感器方案開(kāi)發(fā)共用性技術(shù)的研發(fā)機(jī)構(gòu)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)一套新能量收集應(yīng)用，可生成高達(dá) 85 微瓦的功率。這種壓電式能量收集采用微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) - 可結(jié)合機(jī)械件、感應(yīng)器、螺線管和電子器件的小硅芯片。　　MEMS 在過(guò)去幾十年被用于各類(lèi)物品，從噴墨式打印機(jī)到汽車(chē)安全氣囊的加速度計(jì)。包裝收集器將振動(dòng)轉(zhuǎn)化成能量，再收集和存儲(chǔ)能量，用于供電無(wú)線感應(yīng)器節(jié)點(diǎn)。Holst Centre工微動(dòng)力生成和存儲(chǔ)項(xiàng)目的研究人員開(kāi)發(fā)壓電收集方案，對(duì)溫度感應(yīng)器電，使之可以全自治方式無(wú)
關(guān)鍵字：感應(yīng)器 MEMS 電子器件

一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護(hù)電路

0 引言
隨著集成電路技術(shù)的廣泛應(yīng)用及集成度的不斷增加，超大規(guī)模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內(nèi)部的溫度不斷提高，溫度保護(hù)電路已經(jīng)成為了眾多芯片設(shè)計(jì)中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工藝下，
關(guān)鍵字：電路保護(hù) 溫度 CMOS 功能

IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

　　IBM研究人員開(kāi)發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。　　在IEDM會(huì)議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱(chēng)該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(zhǎng)，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場(chǎng)效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。　　該ETSOI技術(shù)包含了幾項(xiàng)工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無(wú)需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。　　該技術(shù)部分依賴(lài)于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
關(guān)鍵字： IBM CMOS 22nm SOC

兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設(shè)計(jì)與研究

鎖相環(huán)在通訊技術(shù)中具有重要的地位，在調(diào)制、解調(diào)、時(shí)鐘恢復(fù)、頻率合成中都扮演著不可替代的角色?？煽卣袷幤魇擎i相環(huán)的核心部分。最近，鑒于對(duì)集成電路低功耗和高集成度的追求，越來(lái)越多的研究人員投人到基于CMOS工
關(guān)鍵字： CMOS 高頻壓控振蕩器

中國(guó)發(fā)布首款“動(dòng)芯”打破國(guó)外壟斷

　　玩動(dòng)感游戲時(shí)，Wii總是能精準(zhǔn)地偵測(cè)到玩家各種動(dòng)作;無(wú)論如何顛倒手中iPhone，手機(jī)屏幕都會(huì)隨之正確顯示……實(shí)現(xiàn)Wii和iPhone“運(yùn)動(dòng)傳感”的關(guān)鍵器件就是陀螺儀。日前，國(guó)內(nèi)首家研發(fā)商用陀螺儀系列慣性傳感器的MEMS芯片設(shè)計(jì)公司深迪半導(dǎo)體，發(fā)布了第一款陀螺儀產(chǎn)品SSZ030CG，這標(biāo)志著第一款具有中國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的商用MEMS陀螺儀誕生，同時(shí)也將打破國(guó)內(nèi)眾多消費(fèi)電子廠商一直以來(lái)100%依賴(lài)進(jìn)口陀螺儀芯片的局面。　　陀螺儀是一種用來(lái)感測(cè)和維持方
關(guān)鍵字：深迪半導(dǎo)體 MEMS 陀螺儀 SSZ030CG

10~37 GHz CMOS四分頻器的設(shè)計(jì)

1 引言
隨著通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，人們對(duì)通信系統(tǒng)中單元電路的研究也越來(lái)越多。而分頻器廣泛應(yīng)用于光纖通信和射頻通信系統(tǒng)中，因此，高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實(shí)現(xiàn)方式可分為模擬和數(shù)字兩種。模
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 四分 CMOS GHz 光纖通信系統(tǒng) CMOS工藝動(dòng)態(tài)負(fù)載鎖存器分頻器

2013年MEMS麥克風(fēng)出貨量將上升到10億個(gè)

　　由于受到手機(jī)和其他應(yīng)用的青睞，2008-2013年微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)麥克風(fēng)的全球出貨量有望增長(zhǎng)兩倍以上。　　預(yù)計(jì)2013年全球MEMS麥克風(fēng)出貨量將達(dá)到11億個(gè)，遠(yuǎn)高于2008年時(shí)的3.285億個(gè)。雖然這種增長(zhǎng)前景非常強(qiáng)勁，但預(yù)計(jì)2009年出貨量增長(zhǎng)減速且全球營(yíng)業(yè)收入下降，這將是該市場(chǎng)歷史上的首次收縮。　　MEMS麥克風(fēng)是通過(guò)微機(jī)電技術(shù)在半導(dǎo)體上蝕刻壓力感測(cè)膜片而制成的微型麥克風(fēng)，普遍應(yīng)用在手機(jī)、耳機(jī)、筆記本電腦、攝像機(jī)和汽車(chē)。　　“在MEMS市場(chǎng)中，MEMS麥克風(fēng)確實(shí)是最
關(guān)鍵字：樓氏電子 MEMS 麥克風(fēng) 200912

東芝20nm級(jí)體硅CMOS工藝獲突破

　　東芝公司今天在美國(guó)馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議上宣布，其20nm級(jí)CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破，開(kāi)啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門(mén)，成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級(jí)CMOS工藝。東芝表示，他們通過(guò)對(duì)晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善，實(shí)現(xiàn)了這次突破。　　在傳統(tǒng)工藝中，由于電子活動(dòng)性降低，通常認(rèn)為體硅(Bulk)CMOS在20nm級(jí)制程下已經(jīng)很難實(shí)現(xiàn)。但東芝在溝道構(gòu)造中使用了三層材料，解決了這一問(wèn)題，成功實(shí)現(xiàn)了20nm級(jí)的體硅CMOS。這三層材料
關(guān)鍵字：東芝 CMOS 20nm

高性能片內(nèi)集成CMOS線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

0 引言
電源管理技術(shù)近幾年已大量應(yīng)用于便攜式和手提電源中。電源管理系統(tǒng)包括線性穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和控制邏輯等子系統(tǒng)。本文主要針對(duì)低壓差線性穩(wěn)壓器進(jìn)行研究。低壓差線性穩(wěn)壓器是電源管理系統(tǒng)中的一個(gè)基
關(guān)鍵字：穩(wěn)壓器設(shè)計(jì) 線性 CMOS 集成高性能

深迪半導(dǎo)體發(fā)布‘中國(guó)第一動(dòng)芯’

　　深迪半導(dǎo)體日前發(fā)布了旗下第一款陀螺儀產(chǎn)品 -- SSZ030CG，這標(biāo)志著第一款具有中國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的商用 MEMS 陀螺儀誕生。　　MEMS 陀螺儀是半導(dǎo)體行業(yè)的基礎(chǔ)元件，需要專(zhuān)用的 MEMS 加工技術(shù)，具有高技術(shù)性。雖然歐美日都有一批相關(guān)的企業(yè)和科研單位在這領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展,但中國(guó)這方面起步晚、發(fā)展慢，尚未有一家公司可提供量產(chǎn)加工服務(wù)。深迪半導(dǎo)體此次推出的 SSZ030CG 陀螺儀具有極高的性價(jià)比，不僅意味著國(guó)內(nèi)眾多消費(fèi)電子廠商一直以來(lái)100%依賴(lài)進(jìn)口陀螺儀芯片的局面即將被打破，也標(biāo)志著具有
關(guān)鍵字：深迪陀螺儀 MEMS

0．6μm CMOS工藝全差分運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字：運(yùn)算放大器偏置電路 CMOS

中國(guó)首顆傳感器芯片推出可感知外界運(yùn)動(dòng)

　　國(guó)內(nèi)首款內(nèi)置傳感器芯片(即MEMS微機(jī)電芯片)在上海推出。芯片的設(shè)計(jì)方深迪半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼CEO鄒波稱(chēng)，希望明年融資進(jìn)行量產(chǎn)，2012年登陸國(guó)內(nèi)創(chuàng)業(yè)板。　　與普通芯片相比，除了計(jì)算功能外，它還具有感知功能。通過(guò)內(nèi)置的陀螺儀傳感器，可以感知外界運(yùn)動(dòng)，并做出相應(yīng)反應(yīng)。　　“比如你把手機(jī)屏幕翻向下，手機(jī)自動(dòng)變成靜音，或者將手機(jī)轉(zhuǎn)三圈，自動(dòng)鎖住，”鄒波稱(chēng)。當(dāng)然這些具體應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)，還要在軟件解決方案的基礎(chǔ)上。不管是任天堂的Wii還是蘋(píng)果iPhone都已經(jīng)用到了這種核心技術(shù)。　　
關(guān)鍵字：傳感器 MEMS