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先進封裝技術:可穿戴電子設備成功的關鍵
- 最近以來智能手表、體征監(jiān)測等穿戴式電子設備受到業(yè)界的極大關注,但市場一直處于“雷聲大,雨點小”的狀態(tài)。究其原因,有以下幾個因素制約了穿戴式電子設備實現(xiàn)突破:小型化低功耗技術還滿足不了需求、“殺手級”應用服務缺失、外觀工藝粗糙、用戶使用習慣仍需培養(yǎng)?! 募夹g層面上看,先進封裝將是穿戴式電子取得成功的關鍵技術之一,特別是系統(tǒng)級封裝(SiP)以及3D封裝等。據(jù)深圳市半導體行業(yè)協(xié)會秘書長蔡錦江介紹,2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內(nèi)鏡就采用SiP技術將光學鏡頭、應用處理器、
- 關鍵字: 穿戴式 SiP 3D CMOS
FinFET并非半導體演進最佳選項

- 在歷史上,半導體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降,這將會是半導體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴重挑戰(zhàn)。 具體來說,新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate,HKMG) CMOS制程,與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體,不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節(jié)點,難以維持高參數(shù)良率(parametric yields)以及低
- 關鍵字: FinFET 半導體
FinFET并非半導體演進最佳選項

- 在歷史上,半導體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降,這將會是半導體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴重挑戰(zhàn)。 具體來說,新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate,HKMG) CMOS制程,與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體,不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節(jié)點,難以維持高參數(shù)良率(parametric yields)以
- 關鍵字: FinFET 半導體
一種數(shù)字化的雙向微型無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)設計

- 本文提出了一種全新的數(shù)字化的雙向微型無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng), 該系統(tǒng)具有可實時觀察病人消化道圖像、全消化道檢查、提供三維深度圖像數(shù)據(jù)等功能。 對消化道疾病的檢查, 目前最常用和最直接有效的方法就是內(nèi)窺鏡檢查, 它在消化道疾病的診斷中起著極為重要的作用。但現(xiàn)有的常用內(nèi)窺鏡系統(tǒng)都不得不帶有引導插管, 給系統(tǒng)操作帶來不便, 同時給檢查病人也帶來很大的痛苦, 而且檢查的部位受到限制, 無法實現(xiàn)對小腸部分的檢查。隨著微電子技術的發(fā)展, 以色列人開發(fā)出了無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)[1],其發(fā)展還在起步階段, 存在一些局限性, 比如圖像
- 關鍵字: 無線 CMOS
安森美半導體推出高能效電池監(jiān)測器

- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON?Semiconductor,)推出新系列的互補金屬氧化物半導體(CMOS)?“電池電量監(jiān)測器”集成電路(IC),為智能手機、平板電腦及數(shù)碼相機等多種便攜電子產(chǎn)品中常用的單節(jié)鋰離子(Li+)電池提供精確的剩余電量等級監(jiān)測。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F結合了高精度等級,以及業(yè)界最低能耗,優(yōu)于執(zhí)行此功能的競爭器件。這些器件還減少元件數(shù)量及降低系統(tǒng)成本,因為它們跟競爭器件不同,并不要求電流感測電阻來組成方案?! “采腊?/li>
- 關鍵字: 安森美 LC709201F CMOS 便攜 電池監(jiān)測
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