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cmos finfet 文章 最新資訊

MAX44265低功耗關斷模式CMOS運算放大器

  • MAX44265運算放大器的特點是在最大增益帶寬比(物質GBW)提供電流，如手機，筆記本電腦和便攜式醫(yī)療設備的電池供 ...
  • 關鍵字： MAX44265  低功耗  關斷模式  CMOS  運算放大器  

Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關

  • 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5?
  • 關鍵字： Vishay  CMOS  導通電阻  

美國半導體聯(lián)盟啟動“半導體合成生物技術”

  • 　　新計劃的第1階段將在3個相關又有所區(qū)別的領域支持6個探索性的項目：第1個領域是細胞形態(tài)-半導體電路設計領域，將從細胞生物學獲得的經(jīng)驗應用到新型芯片體系結構中，反之亦然;第2個領域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領域，專門支持半導體生物混合系統(tǒng);第3個領域是分子級精確增材制造領域，將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計劃第1階段的研究成果將用于指導未來多代半導體合成生物技術研究。半導體研究聯(lián)盟的全球研究合作計劃將為第1階段研究投資225萬美元。- 　　麻省理工學院的RahulSarpe
  • 關鍵字： 半導體  CMOS  

改進RGC結構的光互連CMOS前置放大器設計

  • 該前置放大器采用了改良后的RGC結構作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結果表明：在光探測器結電容 ...
  • 關鍵字： RGC  CMOS  前置放大器  

帶有增益提高技術的高速CMOS運算放大器設計

  • 設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源 ...
  • 關鍵字： 增益  高速  CMOS  運算放大器  

CMOS型單片機時鐘電路圖

  • MCS-51內(nèi)部都有一個反相放大器，XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端，外接定時反饋元件以后就組成振蕩器 ...
  • 關鍵字： CMOS  單片機  時鐘電路  

新日本無線推出超低功耗CMOS運放NJU77806

  • 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實用的好產(chǎn)品。
  • 關鍵字： 新日本  CMOS  無線網(wǎng)絡  

技術：CMOS集成電路電阻的應用分析

  • 　　目前，在設計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中，要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設計達到最優(yōu)。 　　1CMOS集成電路的性能及特點 　　1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應管，且都是互補結構，工作時兩個串聯(lián)的場效應管總是處于一個管導通，另一個管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。 　　1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
  • 關鍵字： CMOS  電阻  

3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： CMOS  LCVCO  電感  射頻開關  PVT  鎖相環(huán)  

MAX4617-MAX4619低電壓、CMOS模擬多路復用器/開關

  • 概述：MAX4617/MAX4618/MAX4619是高速，低電壓，CMOS模擬集成電路的配置為8通道多路復用器（MAX4617），兩個4通道多路 ...
  • 關鍵字： MAX4617  MAX4619  CMOS  多路復用器  

Mentor工具被納入臺積電16納米FinFET制程技術參考流程

  • Mentor Graphics公司(納斯達克代碼：MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數(shù)字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC?布局與布線系統(tǒng)的16納米設計，以及Calibre?物理驗證和可制造性設計(DFM)平臺。
  • 關鍵字： Mentor  FinFET  

上海自貿(mào)區(qū)解除游戲機銷售禁令 紅外LED廠受惠

  • 　　隨著上海自貿(mào)區(qū)掛牌時間的臨近，本周自貿(mào)熱卷土重來：龍頭股外高橋及陸家嘴連續(xù)收出兩個漲停板，且漲勢有向縱深方向擴散的跡象。此前，市場人士就已獲悉，允許國外企業(yè)在華銷售游戲機將是上海自貿(mào)區(qū)藍圖的一部分;本月23日晚間，百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿(mào)區(qū)組建合資公司的公告，更是令自貿(mào)區(qū)相關游戲機概念的炒作熱潮一觸即發(fā)，百視通昨日就強勢漲停。 　　分析人士表示，百視通與微軟在上海自貿(mào)區(qū)設立合資公司的舉措表明，實行了十三年的游戲機禁令將在上海自貿(mào)區(qū)正式終結;在此背景下，預計與游戲機生產(chǎn)相關的軟硬件公司，如水晶光電
  • 關鍵字： 紅外LED  CMOS  

銅柱凸點將成為倒裝芯片封裝的主流

  • 　　銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應鏈。之所以這樣說，是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。 　　目前全球倒裝芯片市場規(guī)模為200億美元，以年增長率為9%計算，到2018年將達到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中，銅柱凸點式封裝的年增長率將達到19%。到2014年，已形成凸點的晶圓中將有50%使用銅柱凸點，從數(shù)量上來說，銅柱凸點式封裝將占到倒裝芯片封裝市場的2/3。 　　
  • 關鍵字： CMOS  倒裝芯片  

FinFET新技術對半導體制造產(chǎn)業(yè)的影響

  • 　　FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設計，變革了傳統(tǒng)晶體管結構，其控制電流通過的閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構，將原來的單側控制電路接通與斷開變革為兩側。 　　FinFET這樣創(chuàng)新設計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術升溫，使得半導體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以Fi
  • 關鍵字： FinFET  半導體制造  

FinFET引爆投資熱　半導體業(yè)啟動新一輪競賽

  • 　　半導體業(yè)界已發(fā)展出運用FinFET的半導體制造技術，對制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應用處理器的技術，促使市場競爭態(tài)勢急速升溫。 　　過去數(shù)10年來，互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構材料，電晶體幾何結構則一代比一代小，因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導體晶片。 　　然而，電晶體在空間上的線性微縮已達極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
  • 關鍵字： 半導體  FinFET  
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