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can sic 文章 最新資訊

Wolfspeed破產傳聞使瑞薩電子20億SiC供應交易面臨風險

  • 據日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報道，據報道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產保護。報告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評估其戰(zhàn)略計劃。正如日刊工業(yè)新聞所說，瑞薩電子可能會受到影響，因為其與 Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預付款 10 年碳化硅晶圓供應協(xié)議。報告指出，如果 Wolfspeed 根據美國破產法第 11 章申請破產保護，瑞薩電子可能
  • 關鍵字： Wolfspeed  破產  瑞薩電子  SiC  

將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中

  • 功率半導體研究實驗室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗證，該模塊旨在用于電動汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉換器。該實驗室表示，這項技術可以提高效率，同時減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大電流電力電子設備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設計的非接觸式、無磁芯電流傳感器。新芯片取代了當今許多電動汽車中部署的基于磁芯的電流傳
  • 關鍵字： 電流傳感器  EV  SiC  功率模塊  

驅動汽車電子創(chuàng)新：RIGOL CAN-FD總線分析解決方案

  • 在當今快速發(fā)展的汽車行業(yè)中，智能化、網聯(lián)化和自動駕駛技術的興起正在重塑汽車的電子架構。隨著車輛功能的日益復雜，從高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）到車聯(lián)網（V2X）通信，再到整車級的軟件更新（OTA），汽車內部的數據傳輸需求呈指數級增長。傳統(tǒng) CAN 總線技術由德國博世公司于1986年推出，在面對當今復雜多變的汽車電子架構時，已逐漸顯露出其性能瓶頸。為了突破這一限制，滿足汽車行業(yè)對高速數據傳輸和高可靠性通信的需求，2015年由ISO 11898-1標準定義，CAN-FD（CAN with Flexible Da
  • 關鍵字： RIGOL  CAN-FD  示波器  

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調節(jié)器等工業(yè)設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
  • 關鍵字： 東芝  DFN8×8  650V  SiC MOSFET  

東芝在SiC專利申請中挑戰(zhàn)泰科天潤

  • 中國功率芯片開發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術專利申請排名中面臨東芝的挑戰(zhàn)。法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領域的加速發(fā)展為標志，以匹配 Global Power Technology的專利數量。這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結構的設計。第一季度授予了 420 多個
  • 關鍵字： 東芝  SiC  專利申請  泰科天潤  

CHIPS 法案、電動汽車關稅加劇了Wolfspeed的現(xiàn)金危機

  • 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執(zhí)行官需要面臨更為嚴峻的現(xiàn)金危機。作為車用碳化硅行業(yè)的領導廠商，Wolfspeed近年來投入數十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車經濟低迷和關稅前景的打擊陷入持續(xù)虧損中，現(xiàn)在公司轉向提供AI數據中心電源以促進增長，不過該公司正在尋求第11章法規(guī)的債權保護。“作為我們貸方談判的一部分，我們可能會選擇在法庭內或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執(zhí)行官的羅伯特·費爾 （Robert Feurle） 說。據報道，資產管理公
  • 關鍵字： CHIPS  Wolfspeed  SiC  

SiC開始加速批量上車

  • 在新能源汽車技術的演進歷程中，碳化硅（SiC）技術已成為推動行業(yè)發(fā)展的關鍵力量。作為第三代半導體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優(yōu)勢，已深度融入新能源汽車的核心系統(tǒng)，開啟了新能源汽車性能提升與技術創(chuàng)新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款，從純電動到混合動力，SiC 技術的應用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實現(xiàn)批量上車，重塑新能源汽車的技術格局與市場競爭態(tài)勢。碳化硅實現(xiàn)多價格區(qū)間車型覆蓋SiC 技術已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競爭的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬至 150 萬元價格區(qū)間的車型
  • 關鍵字： SiC  

SiC襯底市場 去年營收減9%

  • TrendForce最新研究，2024年汽車、工業(yè)需求走弱，SiC基板出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產品價格大幅下跌，導致2024年全球N-type（導電型）SiC基板產業(yè)營收年減9%，為10.4億美元。進入2025年，即便SiC基板市場持續(xù)面臨需求疲軟、供給過剩的雙重壓力，然而，長期成長趨勢依舊不變，隨著成本逐漸下降、半導體元件技術不斷提升，未來SiC應用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領域的多樣化。 同時，市場競爭激烈的環(huán)境下，加速企業(yè)整合，重新塑造產業(yè)發(fā)展格局。TrendForce分析各供應商營收
  • 關鍵字： SiC  襯底  TrendForce  

內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

  • 全球先進的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
  • 關鍵字： 羅姆  ROHM  SiC MOSFET  功率模塊  太陽能  

英飛凌重返SiC JFET，實現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

  • Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產品。JFET 通過反向偏置 PN 結上的電場來控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC  JFET  固態(tài)配電  

新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

  • ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達到業(yè)界頂級水平」，這使得安裝面積顯著減少。
  • 關鍵字： SiC  功率器件  ROHM  

格力家用空調搭載SiC芯片突破100萬臺

  • 4月22日下午，格力電器召開2025年第一次臨時股東大會，相比過往歷次股東大會都被安排在格力地產總部辦公樓，本次股東大會首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據悉，該工廠自2024年投產以來，其碳化硅功率芯片在家用空調中的裝機量已經突破100萬臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢，能夠顯著提升空調的能效。搭載SiC芯片后，空調的電能轉換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強，實現(xiàn)能耗降低，同時可以提升產品性能、降低能耗，增強格力空調的市場競爭力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動化6英寸碳化硅
  • 關鍵字： 格力  家用空調  SiC  

南芯科技推出車規(guī)級高速CAN/CAN FD協(xié)議收發(fā)器

  • 近日，南芯科技宣布推出車規(guī)級高速 CAN/CAN FD 收發(fā)器 SC25042Q，適用于12V 和 24V 汽車系統(tǒng)，可直接連接 3V-5V 的微控制器，支持高達 5Mbit/s 的數據傳輸速率。SC25042Q 集成了振鈴抑制功能，抗電磁干擾能力強，可實現(xiàn)無損時間傳輸，保證信號的高效可靠。該產品通過 AEC-Q100 認證，符合 ISO 11898-2:2016、SAE J2284-1 至 SAE J2284-5 標準，為車規(guī)級接口提供了高性能、高性價比的國產化選擇。全國產化產品，重塑車載CAN總線隨著
  • 關鍵字： 南芯科技  CAN/CAN FD  協(xié)議收發(fā)器  

清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產品

  • 近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產品平臺，標志著功率半導體技術在快充效率、高功率密度應用等領域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產品比電阻Rs
  • 關鍵字： 清純半導體  微碧半導體  第3代  SiC MOSFET  

SiC為數據中心的冷卻風扇提供高密度電源

  • 碳化硅 （SiC） 正在接管電動汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉換為用于控制電機的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開關頻率，因此也適用于更緊湊的電動機中的三相逆變器。其中包括數據中心的電子換向 （EC） 冷卻風扇，這些風扇消耗了更多的電力來運行 AI 訓練和推理，并在此過程中產生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 （IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風扇帶來了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
  • 關鍵字： SiC  數據中心  冷卻風扇  高密度電源  安森美  
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