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汽車芯片，有兩大好賽道

  • 汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導(dǎo)體的價值量提升，其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機。先看功率半導(dǎo)體，車規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導(dǎo)體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應(yīng)用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統(tǒng)
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英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動汽車芯片供貨協(xié)議

  • 英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動汽車的主驅(qū)動。根據(jù)協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應(yīng)鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長到50%以上，市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過
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羅姆買新廠 搶SiC產(chǎn)能

  • 全球車用SiC功率組件市場，目前主要由IDM大廠獨霸，根據(jù)統(tǒng)計，全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導(dǎo)體的營收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并宣布買下日本一家太陽能系統(tǒng)廠的舊工廠，未來將引進SiC功率半導(dǎo)體8吋晶圓產(chǎn)線到工廠內(nèi)，預(yù)計在2024年底啟動，將使羅姆的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，到2030年增加為2021年的35倍。根據(jù)日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報導(dǎo)，羅姆將從日本的石油公
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324

  • 前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發(fā)與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個SSDC模塊的結(jié)構(gòu)圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復(fù)雜的，里面包含了許
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動器使用指南

  • SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
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國內(nèi)8英寸SiC傳來新進展

  • 近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應(yīng)用及儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)μ蓟璋雽?dǎo)體產(chǎn)品需求不斷增長，并推動新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產(chǎn)；天科合達計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn)，同時該公司在5月與半導(dǎo)體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議。近期，科友半導(dǎo)體傳來了新消息。6月22日，科友半導(dǎo)體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度
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使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實

  • 最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應(yīng)用受到了廣泛關(guān)注，但同時也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們在未來放心地使用 SiC器件。應(yīng)用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應(yīng)用范圍相關(guān)。例如，一些設(shè)計人員認為SiC MOSFET 應(yīng)該用來替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應(yīng)該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數(shù)很有競爭力，反向恢復(fù)電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數(shù)校正 (TPPFC) 或同
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羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議

  • SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅(qū)動技術(shù)和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達成此次合作，是因為雙方已于2020年建立了“電動汽車電力電子技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系”，并基于合作伙伴關(guān)系進行了密切的技術(shù)合作，開展了適用于電動汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

  • 在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

  • 如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物
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評估CAN收發(fā)器的正確系統(tǒng)級測試方法

  • 本文介紹了評估"控制器局域網(wǎng)"(CAN)收發(fā)器的正確系統(tǒng)級測試方法。通過展示在多CAN節(jié)點系統(tǒng)中執(zhí)行不同CAN節(jié)點之間的數(shù)據(jù)傳輸時如何避免實際數(shù)據(jù)傳輸問題，解釋了此種測試方法的優(yōu)越之處。CAN是一種穩(wěn)健的通信標準，用于支持不同的傳感器、機器或控制器進行相互通信。相比于一般接口，CAN接口更穩(wěn)定可靠，能夠有效處理總線爭用，因此被廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化、家庭自動化和汽車應(yīng)用中。舊版CAN2.0提供8字節(jié)有效載荷，最多支持2 Mbps的數(shù)據(jù)速率。有些情況下，2 Mbps的數(shù)據(jù)速率不足以應(yīng)對危急
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中國小型 SiC 廠商，難過 2023

  • 2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用 SiC 芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結(jié)果表明，在相同功率等級下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關(guān)損耗降低了 75％。換算下來，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統(tǒng)效率可以提高 5％左右。一場特斯拉的大風，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動車傳動系統(tǒng) SiC 用量大減 75%，因借創(chuàng)新技術(shù)找到下一代電動車動力系統(tǒng)減少使用 S
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第三代半導(dǎo)體高歌猛進，誰將受益？

  • “現(xiàn)在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下，在全球半導(dǎo)體行業(yè)的逆流中，第三代半導(dǎo)體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關(guān)于第三代半導(dǎo)體的爭奪劇集已經(jīng)開始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進入高速成長期近日，科學技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進入下行周
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體  SiC  GaN  

LED智能照明解決方案

  • 針對LED智能照明解決方案，Microchip 的MCU集成了獨立于內(nèi)核的外設(shè)模塊來實現(xiàn)開關(guān)電源控制、邏輯控制和通信功能。相比于純模擬或ASIC實現(xiàn)方案，可顯著提升靈活性。本方案加入安森美NCV78343矩陣控制芯片，實現(xiàn)CAN/LIN通訊矩陣大燈方案。PIC16F1779可獨立控制多達四個LED通道，這是大多數(shù)現(xiàn)成LED驅(qū)動器控制器所不具備的一項獨特能力，特別適合組合式大燈/尾燈的設(shè)計。LED調(diào)光引擎由單片機中集成的模擬外設(shè)組成，通過MCC配置將這些模塊連接起來，構(gòu)成四個獨立的LED調(diào)光驅(qū)動器。一旦配置
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如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

  • 牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監(jiān)測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求，柵極驅(qū)
  • 關(guān)鍵字： SiC  牽引逆變器  
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