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西部數(shù)據將拆分NANDFlash部門與鎧俠合并

  • 根據彭博社報導，在經過幾個月的談判后，西部數(shù)據（Western Digital）和鎧俠（Kioxia）即將達成協(xié)議。該協(xié)議的內容主要是分拆西部數(shù)據的NAND Flash快閃存儲器部門，然后進一步與鎧俠合并。之后，西部數(shù)據的股東將控制合并后新公司約略超過一半的股權。不過，當前相關訊息仍在保密中。報導指出，兩家公司在談判時，有建議是將由鎧俠的團隊來主導合并后新公司的經營，不過西部數(shù)據高管也將發(fā)揮相對的重要輔助作用。而就目前情況來看，盡管雙方談判進展順利，但距離最終協(xié)議敲定可能還需要一段時間。而且，期間
  • 關鍵字： 西部數(shù)據  NANDFlash  鎧俠  

中國半導體產業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷

  • 　　根據韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發(fā)展半導體產業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術精進下，加上美國對知識產權的嚴密保護，其目的將難以達成?！　髮е赋觯?018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術上領先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產品之后，當時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產品，直接發(fā)展128層堆疊的產品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經推出了32層堆疊的NANDFlash快
  • 關鍵字： DRAM  NANDFlash  

淺析Nandflash燒錄技巧與方法

  • 　　Nandflash芯片以其高性價比，大存儲容量在電子產品中廣泛應用。但是，在此量大質優(yōu)的應用領域，很多客戶卻痛苦于批量質量問題：專用工具無法滿足量產，量產工具卻可能出現(xiàn)極大的不良品率，那么究竟要如何解決呢?　　其實根本原因在于目前大部分用戶并不是很了解Nandflash燒錄的復雜性，他們常采用很直接的方法，即使用一顆能正常運行的NandFlash芯片作為母片，在連接編程器之后，點擊燒錄軟件上的“讀取”按鈕，把數(shù)據從芯片里面完整讀取出來，然后再找?guī)最w空芯片，把數(shù)據重復寫進去。本以為可達到量產的目的，但實
  • 關鍵字： Nandflash  燒錄  

NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅動開發(fā)

  • NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅動開發(fā),0 引 言
    隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展，其應用環(huán)境的廣泛性，復雜性對構建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設備提出更高要求，需要閃存設備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
  • 關鍵字： NandFLASH  NorFLASH  接口設計  驅動開發(fā)  

淺析Nand Flash編程應用難點

  • Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)
  • 關鍵字： NandFlash  編程  難點  

TrendForce：2018年NAND Flash價格有望縮減10%-20%

  • 　　TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash價格有機會走跌，下半年需求回升，可能再次供不應求，預估2018年NANDFlashASP(平均銷售單價)將較2017年縮減10%-20%。 　　相對而言，TrendForce預計，2018年DRAM產能擴增效益有限，價格趨勢與供給狀況持續(xù)看漲、看緊。 　　TrendForce表示，就移動存儲來看，智能手機應用的存儲零組件價格從2016年第三季開始不斷攀升，以主流規(guī)格而言，到今年第四季價格平均上升40%，不僅影響各大品牌在智能手機的
  • 關鍵字： UFS  NANDFlash  

東芝產能出現(xiàn)大幅損失純屬謠言，對第四季供貨影響有限

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，針對近期市場傳出東芝產能出現(xiàn)問題，并致使產出晶圓損失高達10萬片一事，經調查與確認后，東芝產線確實遭遇到一些問題，并致使整體產出量較原先預期少，但影響程度絕對遠低于外界所謠傳接近10萬片的規(guī)模，且工廠產線亦未出現(xiàn)停擺。對于東芝客戶而言，在第四季議價時所承諾的交貨數(shù)量也沒有受到直接沖擊。 　　DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，此一事件后，不論對于第四季或是明年第一季的供需市況皆不會產生任何劇烈影響。對于現(xiàn)貨市場而言，在此消息傳出后并
  • 關鍵字： 東芝  NANDFlash  

2017年上半年全球半導體銷售金額同比增長20.8%

  • 　　近期以來，或許大家經常會聽到的就是因為半導體產業(yè)跨入一個成長的波段，導致所有產品的價格上揚，使得諸如臺積電、韓國三星的全球性的大型半導體公司獲利豐碩，營收屢創(chuàng)新高。至于，所謂的半導體當前熱潮，有哪些基本的數(shù)據可以來代表，下面這些數(shù)據或許可以來進一步說明。 　　在當前半導體的熱季中，大家感受最強烈的莫過于存儲器的價格。也由于存儲器市場的供不應求，使得價格節(jié)節(jié)攀高，也讓韓國三星、SK海力士，日本東芝等國際大廠獲利滿滿。有市場調查機構統(tǒng)計，在快閃存儲器(NANDFlash)的價格部分，自2016年下半年起
  • 關鍵字： 存儲器  NANDFlash  

基于ARM9的USB設計與實現(xiàn)

  • USB(Universal Serial Bus)是通用串行總線的縮寫，因其具有方便易用，動態(tài)分配帶寬，容錯性優(yōu)越和高性價比等特點，現(xiàn)已成為計算機的主流接口。
  • 關鍵字： USB  CPU  NANDFlash  SDRAM  

基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)設計

  • 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據采集與存儲系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)，給出了系統(tǒng)的總體方案，并對各部分硬件和軟件的設計進行了詳細描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據的控制處理核心，以存儲容量達2GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質。該系統(tǒng)主要由數(shù)據采集模塊、數(shù)據存儲模塊和RS～232串行通信模塊組成，具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點，實驗證明該系統(tǒng)滿足設計要求。
  • 關鍵字： 水聲信號數(shù)據采集  NANDFlash  FPGA  

用IO模擬方式讀寫三星系列的NAND FLASH

  • 三星系列的NAND FLASH芯片容量從8MB到256MB（最近聽說有1G容量的了），對于需要大容量數(shù)據存儲的嵌入式系統(tǒng)是一個很好的選擇，尤其是其接近1MB/元的高性價比，更是普通nor flash無法比擬的。本文以K9F2808U0C為例，采用AVR芯片連接，進行了初步的讀寫試驗，完成了芯片的ID讀出功能。
  • 關鍵字： IO模擬方式  NANDFlash  

基于NAND Flash的轉譯層的設計

  • 基于NAND Flash的嵌入式存儲系統(tǒng)以其輕巧便攜、讀寫速度快等特點成為當前嵌入式存儲系統(tǒng)的主流配置。但由于固有壞塊以及在擦、寫過程中隨機產生的壞塊影響了NAND Flash的實際應用，所設計的NAND Flash的驅動轉譯層具有壞塊管理機制并實現(xiàn)上層文件系統(tǒng)的連續(xù)讀寫功能。
  • 關鍵字： NANDFlash  壞塊管理  存儲系統(tǒng)  轉譯層  

2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐

  • 　　2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐。據IHSMarkit所搜集的數(shù)據顯示，2016年全球半導體產業(yè)的營收成長2%，而前十大半導體業(yè)者的營收則成長2.3%，優(yōu)于產業(yè)平均水平。以個別產品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強的產品，成長幅度超過30%;車用半導體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。 　　IHS預期，由于市場需求強勁，2017年內存市場的營收規(guī)模可望再創(chuàng)新高，車用半導體市場的規(guī)模則有機會成長超過10%。整體來說，2017年半導體產業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
  • 關鍵字： DRAM  NANDFlash  

ARM開發(fā)步步深入之NandFlash 4KB突圍

  • 　　實驗目的：突破4KB的Steppingstone存儲空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實現(xiàn)“點燈大法”，借此掌握NandFlash的操作。　　實驗環(huán)境及說明：恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，該NandFlash容量為64MB?！　嶒炈悸罚洪_發(fā)板上電啟動后，自動將NandFlash開始的4K數(shù)據復制到SRAM中，然后跳轉到0地址開始執(zhí)行。然后初始化存儲控制器SDRAM，調用NandFlash讀函數(shù)操作
  • 關鍵字： ARM  NandFlash   

高速信號采集記錄儀設計

  • 摘要：針對高速信號實時采集存儲的需求，設計了一種高速信號采集記錄儀。記錄儀通過高速A/D轉換器對信號進行采樣，并實時存入NAND FLASH存儲陣列中。為提高數(shù)據存儲速率，綜合采用并行總線、交錯雙平面頁編程、多級
  • 關鍵字： 高速采樣  高速存儲  NANDFLASH  
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nandflash介紹

NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在： 1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同 應用程序對NOR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區(qū)。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程序對N AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁，頁 [ 查看詳細 ]

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