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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
關鍵字：東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET

工程師必看！從驅(qū)動到熱管理：MOSFET選型與應用實戰(zhàn)手冊

MOSFET因其獨特的性能優(yōu)勢，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應用于消費電子、工業(yè)設備、智能手機及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在三個方面：驅(qū)動電路設計簡化，所需驅(qū)動電流遠低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅(qū)動；開關速度優(yōu)異，無電荷存儲效應，支持高速工作；熱穩(wěn)定性強，無二次擊穿風險，高溫環(huán)境下性能表現(xiàn)更穩(wěn)定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場景中表現(xiàn)尤為突出。近年來，隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業(yè)等大量應用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)
關鍵字： MOSFET

內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

全球先進的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
關鍵字：羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊太陽能

利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護

引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發(fā)展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅(qū)動電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。柵極驅(qū)動器設計措施關于SiC-MOSFET驅(qū)動器電路的穩(wěn)健性，有幾個問題值得考慮。除了驅(qū)動器安全切換半導
關鍵字：碳化硅 MOSFET 電源功率半導體

電源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

以Vishay SiE848DF的數(shù)據(jù)手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當驅(qū)動感性負載時，這包括施加的電壓加上任何感性感應電壓。對于感性負載，MOSFET 兩端的電壓實際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過最大漏源電壓并且電流沖
關鍵字：電源管理 MOSFET 功率MOSFET

清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標志著功率半導體技術(shù)在快充效率、高功率密度應用等領域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數(shù)Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
關鍵字：清純半導體微碧半導體第3代 SiC MOSFET

SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效

如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數(shù)據(jù)中心。我們對圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求，正推動著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
關鍵字： SiC MOSFET AI數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換能效

英飛凌攜手Enphase通過600V CoolMOS? 8提升能效并降低MOSFET相關成本

Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的?600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡化了系統(tǒng)設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領先供應商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統(tǒng)的?MOSFET?內(nèi)阻（RDS(on)），進而減
關鍵字：英飛凌 Enphase CoolMOS MOSFET

Nexperia推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應用領域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性
關鍵字： Nexperia SiC MOSFET

第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內(nèi)建電勢，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
關鍵字：三菱電機 SiC MOSFET

ROHM開發(fā)出適用于AI服務器等高性能服務器電源的MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機型，包括非常適用于企業(yè)級高性能服務器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進步和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，
關鍵字： ROHM AI服務器服務器電源 MOSFET

東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
關鍵字：東芝 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動光電耦合器

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術(shù)，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
關鍵字：英飛凌 CoolSiC MOSFET

開關性能大幅提升！M3S 與M2 SiC MOSFET直觀對比

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側(cè)重于探討專為低電池電壓領域的高速開關應用而設計的先進 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術(shù)。通過各種特性測試和仿真，評估了 MOSFET 相對于同等競爭產(chǎn)品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎知識、M3S 技術(shù)和產(chǎn)品組合（三代進化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析
關鍵字：電源轉(zhuǎn)換電動汽車 MOSFET

第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
關鍵字： CoolSiC MOSFET

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　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]