- 最近幾個季度DRAM產業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極，但在今年剩余時間內力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產業(yè)的加權平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術遷移的力度在增大。。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術，該產業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
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Inotera DRAM
- 按SEMI的資深分析師Christian Dieseldorff報道，SEMI的全球Fab預測于2010年時全球Fab投資再增加64%，達240億美元。
ICInsight的McClean認為，今年第三季度的全球產能利用率可達88%，接近去年金融危機之前的水平。它還認為2007年的產能利用率達90%，一直維持到去年的前三個季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1為最低水平是57%，到09 Q2由于OEM為補充庫存而使產能利用率又回復到78%。
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Inotera 70納米 溝槽式 DRAM
- 由于第三季度內存芯片價格看漲，因此臺灣內存芯片廠商華亞(Inotera)，南亞(Naya)以及力晶半導體(PSC)公司最近紛紛進行制程轉換并計劃提高產能。此前，由于PC和ASP市場需求萎靡，因此這些芯片廠商曾一度減產自保。
力晶公司將員工的月無薪休假日數由8天減到了4天，而華亞和南亞則計劃六月份開始禁止大部分員工無薪休假。
華亞稱由于奇夢達的破產其出貨量有所下降，不過自從與鎂光達成供貨協議后出貨開始恢復。該公司預計五月份產量為8萬片12英寸晶圓，而到第三季度，月產量將達9-10萬片。相比第
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Inotera 晶圓 內存芯片
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