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DIMM 和 CAMM 有什么區(qū)別？

雙列直插式內(nèi)存模塊（DIMM）具有多種外形尺寸，適用于筆記本電腦、臺式機(jī)和服務(wù)器，這也是新型壓縮連接內(nèi)存模塊（CAMM）的目標(biāo)。DIMM 和 CAMM 通常填充 DRAM，盡管其外形規(guī)格已用于其他存儲技術(shù)。它們具有不同的外形尺寸，針對不同的應(yīng)用，JEDEC 為兩者提供了標(biāo)準(zhǔn)（圖 1）。每個模塊也可現(xiàn)場更換;但是，DIMM 可以在沒有工具的情況下安裝，而 CAMM 是擰入的。pic1. 雙列直插式內(nèi)存模塊（DIMM）使用邊緣連接器，而壓縮連接式內(nèi)存模塊（CAMM）則插入插槽。CAM
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瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時鐘驅(qū)動器CKD和第3代RCD以支持嚴(yán)苛的DDR5客戶端與服務(wù)器DIMMs應(yīng)用

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時鐘驅(qū)動器（CKD）和第三代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
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筆電存儲器新標(biāo)準(zhǔn)，CAMM有望取代SO-DIMM

SO-DIMM（Small Outline DIMM）因小巧尺寸設(shè)計，適合空間有限的系統(tǒng)，例如筆電、小型工業(yè)電腦、NAS、路由器等。根據(jù)外媒報導(dǎo)，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會可能將戴爾和英特爾合作開發(fā)的CAMM（Compression Attached Memory Module）作為下一代標(biāo)準(zhǔn)，取代SO-DIMM。近日，國外媒體PCWorld引用戴爾資深工程師、JEDEC委員會成員Tom Schnell的說法表示，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會考慮采用CAMM成為正式標(biāo)準(zhǔn)，并讓其他制造商加以使用。Tom Sc
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！

SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存，起步速率就可以達(dá)到8Gbps，相比于標(biāo)準(zhǔn)的DDR5-4800快了多達(dá)80％，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀(jì)錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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只需不到10小時訓(xùn)練 FB的AI就能教會機(jī)器人如何開瓶

擁有雙臂的機(jī)器人如何去完成像打開瓶蓋這樣的任務(wù)呢？按理說，應(yīng)該與人類動作流程差不多：它需要先用一只手握住瓶子的底部，然后用另一只手抓住瓶蓋并將其擰下來。這種高層次的步驟序列就是我們所熟知的模式，而且它不受操控對象的幾何和空間狀態(tài)影響。另外一個好處是，與旨在通過學(xué)習(xí)策略來解決任務(wù)的強(qiáng)化學(xué)習(xí)技術(shù)不同，模式不需要在數(shù)小時、數(shù)周甚至數(shù)月的學(xué)習(xí)過程中攝取數(shù)以百萬計的示例進(jìn)行訓(xùn)練。
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EVG集團(tuán)在融化晶圓鍵合領(lǐng)域取得重大突破，一舉掃清制造3D-IC硅片通道大容量設(shè)備的主要障礙

　　印刷設(shè)備的主要供應(yīng)商，EVG集團(tuán)今日公布了新一代融化晶圓鍵合平臺GEMINI®FB XT，該平臺匯集多項技術(shù)突破，令半導(dǎo)體行業(yè)向?qū)崿F(xiàn)3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標(biāo)又邁進(jìn)了一步。新平臺晶圓對晶圓排列精度是過去標(biāo)準(zhǔn)平臺的三倍，生產(chǎn)能力更是比先前高出50%，此外GEMINI FB XT平臺還為半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用3D-IC及硅片通道技術(shù)掃清了幾大關(guān)鍵障礙，使半導(dǎo)體行業(yè)能夠在未來不斷提升設(shè)備密度，強(qiáng)化設(shè)備機(jī)能，同時又無需求助于越發(fā)昂貴復(fù)雜的光刻工藝技術(shù)。　　晶圓對晶圓鍵合是激活諸如堆疊式內(nèi)存，邏輯記
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Teledyne LeCroy提供了新的288腳的DDR4內(nèi)插器

　　Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€通道的速率高達(dá)3200MT/s的兩個DIMM進(jìn)行非侵入式監(jiān)控?！　⌒碌膬?nèi)插器的設(shè)計是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
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力科新288腳DDR4內(nèi)插器配合Kibra 480協(xié)議分析儀

　　Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€通道的速率高達(dá)3200MT/s的兩個DIMM進(jìn)行非侵入式監(jiān)控?！　⌒碌膬?nèi)插器的設(shè)計是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
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一種嵌入式視頻記錄系統(tǒng)的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)

一種嵌入式視頻記錄系統(tǒng)的設(shè)計與實(shí)現(xiàn),20世紀(jì)90年代以來數(shù)字多媒體技術(shù)取得了飛速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用，超大規(guī)模集成電路及專用視頻壓縮處理芯片隨之迅速發(fā)展，同時隨著半導(dǎo)體存儲技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲器的容量也越來越大，這為研制數(shù)字化的音視頻記錄系
關(guān)鍵字：設(shè)計實(shí)現(xiàn) 系統(tǒng) 記錄視頻嵌入式 DIMM-PC/520IU SZ1510 MPEG-1標(biāo)準(zhǔn) 視頻記錄嵌入式

Primarion推出一款數(shù)字式多相功率控制器

　　英飛凌科技旗下的子公司Primarion，為當(dāng)今的先進(jìn)計算和通信市場推出PX3684——一款數(shù)字式多相功率控制器。　　PX3684的相位調(diào)節(jié)控制是基于所插入的雙列直插內(nèi)存模塊（DIMM）的數(shù)量，當(dāng)DIMM的數(shù)量低于所允許的最大值時，它可優(yōu)化系統(tǒng)效率。當(dāng)增加DIMM時，可以啟用額外的相位，以增加基于PX3684的系統(tǒng)當(dāng)前的處理能力，從而驅(qū)動更多的DIMM插槽。　　PX3684支持兩種模式的相位調(diào)節(jié)控制：用戶控制和自主控制。在用戶控制模式下，系統(tǒng)主控制器將通過控制器的I2C
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奇夢達(dá)推出節(jié)能型FB-DIMM

奇夢達(dá)公司近日宣布推出業(yè)界首款四列8GB DDR2全緩沖雙線內(nèi)存模組（FB-DIMM），該模組技術(shù)是推動下一代多核服務(wù)器性能的重要技術(shù)，同時還可降低服務(wù)器的功耗。這些領(lǐng)先的FB-DIMM模組進(jìn)一步壯大了奇夢達(dá)本已非常廣博的產(chǎn)品陣容，可更好地滿足服務(wù)器和高性能計算機(jī)工作站應(yīng)用日益增長的要求。奇夢達(dá)的新款FB-DIMM模組的速率最快可達(dá)800 MHz。800 MHz模組將提高今年晚些時候面市的下一代服務(wù)器的性能。在800 MHz模組中，每條高速通道的帶寬為4.8&nb
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fb-dimm介紹

　　FB-DIMM 　　FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM，全緩沖內(nèi)存模組)是Intel在DDR2、DDR3的基礎(chǔ)上發(fā)展出來的一種新型內(nèi)存模組與互聯(lián)架構(gòu)，既可以搭配現(xiàn)在的DDR2內(nèi)存芯片，也可以搭配未來的DDR3內(nèi)存芯片。FB-DIMM可以極大地提升系統(tǒng)內(nèi)存帶寬并且極大地增加內(nèi)存最大容量。　　目錄　　1簡介　　2優(yōu)點(diǎn) 　　3詳細(xì)介紹　　4評價　　1簡介 [ 查看詳細(xì) ]