600v氮化鎵（gan）功率器件文章進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)

用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護(hù)

當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計(jì)算機(jī)、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功率應(yīng)用中實(shí)施。實(shí)現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應(yīng)用。當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計(jì)算機(jī)、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功
關(guān)鍵字： GaN HEMT 短路保護(hù)

英飛凌將收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）

【2023 年 03 月 03日，德國(guó)慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司。氮化鎵系統(tǒng)公司是全球領(lǐng)先的科技公司，致力于為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用開發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術(shù)為打造更加
關(guān)鍵字：英飛凌將氮化鎵系統(tǒng)公司 GaN Systems 氮化鎵產(chǎn)品

幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說明利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路必須考慮的 PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。本設(shè)計(jì)文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應(yīng)有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
關(guān)鍵字：安森美 GaN 驅(qū)動(dòng)器 PCB

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開關(guān)。只有合理設(shè)計(jì)能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ，才能實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢(shì)。本文將簡(jiǎn)單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路的 PCB 設(shè)計(jì)要點(diǎn)。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動(dòng)器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
關(guān)鍵字：安森美 GaN PCB

納芯微新品，專門用于驅(qū)動(dòng)E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開關(guān)管的半橋芯片NSD2621

前言現(xiàn)階段的大多數(shù) GaN 電源系統(tǒng)都是由多個(gè)芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會(huì)產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅(qū)動(dòng)器會(huì)在單獨(dú)的芯片上帶有驅(qū)動(dòng)器的分立晶體管，受到驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)和晶體管輸入之間以及半橋開關(guān)節(jié)點(diǎn)之間的寄生電感的影響，同時(shí)GaN HEMT 具有非常高的開關(guān)速度，如果寄生電感未被抑制，將會(huì)導(dǎo)致信號(hào)傳輸?shù)牟▌?dòng)。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品，分別是GaN驅(qū)動(dòng)NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專門用于驅(qū)動(dòng)E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開關(guān)管；集成化的
關(guān)鍵字： GaN 納芯微半橋驅(qū)動(dòng)芯片

大功率器件的散熱設(shè)計(jì)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,大功率器件的發(fā)熱功耗越來越大、熱流密度不斷增加。產(chǎn)品散熱設(shè)計(jì)對(duì)產(chǎn)品的可靠性有著至關(guān)重要的影響。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,大功率器件的發(fā)熱功耗越來越大、熱流密度不斷增加。產(chǎn)品散熱設(shè)計(jì)對(duì)產(chǎn)品的可靠性有著至關(guān)重要的影響。要對(duì)大功率器件進(jìn)行良好的散熱設(shè)計(jì),首先要了解功率器件的熱性能指標(biāo),然后通過選擇合適的散熱方式,正確的風(fēng)道設(shè)計(jì)以及對(duì)散熱器進(jìn)行必要的優(yōu)化分析，最后規(guī)范、正確的安裝散熱器使器件達(dá)到最佳的散熱效果。1、器件的熱性能參數(shù)器件廠家會(huì)提供器件的焊接溫度、封裝形式、工作溫度范圍、器件結(jié)點(diǎn)
關(guān)鍵字：功率器件

功率器件的保護(hù)措施包括什么？

功率器件即輸出功率比較大的電子元器件，是電子元件和電子器件的總稱,是功率放大器。功率放大是利用三極管的電流控制作用或場(chǎng)效應(yīng)管的電壓控制作用將電源的功率轉(zhuǎn)換為按照輸入信號(hào)變化的電流。主要由電子元件業(yè)、半導(dǎo)體分立器件和集成電路業(yè)等部分組成。功率電子器件大量被應(yīng)用于電源，伺服驅(qū)動(dòng)，變頻器，電機(jī)保護(hù)器等功率電子設(shè)備。接下來主要介紹功率器件的保護(hù)措施。1、保險(xiǎn)絲法這是一種傳統(tǒng)的保護(hù)方法。保險(xiǎn)絲常串接在電路的電源輸入端用以控制整個(gè)電路的總電流。其工作原理是靠電路出現(xiàn)故障后增大的故障電流流過保險(xiǎn)絲時(shí)導(dǎo)致其發(fā)熱升溫自行熔
關(guān)鍵字：功率器件

常用的功率元器件大全

常用的功率元器件有哪些？電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件?？梢苑譃榘肟匦推骷?、全控型器件和不可控型器件，其中晶閘管為半控型器件，承受電壓和電流容量在所有器件中最高；電力二極管為不可控器件，結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠；還可以分為電壓驅(qū)動(dòng)型器件和電流驅(qū)動(dòng)型器件，其中GTO、GTR為電流驅(qū)動(dòng)型器件，IGBT、電力MOSFET為電壓驅(qū)動(dòng)型器件。1. MCT （MOS Con
關(guān)鍵字：功率器件

納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K

納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場(chǎng)景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專門用于驅(qū)動(dòng)E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內(nèi)部集成了高壓半橋驅(qū)動(dòng)器和兩顆650V耐壓的GaN開關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅(qū)動(dòng)電流2A/-4A 03.&n
關(guān)鍵字：納芯微 GaN

功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

功率半導(dǎo)體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉(zhuǎn)換成交流）、整流（交流轉(zhuǎn)換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉(zhuǎn)換）是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應(yīng)用十分廣泛，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車）、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據(jù)每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域性能要求
關(guān)鍵字：功率器件 IGBT MOSFET 國(guó)產(chǎn)替代

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車上的應(yīng)用

目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用，當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因?yàn)镾iC的襯底良率還有長(zhǎng)晶的速度很慢導(dǎo)致成本偏高。隨著工藝的改進(jìn)，這些都會(huì)得到解決。同時(shí)SiC由于開關(guān)速度比較快，衍生出來的問題在應(yīng)用里還沒有完全的暴露出來，隨著SiC的終端客戶在這方面的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)越來越豐富，SiC的使用也會(huì)趨于成熟。接下來，安森美(onsemi)汽車主驅(qū)功率模塊產(chǎn)品線經(jīng)理陸濤將和您聊聊關(guān)于未來SiC在新能源汽車上的普及及應(yīng)用。
關(guān)鍵字：安森美功率器件汽車

基于安森美半導(dǎo)體高頻率準(zhǔn)諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器

電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場(chǎng)對(duì)于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對(duì)于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
關(guān)鍵字：安森美 NCP1342 PD QR 高頻率 GaN

基于安森美半導(dǎo)體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器

電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場(chǎng)對(duì)于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對(duì)于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
關(guān)鍵字：安森美有源鉗位 NCP1568 GaN PD電源適配器

世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案

安森美GAN_Fet驅(qū)動(dòng)方案(NCP51820)。數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢(shì)。作為解決方案出現(xiàn)的兩個(gè)化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器
關(guān)鍵字： NCP51820 安森美半導(dǎo)體電源供應(yīng)器 GaN MOS Driver

提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法

對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。如何能夠高效地完成測(cè)試是工程師一直關(guān)注的，也是在選擇功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)時(shí)需要著重關(guān)注的，一個(gè)高效的測(cè)試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測(cè)試、獲得測(cè)試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時(shí)間和精力。接下來我們將為大家介紹提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法，希望能對(duì)大家的工作有所幫助。方法1：測(cè)試單元模塊化功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)往往需要具備多種測(cè)試功能、覆蓋多種電壓等級(jí)的被測(cè)器件，此時(shí)就需要對(duì)測(cè)試
關(guān)鍵字：功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試