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3d-mimo 文章 最新資訊

千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

  • 從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
  • 關(guān)鍵字： 3D DRAM  存儲  

為什么仍然沒有商用3D-IC？

  • 摩爾不僅有了一個(gè)良好的開端，但接下來的步驟要困難得多。
  • 關(guān)鍵字： 3D-IC  HBM  封裝  

NI 全新MIMO參考架構(gòu)亮相，有了它，6G研究更easy

  • 12月初，我國6G推進(jìn)組組長、中國信息通信研究院副院長王志勤介紹，6G技術(shù)的商用時(shí)間基本上是在2030年左右，標(biāo)準(zhǔn)化制定時(shí)間會在2025年。為更好地應(yīng)對6G研究挑戰(zhàn)，NI推出全新MIMO 參考架構(gòu)，通過USRP X410 配合專業(yè)應(yīng)用程序包，支持研究人員在5G / 6G 領(lǐng)域的探索。01 NI認(rèn)為6G的探索將圍繞三大關(guān)鍵技術(shù)展開6G無線技術(shù)是目前正在開發(fā)的最新也是最先進(jìn)的蜂窩通信形式，預(yù)計(jì)將會帶來比5G無線技術(shù)更快的速度、更低的延遲和更先進(jìn)的功能。6G網(wǎng)絡(luò)將助力實(shí)現(xiàn)真實(shí)物理世界與虛擬數(shù)字世界的深度融合，構(gòu)
  • 關(guān)鍵字： 6G  NI  MIMO  參考架構(gòu)  

300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

  • 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  

TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新ASIL C級雜散場穩(wěn)健型3D HAL傳感器

  • ●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的新型
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TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

  • ●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議。●? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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3D ToF相機(jī)于物流倉儲自動化的應(yīng)用優(yōu)勢

  • 3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲現(xiàn)場精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運(yùn)車移動順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時(shí)，人員移動的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲行業(yè)自動化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無人搬運(yùn)車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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3D NAND還是卷到了300層

  • 近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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3D DRAM時(shí)代即將到來，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

  • 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l  這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿哟鎯ζ骷夹g(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
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是德科技攜手泰爾終端實(shí)驗(yàn)室(CTTL) 完成首個(gè)CTIA MIMO OTA動態(tài)信道模型測試系統(tǒng)驗(yàn)證

  • ·     此次合作成功驗(yàn)證 5G NR FR1 首個(gè)動態(tài) MIMO OTA信道模型·     該解決方案可以對不同的終端設(shè)備制造商以及芯片組供應(yīng)商的實(shí)際性能進(jìn)行測試驗(yàn)證是德科技（Keysight Technologies, Inc.）日前宣布，該公司與泰爾終端實(shí)驗(yàn)室依據(jù)CTIA定義的5G NR FR1標(biāo)準(zhǔn)要求，共同構(gòu)建了首個(gè) MIMO OTA動態(tài)信道模型測試和終端用戶設(shè)備性能驗(yàn)證系統(tǒng)。是德科技攜手泰爾終端實(shí)驗(yàn)室(CTTL)
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

  • 各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
  • 關(guān)鍵字： NAND  3D NAND  

3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機(jī)器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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