3d-mimo 文章進(jìn)入3d-mimo技術(shù)社區(qū)

西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場(chǎng)

●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對(duì)從芯片設(shè)計(jì)和?3D?組裝的早期探索到項(xiàng)目?Signoff?過程中的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具，能夠在整個(gè)設(shè)計(jì)流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對(duì)?3D?
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
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5G加速聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會(huì)，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營收546.3億元新臺(tái)幣，較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運(yùn)效率提升，仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營收
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云

Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對(duì)我們3D視覺相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級(jí)要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級(jí)。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí)，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速！

據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
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是德科技：如何端到端仿真大規(guī)模 MIMO

要集成 MIMO 基礎(chǔ)設(shè)施以便成功地與其他網(wǎng)絡(luò)設(shè)備進(jìn)行互操作，您需要重現(xiàn)真實(shí)場(chǎng)景，并在其中執(zhí)行復(fù)雜測(cè)試。使用端到端仿真的大規(guī)模 MIMO 測(cè)試，可以驗(yàn)證全棧操作，以及對(duì)網(wǎng)絡(luò)流量加以妥善處理。通過對(duì) Open RAN 之類分散網(wǎng)絡(luò)體系結(jié)構(gòu)的網(wǎng)絡(luò)子系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試，您可以驗(yàn)證用于 O-RAN 分布式單元（O-DU）的信號(hào)處理是否能夠處理實(shí)驗(yàn)室測(cè)試系統(tǒng)中 O-RAN 無線單元（O-RU）和分布式用戶設(shè)備發(fā)出的 MIMO 信號(hào)。端到端大規(guī)模 MIMO 測(cè)試系統(tǒng)包含三大組件：一個(gè)是用戶設(shè)備仿真器，用于仿真多個(gè)用戶及
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是德科技助力實(shí)現(xiàn)O-RAN大規(guī)模MIMO創(chuàng)新

●? ?提供性能優(yōu)化解決方案，支持Intel PSG的大規(guī)模MIMO波束賦形技術(shù)●? ?通過驗(yàn)證Intel PSG的大規(guī)模MIMO波束賦形技術(shù)，加速O-RAN網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)的推廣應(yīng)用是德科技助力實(shí)現(xiàn)O-RAN大規(guī)模MIMO創(chuàng)新是德科技為英特爾公司提供Open RAN Studio解決方案，幫助其開發(fā)和驗(yàn)證用于開放式無線接入網(wǎng)（RAN）的大規(guī)模多路輸入多路輸出（mMIMO）波束賦形設(shè)計(jì)，推動(dòng)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商加速采用 O-RAN 架構(gòu)。O-RAN 網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)采用開放接口和虛擬化技
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MIMO 雷達(dá)系統(tǒng)測(cè)試工具和技術(shù)

多輸入多輸出 (MIMO) 等現(xiàn)代技術(shù)要求寬帶寬、相位一致和多通道分析。MIMO 雷達(dá)系統(tǒng)中的天線元獨(dú)立運(yùn)行，可覆蓋較寬（通常為 180 度）的視場(chǎng)，無需進(jìn)行定向調(diào)整。因此，掃描時(shí)間顯著縮短。MIMO 雷達(dá)利用時(shí)間、頻率或編碼技術(shù)，在接收器元素中對(duì)每個(gè)發(fā)射信號(hào)進(jìn)行區(qū)分，從而提取目標(biāo)屬性。寬帶示波器，例如泰克 DPO70000SX 或 MSO/DPO70000DX 系列示波器，專為實(shí)現(xiàn)寬帶寬和相位一致而設(shè)計(jì)，因此是一種理想的儀器。它支持中心頻率、頻譜寬度和分辨帶寬 (RBW) 等參數(shù)的獨(dú)立設(shè)置，與用于多通
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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為什么仍然沒有商用3D-IC？

摩爾不僅有了一個(gè)良好的開端，但接下來的步驟要困難得多。
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NI 全新MIMO參考架構(gòu)亮相，有了它，6G研究更easy

12月初，我國6G推進(jìn)組組長、中國信息通信研究院副院長王志勤介紹，6G技術(shù)的商用時(shí)間基本上是在2030年左右，標(biāo)準(zhǔn)化制定時(shí)間會(huì)在2025年。為更好地應(yīng)對(duì)6G研究挑戰(zhàn)，NI推出全新MIMO 參考架構(gòu)，通過USRP X410 配合專業(yè)應(yīng)用程序包，支持研究人員在5G / 6G 領(lǐng)域的探索。01 NI認(rèn)為6G的探索將圍繞三大關(guān)鍵技術(shù)展開6G無線技術(shù)是目前正在開發(fā)的最新也是最先進(jìn)的蜂窩通信形式，預(yù)計(jì)將會(huì)帶來比5G無線技術(shù)更快的速度、更低的延遲和更先進(jìn)的功能。6G網(wǎng)絡(luò)將助力實(shí)現(xiàn)真實(shí)物理世界與虛擬數(shù)字世界的深度融合，構(gòu)
關(guān)鍵字： 6G NI MIMO 參考架構(gòu)