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3d-mimo 文章 最新資訊

Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

  • 　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
  • 關鍵字： 3D NAND  美光  

2016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術優(yōu)勢

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術優(yōu)勢。 　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
  • 關鍵字： 三星  3D NAND  

3D保護玻璃市場產(chǎn)值將于18年超越2D保護玻璃

  • 　　觸摸屏的保護玻璃，又稱之為保護蓋，用來保護顯示屏和觸控面板。為了適應智能機的不同設計需求，保護玻璃有不同的形狀。保護玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部，再根據(jù)保護玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機廠商越來越在外形和時尚設計方面競爭，舒適的手感和靈敏的觸控反應越來越重要，這 也鼓勵著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護玻璃。 　　2016年用于手機的3D保護玻璃出貨量預計將增至4,900萬片，占手機用保護玻璃市場總量的3.1%。IHS預測2017年其出貨量將飛漲103.9%達1億片的規(guī)模，
  • 關鍵字： 3D  2D保護玻璃  

3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主

  • 　　韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產(chǎn)的技術，在這之前業(yè)界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。 　　3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優(yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
  • 關鍵字： 3D NAND  半導體  

是時候為5G“競賽”設定一個新標準了

  • 　　天線設計和測量是挑戰(zhàn)的核心　　在這個移動設備數(shù)量比人類數(shù)量還要多的世界里，人們很容易忘記：15年前我們的生活中還沒有智能手機。從1G到4G，每一代移動網(wǎng)絡都為我們帶來了更快的通信速度和更多新的應用，廣泛影響了人們的個人和職業(yè)生活。如今，整個行業(yè)都為有望在2017到2020年到來的5G而躁動。5G引領的新一代網(wǎng)絡速度高達10 Gbit/s，超低延遲約1毫秒(比4G快50倍)，給我們的工作和生活帶來了無限可能， 智慧城市、無人駕駛、關鍵醫(yī)療、“物的聯(lián)網(wǎng)”革命都指日可待?！　∥阌怪靡?，正在全球上演的科技競賽
  • 關鍵字： 5G  MIMO  

MIMO線性化電路為綠色網(wǎng)絡部署鋪平道路

  • 　　Maxim Integrated Products, Inc 推出SC2200雙通道RF功率放大器線性化電路(RFPAL)，幫助設計者實現(xiàn)低功耗、低成本、小尺寸RF前端。 　　與補償操作相比，線性化電路使功率放大器功耗降低達70%。此外，器件將物料清單(BOM)成本降低達50%，尺寸比市場上的其它數(shù)字預失真(DPD)方案小8倍。SC2200應用只需1平方英寸電路板空間，大大提高功率放大器效率，而兩條通道滿載工作時的功耗小于1.5W。這有助于制造商提高競爭優(yōu)勢，幫助運營商實現(xiàn)降低運營和部署成本的要求。
  • 關鍵字： MIMO  SC2200  

5G的未來將收斂于四大方向

  • 未來5G通訊，會著重在更多服務與系統(tǒng)的整合，因此，必須從終端使用者的角度來思考，才能符合真正的市場需求。
  • 關鍵字： 5G  MIMO  

3D Touch還不夠好用？蘋果可能另有其謀

  • 任何一個行業(yè)的領導者，都有義務去推進新技術的發(fā)展，隨著后續(xù)功能的適配，3D Touch的未來一片光明。
  • 關鍵字： 蘋果  3D Touch  

醫(yī)療新巨頭誕生：6000萬美元的大合并！

  • 　　去年10月，全球3D打印醫(yī)療應用領域的領先企業(yè)3D Medical，與頂級醫(yī)學圖像處理技術開商Mach7合并。如今，這樁交易已經(jīng)宣布完成，合并后的新公司被稱為Mach7 Technologies，并將在澳大利亞證交所上市，交易代碼M7T。 　　據(jù)悉，3D Medical原本就以向醫(yī)生提供針對不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業(yè)務則是醫(yī)學影像技術。在這筆總額高達6000萬美元的合并交易完成之后，新公司將會把總部設在澳洲的墨爾本。 　　據(jù)了解，3D Medical和Ma
  • 關鍵字： 3D Medical  Mach7  

存儲“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場現(xiàn)狀

  • 國內(nèi)大力扶持存儲，各種巨額的投資項目爭議不小，但是為了存儲自主的未來，也值。
  • 關鍵字： 存儲器  3D NAND  

多天線終端測試方法的演進、理論與實踐

  • 　　摘要: 多入多出(MIMO，Multi-Input Multi-Output)多天線技術是高速無線通信的發(fā)展趨勢，隨著商用設備的出現(xiàn)，針對多天線技術的測試方法——MIMO OTA 受到了廣泛的關注。目前大部分人對MIMO OTA 的理解停留在觀望階段，由于信道模型的引入，技術的復雜性使得各種測試方案眾說紛紜。本文將從信道模型開始闡述MIMO OTA 的基本概念，分類介紹四種主要的測試方案，通過我們對信道模型的驗證結果，從電
  • 關鍵字： MIMO  SCME   

2016年R&S無線終端測試技術研討會圓滿落幕

  • 　　隨著移動通信市場蓬勃發(fā)展，LTE網(wǎng)絡大規(guī)模商用以及各大運營商陸續(xù)加大對移動終端設備的財政補貼，移動終端設備的生產(chǎn)、認證及運營商入庫測試等已然成為市場中的熱點。 隨著LTE技術的不斷更新以及相關測試規(guī)范組織發(fā)布更多的新功能如下行3CC載波聚合以及多階MIMO等，工程師將面臨比以往更大的測試挑戰(zhàn)。為了幫助工程師克服這些挑戰(zhàn)，羅德與施瓦茨公司(R&S公司)于2016年3月14日-19日在北京、上海和深圳三個城市舉辦了“2016年R&S無線終端測試技術研討會”?！　?nbsp;&nb
  • 關鍵字： R&S  MIMO  

投資10nm/3D NAND　晶圓廠設備支出今年增3.7%

  • 　　國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術投資，將驅動2016年晶圓廠設備支出攀升，預估2016年包括新設備、二手或專屬(In-house)設備在內(nèi)的前段晶圓廠設備支出將增長3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長13%，達421億美元。 　　SEMI指出，2015年晶圓廠設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關支出可望回復兩位數(shù)成
  • 關鍵字： 晶圓  3D NAND  

中國砸240億美元躍進3D NAND閃存時代

  • 國內(nèi)終于要有了存儲，剩下的問題就是國產(chǎn)閃存應該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢？初期的價格戰(zhàn)是不可避免的，但長久來看還得是技術立足。
  • 關鍵字： 3D NAND  存儲  

2016年迎3D NAND技術拐點，誰輸在起跑線？

  • 　　為了進一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術拐點。 　　1、積極導入48層3D技術量產(chǎn)，提高成本競爭力 　　與2D工藝相比，3D技術的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。 　
  • 關鍵字： 3D NAND  2D  
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