3d x-dram 文章 最新資訊
芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)?！ ∫粋€值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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機構(gòu)預(yù)計今年服務(wù)器 DRAM 需求將達(dá)到 684.86 億 GB，首次超過移動設(shè)備
- 11 月 2 日消息，據(jù)國外媒體報道，受電子消費品續(xù)期下滑影響，當(dāng)前全球存儲芯片市場并不樂觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績，也受到了影響。雖然存儲芯片市場整體的狀況并不樂觀，但部分領(lǐng)域的需求，卻在不斷增長。研究機構(gòu)在最新的報告中就表示，服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長，在今年有望首次超過智能手機、平板電腦等移動設(shè)備對 DRAM 的需求。研究機構(gòu)在報告中預(yù)計，今年全球服務(wù)器對 DRAM 的需求，會達(dá)到 684.86 億 GB，智能手機、平板
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功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
- 當(dāng)?shù)貢r間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)了量產(chǎn)準(zhǔn)備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
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美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點DRAM
- 2022年11月2日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應(yīng)用，基于1β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消
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SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟
- 臺積電10月27日宣布，成立開放創(chuàng)新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導(dǎo)體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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西門子推軟件解決方案 加快簡化2.5D/3D IC可測試性設(shè)計
- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測試性設(shè)計（DFT）。隨著市場對于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升，IC設(shè)計界也面臨著嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu)，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個晶粒，使其能夠作為單一組件運作。但是，這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰(zhàn)，因為大部分傳統(tǒng)的測試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn)，西門子推出Tess
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高手在民間 世界技能大賽特別賽中國已奪8金 位居第一
- 10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區(qū)閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優(yōu)勝獎，實現(xiàn)多個項目上金牌和獎牌零的突破。 本次特別賽韓國賽區(qū)比賽于10月12日開幕，共舉行8個項目的比賽，吸引了來自34個國家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項目的角逐?！ ∑渲?，來自廣州市工貿(mào)技師學(xué)院的選手楊書明獲得移動應(yīng)用開發(fā)項目金牌，成為本次大賽該新增項目首個金牌獲得者?！ 碜陨钲诩紟煂W(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項目、云計算項目金牌，實現(xiàn)我國在這兩個項目上
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8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng)新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實了在內(nèi)存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達(dá)8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內(nèi)存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動設(shè)備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國工廠供應(yīng)設(shè)備
- SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來一年內(nèi)不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此，SK海力士預(yù)期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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TrendForce：存儲器廠聚焦CXL存儲器擴(kuò)充器產(chǎn)品
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新服務(wù)器相關(guān)報告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進(jìn)而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實現(xiàn)的產(chǎn)品則是CXL存儲器擴(kuò)充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認(rèn)為
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
- 芯片已經(jīng)無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng)建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPAR
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