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3d nand 文章 最新資訊

SK 海力士新設 AI 芯片開發(fā)和量產部門，任命首席開發(fā)官及首席生產官

  • 12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。據(jù)介紹，新設的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內存等
  • 關鍵字： SK海力士  內存  NAND  

谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型 可一鍵生成超逼真3D互動世界

  • 12月5日消息，美國當?shù)貢r間周三，谷歌旗下人工智能研究機構DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個可愛的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構建出一個交互式的實時場景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
  • 關鍵字： 谷歌  DeepMind  Genie 2  模型  3D  互動世界  

3Q24 NAND Flash營收季增4.8%，企業(yè)級SSD需求強勁，消費性訂單未復蘇

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，2024年第三季NAND Flash產業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷售單價（ASP）上漲7%，帶動產業(yè)整體營收達176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示，不同應用領域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現(xiàn)分化，企業(yè)級SSD需求強勁，推升價格季增近15%，消費級SSD價格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產品因中國手機品牌嚴守低庫存策略，訂單大量減少，第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響，合約價反
  • 關鍵字： NAND Flash  企業(yè)級SSD  TrendForce  集邦咨詢  

Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

  • Teledyne DALSA推出在線3D機器視覺應用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡化生產線上的3D測量和檢測任務。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動汽車（電動汽車電池、電機定子等）、汽車、電子、半導體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動化應用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡化的工具，用于
  • 關鍵字： Teledyne  3D測量  Z-Trak 3D Apps Studio  

三星大幅減少未來生產NAND所需光刻膠使用量

  • 據(jù)韓媒報道，稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
  • 關鍵字： 三星  光刻膠  3D NAND  

三星將出售西安芯片廠舊設備及產線

  • 據(jù)韓媒報道，三星近期將開始銷售前端和后端生產線的舊設備，其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱，三星近期正在半導體部門（DS）實施大規(guī)模成本削減和產線調整，并正在考慮出售其中國半導體生產線的舊設備。預計出售程序將于明年正式開始，銷售的設備大部分是100級3D NAND設備。自去年以來，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉換為200層工藝。
  • 關鍵字： 三星  西安  NAND  

消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結構

  •  10 月 29 日消息，《韓國經濟日報》當?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產品將調
  • 關鍵字： 三星  存儲   V-NAND   

TrendForce：預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調 3% 至 8%

  • IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調查，NAND Flash 產品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產品銷售不如預期，采購策略更加保守。TrendForce 預估，第四季 NAND Flash 產品整體合約價將出現(xiàn)季減 3% 至
  • 關鍵字： NAND 閃存  存儲  市場分析  

臺積電OIP推3D IC設計新標準

  • 臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當?shù)貢r間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標準，進一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術實現(xiàn)優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設計的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
  • 關鍵字： 臺積電  OIP  3D IC設計  

三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

  • 三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車載應用端側人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業(yè)部汽車業(yè)務負責人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作，為這些企業(yè)提
  • 關鍵字： 三星電子  V-NAND  車載SSD  

三星首款！第八代V-NAND車載SSD發(fā)布：讀取4400MB/s

  • 9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿足汽車半導體質量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩(wěn)定運行。據(jù)介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫速度。其中，讀取速度高達4700MB/s，寫入速度高達1
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  PCIe 4.0  車載SSD  

2024二季度NAND Flash出貨增長放緩，AI SSD推動營收季增14%

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，由于Server（服務器）終端庫存調整接近尾聲，加上AI推動了大容量存儲產品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲，但因為PC和智能手機廠商庫存偏高，導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷售單價上漲了15%，總營收達167.96億美元，較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài)，并計劃在第三季擴大產能，以滿足AI和服務器的強勁需求，但由于PC和智能手機今年上半年市場表現(xiàn)不佳，
  • 關鍵字： TrendForce  集邦咨詢  NAND Flash  AI SSD  

TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩，AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%

  • IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出，由于服務器終端庫存調整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高，導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達 167.96 億美元（IT之家備注：當前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應客戶對
  • 關鍵字： 內存  NAND Flash  

消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內存產線投資，目標明年 6 月投運

  • IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式
  • 關鍵字： NAND  閃存  三星電子  

1000層3D NAND Flash時代即將到來

  • Lam Research 推出低溫蝕刻新技術，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
  • 關鍵字： NAND Flash  
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