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3d 內(nèi)存
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美光出樣DDR5內(nèi)存:1Znm工藝、性能提升85%

- 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低,起步頻率至少4800MHz,最高6400MHz。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時(shí)每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
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三星工廠發(fā)生意外斷電:損失尚在評(píng)估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

- 本周三,三星電子對(duì)外確認(rèn),部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時(shí)停車,原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點(diǎn)位于三星華城工業(yè)園,波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉,此次意外是因?yàn)楫?dāng)?shù)剌旊娋€纜問(wèn)題造成,預(yù)計(jì)產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時(shí)間。三星在聲明中稱,他們正全面檢查產(chǎn)線,全面評(píng)估受損程度。匿名消息人士透露,此次停車的損失在數(shù)百萬(wàn)美元左右,算不上重大。有分析人士認(rèn)為,此次停車將減少三星的芯片庫(kù)存,作為最大的存儲(chǔ)芯片制造上,會(huì)否帶來(lái)連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判,明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電 分析師:對(duì)清庫(kù)存是重大利好

- 在內(nèi)存、閃存價(jià)格處于一個(gè)很敏感的拐點(diǎn)階段,三星在韓國(guó)華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對(duì)于這件事,大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲(chǔ)芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故,不少人會(huì)心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃,這次事件最大的問(wèn)題在于三星損失多嚴(yán)重,對(duì)內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示,他們正全面檢查產(chǎn)線,全面評(píng)估受損程度。匿名消息人士透露,此次停車的損失在數(shù)百萬(wàn)美元左右,算不上重大,而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來(lái)看,三星認(rèn)為事件影響不大,數(shù)百萬(wàn)美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響,
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新東芝存儲(chǔ)不看好3D XPoint技術(shù):XL-Flash更有性價(jià)比

- 在近日召開的國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議(IEDM)上,東芝存儲(chǔ)發(fā)布了基于Twin BiCS技術(shù)的閃存產(chǎn)品,并透露了即將推出的XL-Flash技術(shù)信息,同時(shí)它表示對(duì)3D XPoint之類的堆疊類存儲(chǔ)方案的前景并不看好。至于原因,東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高,在容量/價(jià)格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù),現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn),可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。其實(shí)對(duì)于高端DIY玩家而言,如果追求極致速度和體驗(yàn),3D XPoint是不二之選。即便是NAND SSD最強(qiáng)的SLC在4K隨機(jī)性能、
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三星存儲(chǔ)工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大?

- 北京時(shí)間2020年1月1日消息,三星電子公司今天表示,在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后,其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示,正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動(dòng),并正在評(píng)估造成的損失。需要指出的,這不是三星存儲(chǔ)工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示,在2018年3月,三星位于Pyeongtaek(平澤市)的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過(guò)停電事故,雖然停電僅持續(xù)了半小時(shí),但依然損壞了5000~6000片晶圓,是三星當(dāng)月產(chǎn)量的11%,預(yù)計(jì)相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。事后,根據(jù)預(yù)計(jì)此次事故造成了
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1萬(wàn)億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%

- 今年3月份,三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,內(nèi)存容量8Mb,可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲(chǔ),其前景被廣泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究,讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存,當(dāng)同時(shí)又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點(diǎn)。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲(chǔ),擴(kuò)展性非常好,在非易失性、
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蘋果中國(guó)官網(wǎng)上架DDR4 ECC內(nèi)存套件:44040元

- 有不少網(wǎng)友發(fā)現(xiàn),蘋果中國(guó)官網(wǎng)悄悄更新了內(nèi)存套件,其中新上架的DDR4 ECC內(nèi)存套件為:256GB (2×128GB) 和32GB (2×16GB) DDR4 ECC。從蘋果官網(wǎng)給出的售價(jià)來(lái)看,256GB DDR4 ECC套件(2933MHz LR-DIMM,為兩個(gè)128GB DIMM)售價(jià)為44040元,而32GB DDR4 ECC 2933MHz R-DIMM(兩個(gè)16GB DIMM)售價(jià)為5872元。如果查看蘋果內(nèi)存套件和Mac Pro技術(shù)規(guī)格會(huì)發(fā)現(xiàn),蘋果根據(jù)芯片密度使用DDR4 ECC 2933M
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兆易創(chuàng)新募資33.2億元研發(fā)DRAM內(nèi)存 最快2021年量產(chǎn)

- 國(guó)內(nèi)最大的NOR閃存公司兆易創(chuàng)新上周末發(fā)表公告,宣布向10位投資者定向募集33.2億元資金,主要用于DRAM內(nèi)存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,最快2021年開始量產(chǎn)。在募資公告中,兆易創(chuàng)新公布了這個(gè)項(xiàng)目的預(yù)計(jì)實(shí)施時(shí)間及整體進(jìn)度安排,具體如下:·2020年,兆易創(chuàng)新將啟動(dòng)首款DRAM芯片產(chǎn)品定義,包括市場(chǎng)定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設(shè)計(jì)工藝。·2020年,兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱,并將經(jīng)過(guò)驗(yàn)證后的設(shè)計(jì)開展流片試樣,反復(fù)修改直至通過(guò)系統(tǒng)驗(yàn)證。·2021年,對(duì)首款芯片試樣進(jìn)行封裝測(cè)試,并送交系統(tǒng)芯片商進(jìn)行功能認(rèn)證,并最終通過(guò)客
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集邦咨詢:供給調(diào)整速度不及需求成長(zhǎng),2020年第一季顯卡內(nèi)存價(jià)格快速翻漲
- 近日,根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查,2020年第一季除了因1X納米良率問(wèn)題導(dǎo)致供貨不及,使得服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格領(lǐng)漲以外,顯卡內(nèi)存價(jià)格也快速反轉(zhuǎn)向上。由于顯卡內(nèi)存相較于其他產(chǎn)品類別,屬于價(jià)格波動(dòng)明顯的淺碟市場(chǎng),因此在買方積極拉貨下,預(yù)期價(jià)格將較前一季上漲逾5%,漲幅為所有產(chǎn)品中最高。顯卡與游戲機(jī)規(guī)格提升,高容量GDDR6需求增溫觀察2020年整體需求狀況,市場(chǎng)正快速?gòu)腉DDR5轉(zhuǎn)向GDDR6,顯卡市場(chǎng)中,NVIDIA的主流產(chǎn)品RTX顯卡幾乎已經(jīng)全部轉(zhuǎn)用GDDR6,而AMD正在積
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芝奇再發(fā)極品內(nèi)存:DDR4-3200延遲只有CL14、單條32GB

- 我們知道,內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低,也要看延遲,甚至很多時(shí)候延遲的重要性要超過(guò)頻率。芝奇此前就發(fā)布過(guò)DDR4-4000 CL15高頻低延遲內(nèi)存(單條8GB),現(xiàn)在又帶來(lái)了DDR4-3200 CL14,而且單條容量達(dá)32GB!新內(nèi)存分布在Trident Z RGB(幻光戟)、Trident Z Royal(皇家戟)、Trident Z Neo(焰光戟)三個(gè)系列中,單條容量統(tǒng)一都是32GB,搭載業(yè)界最高32Gb DDR4內(nèi)存顆粒,提供雙條共64GB、四條共128GB、八條共256GB三種套裝,主流雙通道
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內(nèi)存、固態(tài)硬盤價(jià)格扛不住了!漲起來(lái)

- 最近一段時(shí)間內(nèi),大家有入手內(nèi)存和固態(tài)硬盤嗎?有購(gòu)買需求的小伙伴們可以入手了,因?yàn)閮?nèi)存和SSD都已經(jīng)開始漲價(jià)了。
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中國(guó)公司DDR4架構(gòu)成國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) 正參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定

- 日前瀾起科技董事長(zhǎng)楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài),公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。內(nèi)存價(jià)格每次大起大落,中國(guó)公司都很受傷,因?yàn)閲?guó)內(nèi)幾乎沒(méi)有公司可以參與內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),全球內(nèi)存主要控制在三星、SK海力士、美光三大公司中,技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)也掌握在Intel、AMD、三星等公司中。瀾起科技是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的設(shè)計(jì)DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一,該公司成立于2004年,是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一,憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平,在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),公司2018年?duì)I業(yè)收入175,766.46萬(wàn)元,凈利潤(rùn)73,687.84萬(wàn)
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引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔 英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲(chǔ)未來(lái)

- 近日,以“數(shù)智·未來(lái)”為主題的2019中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶,本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平,推動(dòng)全球存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講,不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲(chǔ)層級(jí)中的巨大鴻溝,還通過(guò)諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內(nèi)存與存儲(chǔ)的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu),構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部
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邊緣AI為智能零售、智能工廠帶來(lái)的改變

- Amit?Gattani?(美光嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部?高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)) 摘?要:存儲(chǔ)器廠商美光介紹了邊緣AI為機(jī)器視覺(jué)和智能零售、智能工廠應(yīng)用帶來(lái)的變化,以及美光的存儲(chǔ)器解決方案?! £P(guān)鍵詞:邊緣AI;智能零售;智能工廠;內(nèi)存 1 智能零售、智能工廠的AI機(jī)會(huì) 邊緣AI正在智能零售、智能工廠/制造、智能城市/交通等工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域迅速崛起。它提供了更智能的業(yè)務(wù)洞察,以實(shí)現(xiàn)更高的生產(chǎn)力、更低的運(yùn)營(yíng)成本,并更好地理解人們的行為。例如,零售商正在部署基于邊緣AI的系統(tǒng),幫助更好地了解顧客行為、員工行為,管理店內(nèi)
- 關(guān)鍵字: 201912 邊緣AI 智能零售 智能工廠 內(nèi)存
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