3d-mems 文章進(jìn)入3d-mems技術(shù)社區(qū)

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器（1T1C）和三個(gè)晶體管、零電容器（3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測(cè)該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測(cè)試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器

中國(guó)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種開(kāi)創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對(duì)共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子）和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對(duì)超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
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優(yōu)化導(dǎo)航系統(tǒng)中的MEMS IMU數(shù)據(jù)一致性和時(shí)序

對(duì)于初次嘗試評(píng)估慣性檢測(cè)解決方案的人來(lái)說(shuō)，現(xiàn)有的計(jì)算和I/O資源可能會(huì)限制數(shù)據(jù)速率和同步功能，進(jìn)而難以在現(xiàn)場(chǎng)合適地評(píng)估傳感器能力。常見(jiàn)的挑戰(zhàn)包括如何以MEMS IMU所需的數(shù)據(jù)速率進(jìn)行時(shí)間同步的數(shù)據(jù)采集，從而充分發(fā)揮其性能并進(jìn)行有效的數(shù)字后處理。計(jì)算平臺(tái)循環(huán)速度可能很慢（低至10 Hz），而且這些平臺(tái)往往不支持傳感器數(shù)據(jù)更新產(chǎn)生中斷來(lái)及時(shí)獲取數(shù)據(jù)。本文介紹了系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員可以使用哪些技術(shù)，來(lái)解決控制系統(tǒng)慢速/異步計(jì)算循環(huán)與IMU傳感器高性能數(shù)據(jù)采集和處理(>1000 Hz)之間的矛盾。
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1,000V 125A MEMS 繼電器概念驗(yàn)證

Menlo Microsystems 今天在紐倫堡的 PICM 上展示了一種將其 MEMS 繼電器（微型機(jī)電繼電器）擴(kuò)展到“10MW 及以上配電和控制系統(tǒng)”的方法。該演示基于該公司的 MM9200 300V 10A 單刀單擲開(kāi)關(guān)，展示了為美國(guó)海軍設(shè)計(jì)的 1,000V 和 10,000A 斷路器背后的技術(shù)。據(jù)該公司稱，MM9200 用于冷開(kāi)關(guān)，具有 10mΩ 的接觸電阻，需要一個(gè) 9nA 的 90V 控制來(lái)保持閉合。開(kāi)關(guān)時(shí)間為 30μs。基于此的 10A 繼電器尺寸為 30 x 25 x 4mm。在 PCI
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 Western Digital 分拆出來(lái)時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開(kāi)發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級(jí)副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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APEC 2025最具顛覆性的技術(shù)

APEC2025上最有趣和最出乎意料的兩個(gè)發(fā)現(xiàn)來(lái)自 Ferric 和 Menlo Microsystems，這兩家相對(duì)較小的公司，他們的技術(shù)可能會(huì)對(duì)未來(lái)的電源設(shè)計(jì)產(chǎn)生巨大影響。一個(gè)小小的開(kāi)關(guān)可能會(huì)引發(fā)大的變化Menlo Microsystems 基于 MEMS 的開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)看似簡(jiǎn)單，與當(dāng)今基于半導(dǎo)體的傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)解決方案相比，具有許多優(yōu)勢(shì)。Menlo 的“Ideal Switch”結(jié)構(gòu)是通過(guò)使用（大部分）標(biāo)準(zhǔn) MEMS 工藝在玻璃基板上沉積靜電激活光束來(lái)制造大型陣列的
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從樓層定位到水下探測(cè)：兆易創(chuàng)新MEMS氣壓傳感器的無(wú)限可能

在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，傳感器作為獲取信息的關(guān)鍵部件，正以前所未有的速度改變著人們的生活與產(chǎn)業(yè)格局。MEMS氣壓傳感器，更憑借高精度、低功耗和小尺寸優(yōu)勢(shì)，廣泛滲透于智能設(shè)備、工業(yè)制造等諸多領(lǐng)域，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張。在正在進(jìn)行的慕尼黑上海電子展中，兆易創(chuàng)新（N5館701展位）展示了基于GDY1122防水型高精度氣壓傳感器方案，該方案具備10ATM防水等級(jí)，性能卓越，適用于嚴(yán)苛環(huán)境下的精準(zhǔn)壓力測(cè)量。兆易創(chuàng)新憑借強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，構(gòu)建了豐富且差異化的MEMS氣壓傳感器產(chǎn)品組合，全面覆蓋不同市場(chǎng)需求。公司持續(xù)推動(dòng)技術(shù)
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創(chuàng)新影響追蹤：MEMS傳感器如何改變游戲規(guī)則

我們探索了一種新的MEMS技術(shù)的潛在影響，該技術(shù)能夠可靠地測(cè)量低速率加速度和高強(qiáng)度沖擊。微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）傳感器是一種緊湊型設(shè)備，能夠提供對(duì)物理參數(shù)的精確且可靠的測(cè)量。它們?cè)诒姸嘈袠I(yè)中都至關(guān)重要。例如，MEMS加速度計(jì)的應(yīng)用范圍廣泛，從消費(fèi)電子到工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療保健以及汽車系統(tǒng)都有涉及。MEMS傳感器將機(jī)械組件和電氣組件集成在一個(gè)無(wú)引腳四方扁平（LGA）封裝內(nèi)。MEMS加速度計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵特性是其能夠在廣泛的輸入范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)量和響應(yīng)，從逐漸變化的加速度到高強(qiáng)度沖擊。ST公司的傳感器通常采用電容式傳感機(jī)制
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貿(mào)澤開(kāi)售適用于工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人和智慧農(nóng)業(yè)應(yīng)用的Analog Devices ADIS1657x MEMS IMU模塊

注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售Analog Devices, Inc. (ADI)全新ADIS1657x?精密微機(jī)電系統(tǒng)?(MEMS)?慣性測(cè)量單元?(IMU)?模塊。ADIS1657x MEMS IMU具有堅(jiān)固耐用的三軸陀螺儀和加速度計(jì)，適用于導(dǎo)航、穩(wěn)定、儀表、工廠和自主工業(yè)自動(dòng)化、建筑設(shè)備、智慧農(nóng)業(yè)以及無(wú)人和自主工業(yè)機(jī)器人應(yīng)用。ADI?A
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世

3D DRAM 將成為未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要競(jìng)爭(zhēng)者。
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英飛凌XENSIV? MEMS麥克風(fēng)技術(shù)賦能ELEHEAR OTC助聽(tīng)器，開(kāi)啟聽(tīng)力新紀(jì)元

你是否注意到，身邊越來(lái)越多人常說(shuō) “你說(shuō)什么，我沒(méi)聽(tīng)清？” 這句簡(jiǎn)單話語(yǔ)的背后，反映的是日益嚴(yán)峻的聽(tīng)力問(wèn)題。根據(jù)世界衛(wèi)生組織（WHO）的數(shù)據(jù)，全球約有4.66 億人患有聽(tīng)力障礙。聽(tīng)力損失不僅阻礙人際交流，還可能引發(fā)孤獨(dú)、焦慮等心理健康問(wèn)題，甚至導(dǎo)致認(rèn)知功能退化。隨著人口老齡化加劇以及生活中噪聲暴露增多，聽(tīng)力健康已成為各年齡段都需關(guān)注的重要議題。革新力量：ELEHEAR 與英飛凌的攜手合作在聽(tīng)力健康領(lǐng)域，英飛凌的合作伙伴ELEHEAR，憑借其團(tuán)隊(duì)在計(jì)算聽(tīng)覺(jué)場(chǎng)景分析（CASA）和深度學(xué)習(xí) （DL）方面的技術(shù)
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紫光國(guó)微2.5D/3D先進(jìn)封裝項(xiàng)目將擇機(jī)啟動(dòng)

日前，紫光國(guó)微在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露，公司在無(wú)錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì)根據(jù)產(chǎn)線運(yùn)行情況擇機(jī)啟動(dòng)。據(jù)了解，無(wú)錫紫光集電高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項(xiàng)目，也是紫光國(guó)微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對(duì)保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
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貿(mào)澤開(kāi)售Melexis MLX90834 Triphibian MEMS絕對(duì)壓力傳感器

專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入?(NPI)?代理商?貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開(kāi)售Melexis的MLX90834?Triphibian?絕對(duì)壓力傳感器。作為高度全面的MLX9083x?Triphibian?壓力傳感器系列的新成員，MLX90834提供了一種靈活、可靠且經(jīng)過(guò)出廠校準(zhǔn)的MEMS解決方案，可精確測(cè)量2至70 bar范圍內(nèi)氣體和液體介質(zhì)的絕對(duì)壓力，?并可用于化學(xué)制冷劑。這款智能傳感器可最大限度地提高系統(tǒng)性能、可編程性
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英飛凌推出基于MEMS的集成式先進(jìn)超聲波傳感器

英飛凌科技股份公司在開(kāi)發(fā)電容式微機(jī)械超聲波傳感器（CMUT）技術(shù)方面取得重大進(jìn)展。憑借這項(xiàng)技術(shù)，公司推出首款高度集成的單芯片解決方案，該方案基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的超聲波傳感器，擁有更小的占板面積以及更強(qiáng)大的性能和功能，可廣泛用于開(kāi)發(fā)新型超聲波應(yīng)用和改進(jìn)消費(fèi)電子、汽車工業(yè)與醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域的現(xiàn)有應(yīng)用。英飛凌科技高級(jí)總監(jiān)Emanuele Bodini表示：“英飛凌的超聲波技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)很高的信噪比和集成度，因此我們認(rèn)為該器件代表著行業(yè)的一大突破。我們希望利用這項(xiàng)技術(shù)開(kāi)發(fā)出一個(gè)服務(wù)于不同行業(yè)多種應(yīng)用場(chǎng)景的產(chǎn)品平
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國(guó)際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報(bào)道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲(chǔ)奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來(lái)自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國(guó)能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室（PPPL）的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。根據(jù)報(bào)道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
關(guān)鍵字： 3D NAND 深孔蝕刻