2nm soc 文章最新資訊

三星2nm工藝曝光：2025年可量產(chǎn)

在目前的芯片領(lǐng)域，三星和臺(tái)積電憑借著先進(jìn)的工藝，相互不分上下，而近期在三星的公開場(chǎng)合中，曝光了三星最新的工藝技術(shù)。官方宣稱，三星的3nm工藝上分為兩個(gè)版本，分別在2022和2023年量產(chǎn)，而對(duì)比于5nm，三星的3nm工藝能夠讓芯片面積縮小35%，相同單位功耗的情況下性能可提升30%，而功耗也將降低50%左右。而2nm的工藝還沒有出現(xiàn)在會(huì)中，但有消息稱2nm將會(huì)在2025年量產(chǎn)。
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芯翼信息科技完成近5億元B輪融資

近日，物聯(lián)網(wǎng)智能終端系統(tǒng)SoC芯片提供商芯翼信息科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱：芯翼信息科技或公司）完成近5億元B輪融資，資金主要用于加強(qiáng)芯片產(chǎn)品研發(fā)、完善生產(chǎn)制造供應(yīng)鏈、擴(kuò)充核心團(tuán)隊(duì)等。本輪投資由招銀國(guó)際、中金甲子聯(lián)合領(lǐng)投，招商局資本、寧水集團(tuán)、亞昌投資等跟投，另外老股東峰瑞資本、晨道資本、華睿資本等持續(xù)加注。芯翼信息科技成立于2017年，是一家專注于物聯(lián)網(wǎng)智能終端系統(tǒng)SoC芯片研發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品涵蓋通訊、主控計(jì)算、傳感器、電源管理、安全等專業(yè)領(lǐng)域。公司創(chuàng)始人及核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)自于美國(guó)博通、邁凌、瑞
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Silicon Labs在全球率先推出安全Sub-GHz片上系統(tǒng)，無(wú)線傳輸距離超過1英里，電池壽命超過10年

– Silicon Labs擴(kuò)展Series 2平臺(tái)，支持Amazon Sidewalk、mioty、無(wú)線M-Bus和Z-Wave
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英特爾推進(jìn)全新架構(gòu)，面向數(shù)據(jù)中心、HPC-AI和客戶端計(jì)算

　　英特爾推出兩大x86 CPU內(nèi)核、兩大數(shù)據(jù)中心SoC、兩款獨(dú)立GPU，以及變革性的客戶端多核性能混合架構(gòu)　　本文作者：Raja M.Koduri英特爾公司高級(jí)副總裁兼加速計(jì)算系統(tǒng)和圖形事業(yè)部總經(jīng)理　　架構(gòu)是硬件和軟件的“煉金術(shù)”。它融合特定計(jì)算引擎所需的先進(jìn)晶體管，通過領(lǐng)先的封裝技術(shù)將它們連接，集成高帶寬和低功耗緩存，在封裝中為混合計(jì)算集群配備高容量、高帶寬內(nèi)存和低時(shí)延、可擴(kuò)展互連，并確保所有軟件無(wú)縫地加速。披露面向新產(chǎn)品的架構(gòu)創(chuàng)新，是英特爾架構(gòu)師在每年架構(gòu)日上的期許，今年舉辦的第三屆英特爾架構(gòu)日令人
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基于逐次最鄰近插值的動(dòng)力電池電壓模擬方法*

動(dòng)力電池模擬系統(tǒng)是新能源汽車測(cè)試平臺(tái)等工業(yè)領(lǐng)域的重要裝備，而電池模型是該系統(tǒng)能否精確模擬電池特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。為兼顧數(shù)據(jù)容量和給定電壓的精確性，提出逐次最鄰近插值算法應(yīng)用于電池模型數(shù)據(jù)查表，該方法根據(jù)動(dòng)力電池在電池電荷狀態(tài)(State of Charge，SOC)初始段、平穩(wěn)段和末尾段的輸出特性，建立了三個(gè)不同分辨率的模型子表，并借鑒最鄰近插值算法的計(jì)算量小和容易實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)，采用對(duì)模型表逐次迭代分區(qū)，進(jìn)而逼近實(shí)際SOC和采樣電流對(duì)應(yīng)的電池模型給定電壓值，達(dá)到細(xì)化電池模型表分辨率效果。討論了迭代次數(shù)選擇對(duì)算法
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2nm工藝要上線？臺(tái)積電工廠環(huán)評(píng)被卡

芯研所消息，臺(tái)積電的2nm芯片工藝計(jì)劃上線，但是由于環(huán)評(píng)專案小組的初審，建廠計(jì)劃未能放行，還需要等8月31日之前補(bǔ)正后再審核。在全球先進(jìn)工藝量產(chǎn)上，臺(tái)積電一枝獨(dú)秀，5nm、3nm工藝已經(jīng)領(lǐng)先，再下一代工藝就是2nm了，會(huì)啟用全新GAA晶體管，技術(shù)升級(jí)很大，光是工廠建設(shè)就要200億美元。臺(tái)積電不過臺(tái)積電的2nm工廠建設(shè)計(jì)劃現(xiàn)在遇到了阻力。消息稱，新竹科學(xué)園區(qū)擬展開寶山用地第二期擴(kuò)建計(jì)劃，環(huán)保部門于25日下午召開環(huán)評(píng)專案小組第三次初審會(huì)議，水、電以及廢棄物清理等議題受到關(guān)注，專案小組歷經(jīng)逾三小時(shí)審議后，最終仍
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可穿戴設(shè)備SoC的動(dòng)向與Nordic解決方案

1? ?可穿戴設(shè)備SoC的動(dòng)向Nordic Semiconductor看到市場(chǎng)對(duì)公司無(wú)線藍(lán)牙5 (BLE) 系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)產(chǎn)品的需求激增，尤其是在可穿戴運(yùn)動(dòng)產(chǎn)品領(lǐng)域。隨著消費(fèi)者對(duì)于產(chǎn)品功能和電池使用壽命越來(lái)越挑剔，使用具有充足的處理能力的高功效SoC 變得越來(lái)越重要。此外，還有一種趨勢(shì)是增加更多的醫(yī)療級(jí)傳感器來(lái)測(cè)量血氧飽和度(SPO2)、血壓、心電圖(EKG)等，這對(duì)SoC 提出了更高的處理性能要求。具有超低功耗LTE-M 和NB-IoT 網(wǎng)絡(luò)的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)的推出，開始推動(dòng)可穿戴設(shè)
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輕松有趣地提高安全性：SoC組件協(xié)助人們保持健康

我們需要透過智慧的預(yù)防措施來(lái)恢復(fù)正常生活。當(dāng)人們必須估量并遵守1.5至2公尺的強(qiáng)制社交距離，很難想象購(gòu)物、學(xué)習(xí)或工作如何變得輕松起來(lái)。在忘記保持安全社交距離時(shí)略帶驚恐地跳開，這已經(jīng)見怪不怪。盡管存在著所有的預(yù)防措施，我們?nèi)砸M快恢復(fù)常態(tài)的生活：企業(yè)需要再次提高產(chǎn)量，商店迫切需要營(yíng)業(yè)，兒童和青少年需要上學(xué)，以及安排各項(xiàng)休閑活動(dòng)。但我們還缺乏一個(gè)有效、通用和能快速實(shí)施這個(gè)衛(wèi)生理念的方法。為此，政府發(fā)起了圍繞「距離/衛(wèi)生/日常戴口罩」的運(yùn)動(dòng)，目前該運(yùn)動(dòng)為遏制新的感染提供了行動(dòng)綱要，例如受惠于現(xiàn)代科技，企業(yè)和公共
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歐盟半導(dǎo)體“不再幼稚”：10年內(nèi)產(chǎn)能翻倍、搞定2nm工藝

半導(dǎo)體技術(shù)的重要性已經(jīng)無(wú)需多提，現(xiàn)在美國(guó)、中國(guó)、日本、韓國(guó)等國(guó)家和地區(qū)都在大力投資先進(jìn)半導(dǎo)體工藝，不希望自己被卡脖子，歐盟現(xiàn)在也清醒了，希望搞定2nm工藝。據(jù)報(bào)道，歐盟市場(chǎng)專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）日前在采訪中表示，歐盟需要恢復(fù)以前的市場(chǎng)份額，以滿足行業(yè)的需求。他還提到，多年來(lái)歐盟在半導(dǎo)體制造業(yè)中的份額下降了，因?yàn)樵摰貐^(qū)過于幼稚、過于相信全球化。歐盟委員會(huì)制定的計(jì)劃中，希望2030年將芯片產(chǎn)量翻倍，市場(chǎng)份額提升到20%，為此歐盟正在爭(zhēng)取歐洲地區(qū)先進(jìn)芯片制造商的支持，目前至少有22個(gè)
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里程碑！IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片

藍(lán)色巨人出手就是王炸?！　?月6日消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片?！　『诵闹笜?biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬(wàn)顆晶體管）為333.33，幾乎是臺(tái)積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺(tái)積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高?！　?nm晶圓近照　　換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管。　　同時(shí)，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗?！　　　?shí)際上，I
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臺(tái)積電最新進(jìn)展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世

全球最大的晶圓代工廠，擁有近500個(gè)客戶，這就是他們的獨(dú)特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務(wù)；另一方面，就容量和技術(shù)而言，他們必須領(lǐng)先于其他任何人；就產(chǎn)能而言，臺(tái)積電（TSMC）是不接受任何挑戰(zhàn)，而且未來(lái)幾年也不會(huì)臺(tái)積電今年300億美元的資本預(yù)算中，約有80％將用于擴(kuò)展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認(rèn)為，到今年年底，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上的大部分資金將用于將臺(tái)積電的N5產(chǎn)能擴(kuò)大，擴(kuò)大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個(gè)晶圓啟動(dòng)（WSP
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全球沖刺2nm，臺(tái)積電和中芯國(guó)際卻發(fā)展成熟工藝，這是為何？

前兩天，臺(tái)媒報(bào)道稱臺(tái)積電將投資187億人民幣在南京廠建置月產(chǎn)4萬(wàn)片的28nm產(chǎn)能，據(jù)悉，該計(jì)劃將于不久后正式啟動(dòng)，新產(chǎn)能預(yù)計(jì)在2022年下半年開始逐步產(chǎn)出，并于2023年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)4萬(wàn)片的目標(biāo)。當(dāng)臺(tái)積電傳來(lái)擴(kuò)增28nm產(chǎn)能的消息時(shí)，大部分人對(duì)此感到非常驚訝，在更多人眼中，臺(tái)積電作為全球工藝最先進(jìn)的芯片制造商，在全球都在沖刺2nm工藝的時(shí)候，它也應(yīng)該大力投資3nm、2nm，甚至是更加先進(jìn)的工藝，而卻不曾想臺(tái)積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實(shí)上，投資28nm工藝只是臺(tái)積電的計(jì)劃之一，而其從始至終
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臺(tái)積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段：升級(jí)GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率

做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠，臺(tái)積電在7nm、5nm節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先三星等對(duì)手，明年面還會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，接下來(lái)則是2nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃未來(lái)三年投資1000億美元，其中先進(jìn)工藝花費(fèi)的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺(tái)積電去年稱2nm工藝取得了重大進(jìn)展，進(jìn)度比預(yù)期的要好。實(shí)際上臺(tái)積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張，此前只是技術(shù)探索階段，尋找到了可行的技術(shù)路徑?，F(xiàn)在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段，重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了測(cè)試載具設(shè)計(jì)、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據(jù)臺(tái)積電的說(shuō)法，2nm工藝節(jié)點(diǎn)上，他們也會(huì)放棄FinFE
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臺(tái)積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢(shì)頭強(qiáng)勁

近期臺(tái)積電（TSMC）和蘋果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項(xiàng)突破?！　∧壳笆謾C(jī)開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預(yù)計(jì)將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點(diǎn)工藝制造，預(yù)計(jì)蘋果將在2021年占據(jù)臺(tái)積電80%的5nm產(chǎn)能。不過臺(tái)積電很快將向3nm工藝推進(jìn)，并且進(jìn)一步到2nm工藝，這都只是時(shí)間問題?！　　　?jù)Wccftech報(bào)道，為了更好地達(dá)成這些目標(biāo)，臺(tái)積電和蘋果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺(tái)積電和蘋果都為了同一個(gè)目標(biāo)而努力，不過受益者可能不只是蘋果，還有英特爾。臺(tái)
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加快早期設(shè)計(jì)探索和驗(yàn)證，縮短上市時(shí)間

芯片級(jí)驗(yàn)證的挑戰(zhàn)鑒于先進(jìn)工藝設(shè)計(jì)的規(guī)模和復(fù)雜性，而且各方為搶先將產(chǎn)品推向市場(chǎng)而不斷競(jìng)爭(zhēng)，片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)沒有時(shí)間等到所有芯片模塊都全部完成后才開始組裝芯片。因此，SoC 設(shè)計(jì)人員通常會(huì)在模塊開發(fā)的同時(shí)開始芯片集成工作，以便在設(shè)計(jì)周期的早期捕獲并糾正任何布線違規(guī)，從而幫助縮短至關(guān)重要的上市時(shí)間。錯(cuò)誤在早期階段更容易修復(fù)，而且對(duì)版圖沒有重大影響，設(shè) 計(jì)人員在此階段消除錯(cuò)誤，可以減少實(shí)現(xiàn)流片所需的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 迭代次數(shù)（圖 1）。但是，早期階段芯片級(jí)物理驗(yàn)證面臨許多挑戰(zhàn)
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