鎧俠 文章 最新資訊
手機性能升級,UFS 4.0的角色很關鍵
- 智能手機已經(jīng)成為我們不可或缺的AI設備,隨身運行的大模型,人工智能圖像與視頻識別,讓手機的易用程度又向上提升了一個臺階。特別是隨著驍龍8至尊版正式發(fā)布,新一輪的裝備升級勢在必行。更強的CPU、GPU和NPU給端側的AI性能帶來了更多可能,但也給存儲帶來全新的挑戰(zhàn),搭載AI的系統(tǒng)和本地大模型如何被高效的運用和讀取,在網(wǎng)絡信號不佳的前提下,存儲能否擔當起及時的AI響應,本地存儲空間是否足夠離線模型的存儲?這時候,UFS 4.0存儲方案自然而然擺上了臺面。UFS 4.0存儲其實早已在高性能手機中被廣泛使用,不像
- 關鍵字: 手機性能 UFS 4.0 鎧俠
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉,鎧俠(Kioxia)宣布其多項創(chuàng)新研究成果,將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(IEDM)上發(fā)表。聲明中稱,鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術:氧化物半導體通道晶體管DRAM(OCTRAM):該技術由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā),通過改進制造工藝,開發(fā)出一種垂直晶體管,提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗,使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM(磁阻隨機存取存儲器
- 關鍵字: 鎧俠 存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊
鎧俠發(fā)布EXCERIA PLUS G2移動固態(tài)硬盤系列
- 鎧俠株式會社,全球領先的存儲解決方案供應商,近日宣布推出EXCERIA PLUS G2移動固態(tài)硬盤系列。該系列是一款全新的外置存儲解決方案,計劃于近日(1) 上市。EXCERIA PLUS G2移動固態(tài)硬盤系列采用鎧俠的SSD技術和BiCS FLASH? 3D閃存,并采用緊湊、優(yōu)雅、便攜?(2) 的設計,特別適合需隨身攜帶數(shù)據(jù)的用戶。該移動固態(tài)硬盤系列小巧便攜,手掌大小即可存儲多達2TB的數(shù)據(jù),同時它還具有極高的抗震性,符合MIL-STD跌落試驗標準(3) 。與上一代EXCERIA PLUS移動
- 關鍵字: 鎧俠 移動固態(tài)硬盤
如何打造高性價比的數(shù)據(jù)中心?
- 隨著第六代至強數(shù)據(jù)中心處理器發(fā)布,給AI、數(shù)據(jù)分析、網(wǎng)絡、安全、存儲和HPC帶來新一輪的應用升級。作為針對可持續(xù)性設計的數(shù)據(jù)中心級處理器,提升效能和性價比成為應對當下數(shù)據(jù)和應用需求暴增需求的關鍵。存儲作為數(shù)據(jù)中心關鍵角色之一,同樣承擔起了推動效能與性價比的責任,那么在新一輪數(shù)據(jù)中心硬件升級的環(huán)境下,有效利用合理資源打造高性價比數(shù)據(jù)中心,就變得尤為重要了。分布式存儲打開思路在控制成本的選項中,分布式存儲系統(tǒng)是一個分布式存儲系統(tǒng)是一種可擴展的系統(tǒng)結構,利用多臺存儲服務器協(xié)同工作,實現(xiàn)負荷分擔,并提升了系統(tǒng)的可
- 關鍵字: 數(shù)據(jù)中心 英特爾 至強 鎧俠 企業(yè)固態(tài)硬盤
第八代BiCS FLASH厲害在哪里?
- 第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn),意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升,特別是2Tb QLC NAND是當下業(yè)界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制,鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構,實現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡,所開發(fā)的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)和3.6Gbps接口速度,給AI應用、數(shù)據(jù)中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
- 關鍵字: BiCS FLASH 閃存 flash 鎧俠
鎧俠產(chǎn)能滿載 傳7月量產(chǎn)最先進NAND Flash產(chǎn)品
- 《科創(chuàng)板日報》4日訊,鎧俠產(chǎn)線稼動率據(jù)悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產(chǎn)最先進存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品,借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)悉,鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲元件,和現(xiàn)行產(chǎn)品相比,存儲容量提高約50%,寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ)
- 關鍵字: 鎧俠 NAND Flash
鎧俠公布藍圖:2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
- 近日,據(jù)媒體報道,日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖,目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示,自2014年以來,3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長,從初期的24層迅速攀升至2022年的238層,短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度,預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年,據(jù)日本媒體今年4月報道,鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示,公司計劃于2030至2031
- 關鍵字: 鎧俠 3D NAND堆疊
AI算力升級,存儲將扮演什么角色?
- 近期AI計算平臺已經(jīng)迎來新一輪升級。從NVIDIA發(fā)布Rubin GPU,到Intel發(fā)布至強6,再到AMD的銳龍和EPYC處理器,無一不在強調AI加速的重要性。特別是在PC領域,Windows on ARM產(chǎn)品蓄勢待發(fā),基于x86的AI PC更是鎖定先進制程,將AI TOPS和應用范圍都拓寬到更廣大產(chǎn)品線中。AI時代的到來,勢必所有的AI PC、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算、終端應用所搭載的存儲器容量都呈現(xiàn)出倍數(shù)增長模式,DRAM、NAND Flash需求量大增,甚至推動新一輪的技術變革,HBM、CXL技術都是很
- 關鍵字: AI算力 存儲 鎧俠 Xinnor
鎧俠結束減產(chǎn)?兩座NAND工廠開工率提高至100%
- 據(jù)日經(jīng)新聞報道,鑒于市場正在復蘇,日本存儲芯片廠商鎧俠已結束持續(xù)20個月的減產(chǎn)行動,且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱,鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產(chǎn)線開工率提高至100%。而隨著業(yè)務好轉,債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元(34.3億美元)貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月,為應對需求低迷的市場環(huán)境,鎧俠發(fā)布聲明稱,將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn),將晶圓生產(chǎn)量減少約30%,并表示會繼續(xù)根據(jù)
- 關鍵字: 鎧俠 NAND
全球兩大存儲廠新消息!
- 近日,三星、鎧俠兩大存儲廠公布新消息:三星量產(chǎn)第9代V-NAND、鎧俠新一代UFS 4.0閃存芯片出樣。三星開始量產(chǎn)第9代V-NAND4月23日,三星電子宣布,其1Tb TLC第9代V-NAND已開始量產(chǎn),鞏固了其在NAND閃存市場的地位。據(jù)三星介紹,第9代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”,支持將數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提高33%,達到3.2Gbps。除了這個新接口外,三星還計劃通過擴大對PCIe 5.0的支持來鞏固其在高性能SSD市場的地位。憑借業(yè)界最小的單元尺寸和最薄的模組,
- 關鍵字: 三星 鎧俠 存儲
鎧俠出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片:連讀寫入速率提升 15%、封裝面積減小 18%
- IT之家 4 月 23 日消息,鎧俠今日宣布出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片,提供 256GB、512GB、1TB 容量可選,專為包括高端智能手機在內的下一代移動應用打造。256GB:THGJFMT1E45BATV,封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB:THGJFMT2E46BATV,封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB:THGJFMT3E86BATZ,封
- 關鍵字: 鎧俠 UFS 4.0 閃存芯片
3D NAND,1000層競爭加速
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后,NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
- 關鍵字: NAND Flash 存儲芯片 鎧俠
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