調(diào)制器文章進(jìn)入調(diào)制器技術(shù)社區(qū)

探索 Weaver 調(diào)制器在單邊帶調(diào)制中的工作原理

使用圖形表示來(lái)支持我們的數(shù)學(xué)分析，我們逐步介紹了 Weaver 調(diào)制器如何轉(zhuǎn)換信號(hào)頻率頻譜。與傳統(tǒng)的調(diào)幅（AM）相比，單邊帶（SSB）調(diào)制在帶寬和功率上都有顯著的節(jié)省。在本文系列中，我們討論了三種生成 SSB 信號(hào)的方法。按照介紹順序，這些方法是：濾波法。相位法。韋弗方法。上一篇文章解釋了使用單頻消息信號(hào)的基本原理的韋弗方法。正如我們所學(xué)的，韋弗調(diào)制器不需要濾波法中使用的銳帶通濾波器，也不需要相位法中的精確移相器，使其成為上述三個(gè)選項(xiàng)中最實(shí)用的一個(gè)。圖 1 顯示了韋弗調(diào)制器的電路圖。圖 1.
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韋弗法單邊帶信號(hào)產(chǎn)生方法簡(jiǎn)介

了解韋弗調(diào)制器，這是一種射頻電路，它通過去除對(duì)陡峭帶通濾波器或正交移相器的需求，改進(jìn)了舊式的單邊帶調(diào)制方法。單邊帶（SSB）調(diào)制是一種幅度調(diào)制（AM），它使用上邊帶或下邊帶來(lái)傳輸信息。與其他形式的幅度調(diào)制相比，SSB調(diào)制的主要優(yōu)勢(shì)是節(jié)省帶寬和功率。本系列的前幾篇文章討論了單邊帶信號(hào)生成的濾波法和移相法?，F(xiàn)在，我們將探討第三種選擇：韋弗調(diào)制器。“第三種方法”濾波法是最古老、最直接的單邊帶調(diào)制形式。然而，它需要具有極陡過渡區(qū)域的帶通濾波器。自1924年引入以來(lái)，移相法——消除了這一需求——被認(rèn)為顯著優(yōu)于前者。
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等離子體調(diào)制器可以打破無(wú)線太赫茲障礙

現(xiàn)代電信基礎(chǔ)設(shè)施依賴于廣泛的技術(shù)。但具有諷刺意味的是，其中一些技術(shù)無(wú)法輕松相互通信。例如，用于無(wú)線通信的電信號(hào)不能僅僅被推入構(gòu)成現(xiàn)代網(wǎng)絡(luò)主干的光纖基礎(chǔ)設(shè)施中。相反，它們必須首先轉(zhuǎn)換為 light （然后再次轉(zhuǎn)換回來(lái)）。這項(xiàng)重要任務(wù)由稱為電光（EO）調(diào)制器的網(wǎng)絡(luò)組件執(zhí)行?！澳銚碛械乃行畔⒍荚陔姎忸I(lǐng)域，但一旦它離開你的房子，它就會(huì)進(jìn)入光纖。因此，您需要能夠以極快的速度從電信號(hào)編碼到光學(xué)世界信號(hào)的組件。這就是調(diào)制器的用武之地，“瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院 ETH Zurich 信
關(guān)鍵字： 6G AI 數(shù)據(jù)中心等離子體調(diào)制器

借助集成高壓電阻隔離式放大器和調(diào)制器提高精度和性能

本應(yīng)用手冊(cè)介紹了用于高壓檢測(cè)的全新 AMC038x 器件系列，包括具有集成電阻分壓器的電隔離放大器和調(diào)制器，并重點(diǎn)介紹了其優(yōu)勢(shì)和常見用例。簡(jiǎn)介隨著高電壓汽車和工業(yè)設(shè)計(jì)的發(fā)展，人們對(duì)于精確、安全和高能效的電隔離電壓檢測(cè)設(shè)計(jì)的需求日益增長(zhǎng)。AMC038x 產(chǎn)品系列是一組隔離式放大器和調(diào)制器，具有更高精度、增強(qiáng)集成和更強(qiáng)功能，可滿足這些要求。與使用外部電阻分壓器的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比，這些器件采用集成高壓 (HV) 電阻，因此設(shè)計(jì)尺寸大大減小。要將電壓降至 1V 或 2V 電平，外部高壓電阻分壓器可能尺寸很大且成本高昂
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下一代隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何改進(jìn)系統(tǒng)級(jí)電流測(cè)量

本文首先介紹共模瞬變抗擾度(CMTI)詳細(xì)概念及其在系統(tǒng)中的重要性。我們將討論一個(gè)新的隔離式Σ-Δ調(diào)制器系列及其性能，以及它如何提高和增強(qiáng)系統(tǒng)電流測(cè)量精度，尤其是針對(duì)失調(diào)誤差和失調(diào)誤差漂移。最后介紹推薦的電路解決方案。隔離調(diào)制器廣泛用于需要高精度電流測(cè)量和電流隔離的電機(jī)/逆變器。隨著電機(jī)/逆變器系統(tǒng)向高集成度和高效率轉(zhuǎn)變，SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高開關(guān)頻率和更低發(fā)熱量的優(yōu)勢(shì)，而開始取代MOSFET和IGBT。然而，隔離器件需要具有高CMTI能力，另外還需要更高精度的電流測(cè)量。下一代隔離調(diào)
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詳解Σ-Δ型ADC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的基本原理

Σ-Δ型ADC是當(dāng)今信號(hào)采集和處理系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的工具箱中必不可少的基本器件。本文的目的是讓讀者對(duì)Σ-Δ型號(hào)ADC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)背后的根本原理有一個(gè)基本了解。本文探討了與ADC子系統(tǒng)設(shè)計(jì)相關(guān)的噪聲、帶寬、建立時(shí)間和所有其他關(guān)鍵參數(shù)之間的權(quán)衡分析示例，以便為精密數(shù)據(jù)采集電路設(shè)計(jì)人員提供背景信息。它通常包括兩個(gè)模塊：Σ-Δ調(diào)制器和數(shù)字信號(hào)處理模塊，后者通常是數(shù)字濾波器。Σ-Δ型ADC的簡(jiǎn)要框圖和主要概念如圖1所示。圖1. Σ-Δ型ADC的關(guān)鍵概念Σ-Δ調(diào)制器是一種過采樣架構(gòu)，因此，我們從奈奎斯特采樣理論和方案以及過采
關(guān)鍵字： ADC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 調(diào)制器數(shù)字信號(hào)

一種適用于大功率IGBT模塊串聯(lián)工作的新型驅(qū)動(dòng)電路

1引言隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,特別是IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET (Metallic oxide semiconductor field
關(guān)鍵字：大功率 IGBT模塊調(diào)制器驅(qū)動(dòng)電路 IGD515EI

方便工程師更靈活更方便設(shè)計(jì)電源的解決方案

方便工程師更靈活更方便設(shè)計(jì)電源的解決方案-　　隨著前沿的DSP、FPGA和CPU工作在越來(lái)越低的供電電壓、并消耗更大的電流，選擇PWM控制器變得并不那么容易了。低于1V的電壓變得非常普遍，而中間總線電壓基本保持不變，在有的具體應(yīng)用中甚至有所增加。
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低功率IQ調(diào)制器的基帶設(shè)計(jì)實(shí)例—電路精選（1）

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CW136構(gòu)成的低溫度系數(shù)精密電壓調(diào)制器電路

CW136構(gòu)成的低溫度系數(shù)精密電壓調(diào)制器電路圖中是用CW136構(gòu)成的低溫度系數(shù)精密電壓調(diào)制器電路，與LM317配合使用，可使輸出電壓的溫度系數(shù)大大降低。...
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高輸出電平射頻調(diào)制器電路

高輸出電平射頻調(diào)制器電路
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用單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器構(gòu)成的脈沖寬度調(diào)制器

用單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器構(gòu)成的脈沖寬度調(diào)制器
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音樂包絡(luò)生成器和調(diào)制器電路圖

音樂包絡(luò)生成器和調(diào)制器電路圖
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脈沖高度調(diào)制器電路

脈沖高度調(diào)制器電路
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調(diào)制器介紹

　　調(diào)制過程就是將低頻信號(hào)搬移到高頻段的過程。調(diào)制過程是用被傳送的低頻信號(hào)去控制高頻振蕩器，使高頻振蕩器輸出信號(hào)的參數(shù)（幅度、頻率和相位）隨低頻信號(hào)的變化而變化，從而實(shí)現(xiàn)將低頻信號(hào)搬移到高頻段9由高頻信號(hào)攜帶進(jìn)行傳播。調(diào)制過程在發(fā)信端，完成調(diào)制過程的裝置叫調(diào)制器。　　輸出頻率 48MHz~870MHz (Ch1~Ch56, Z1~Z43 頻道連續(xù)可調(diào))　　圖像載頻準(zhǔn)確度 ≤±5KHz [ 查看詳細(xì) ]