英飛凌文章進入英飛凌技術(shù)社區(qū)

英飛凌與Aqara綠米攜手推出搭載毫米波雷達的智能家居解決方案

人體存在感知是智能家居中極其重要的一項應(yīng)用技術(shù)，智能家居設(shè)備通過精準地感知人體存在和狀態(tài)，做出相應(yīng)的響應(yīng)或互動。但長期以來，人體傳感器卻普遍存在不夠精準、無法對靜態(tài)人體進行監(jiān)測等問題。針對這一問題，全球半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技（簡稱英飛凌）與全屋智能領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Aqara綠米合作，推出了一套具有高成本效益的、完整的智能家居人體存在解決方案，即Aqara人體存在傳感器FP1。該產(chǎn)品已在Aqara電商及線下Aqara Home智能家居體驗館正式上市。它搭載了英飛凌高度精準的XENSIV?毫
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仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題

這篇微信文章，其實構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇。2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。這篇微信文章，其實構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇：● 2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。特別提醒：仿真只是工具，仿真無法替代實驗，仿真只供參考。在展開
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采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計實例

變頻器在設(shè)計上不斷的推陳出新，為了提高功率密度并降低成本，工程師更是絞盡腦汁。IGBT（絕緣柵型雙極性晶體管）在變頻器里屬于關(guān)鍵器件，其選型和損耗直接關(guān)系散熱器的大小，也直接影響著系統(tǒng)的性能、成本和尺寸。本文從變頻器的應(yīng)用特點出發(fā)，結(jié)合第七代IGBT的低飽和壓降和最大運行結(jié)溫等特點，介紹了第七代IGBT如何助力變頻器應(yīng)用。本文通過分析變頻器的損耗組成，并通過熱仿真對比第四代IGBT和第七代IGBT的性能，最后通過實驗來驗證結(jié)論。相同工況下IGBT7損耗和結(jié)溫明顯低于IGBT4，這樣可以減小變頻器的體積或是
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究

米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應(yīng)，硬開關(guān)逆變器通常采用負柵極電壓關(guān)斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當?shù)臇艠O電壓是設(shè)計所有柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設(shè)計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設(shè)計人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅(qū)動電路。為此，本文介紹了
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如何正確理解SiC MOSFET的靜態(tài)和動態(tài)特性

CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實現(xiàn)高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態(tài)和動態(tài)性能以及關(guān)鍵影響參數(shù)，以實現(xiàn)他們的設(shè)計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關(guān)于這方面的見解。溫度對CoolSiC? MOSFET導(dǎo)通特性的影響MOSFET靜態(tài)輸出特性的關(guān)鍵參數(shù)是漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(on)。我們定義了CoolSiC? MOSFET不同溫度下的輸出特性曲線，如圖1左側(cè)所述。閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理，隨著溫度的
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英飛凌OPTIGA? Trust M Express安全芯片與CIRRENT? Cloud ID服務(wù)珠聯(lián)璧合，輕松安全地將物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備大規(guī)模接入云端

在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中，信任機制是設(shè)備與云服務(wù)之間進行各種交互的基石。因此，必須為每臺設(shè)備提供唯一的可信身份標識，以便在設(shè)備連接入網(wǎng)時進行安全身份認證。與此同時，為成千上萬臺設(shè)備提供安全ID，對OEM廠商來說是一個不小的挑戰(zhàn)。為了幫助OEM廠商應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將OPTIGA? Trust M Express安全芯片與CIRRENT? Cloud ID服務(wù)相結(jié)合，推出了一款高端安全解決方案，為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備大規(guī)模接入云端提供硬件信任錨。 &
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H

過去幾年，實際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。引言過去幾年，實際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。經(jīng)過不斷研究和持續(xù)優(yōu)化，現(xiàn)在，全新推出的CoolSiC? MO
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英飛凌推出高分辨率車用3D影像傳感器

3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智慧座艙，支持新服務(wù)的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評級要求，以及實現(xiàn)自動駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技（Infineon）與專注于3D ToF（飛時測距）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3影像傳感器，該傳感器符合ISO 26262標準，具有更高的分辨率。英飛凌3D感測業(yè)務(wù)副總裁Christian Herzum表示，在針對行動消費終端的3D傳感器領(lǐng)域，英飛凌一直處
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英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動芯片的三個優(yōu)勢

現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動器承載更大的負載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓（S1通S2關(guān)時）變化到低于地的負壓（S1關(guān)閉時）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負電壓。電平轉(zhuǎn)移高壓驅(qū)動芯片有兩個主要組成部分：1 電平轉(zhuǎn)移電路，其作用是把以COM腳為參考的輸入邏輯信號轉(zhuǎn)換成以VS腳為參考的輸出驅(qū)動信號。2 自舉二極管，對浮地端的供電電容進行充電。對于這兩部分電路，英飛凌的SOI驅(qū)動芯
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英飛凌推出AIROC? CYW20820藍牙?和低功耗藍牙?片上系統(tǒng)，實現(xiàn)靈活、低功耗及高性能的連接

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將推出AIROC? CYW20820藍牙? 和低功耗藍牙?片上系統(tǒng)（SoC），進一步壯大其AIROC藍牙系列的產(chǎn)品陣容。AIROC CYW20820 藍牙和低功耗藍牙片上系統(tǒng)，專為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而設(shè)計，符合藍牙5.2核心規(guī)范。它可支持家居自動化以及傳感器的豐富應(yīng)用場景，包括醫(yī)療、家居、安防、工業(yè)、照明、藍牙Mesh網(wǎng)絡(luò)以及其他需要采用低功耗藍牙或雙模藍牙連接的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。 AIROC? CYW20820 A
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英飛凌140W(28V/5A) USB-PD3.1 高功率密度方案

隨著市場對筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對28V輸出，推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長期以來的100W功率限制，最高功率可達到140W，進一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設(shè)備供電。英飛凌USB-PD 3.1 EPR的140W高功率密度解決方案● 采用混合反激（HFB）拓撲,支持5-28V寬壓輸出● 可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿足不同的產(chǎn)品定位需求● 相比傳統(tǒng)QR,ACF
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功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時的損耗

IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏得時間，驅(qū)動保護電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費的器
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PIM模塊中整流橋的損耗計算

在通用變頻器或伺服驅(qū)動器的設(shè)計中，經(jīng)常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據(jù)后面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由于其多數(shù)都是連接電網(wǎng)工作于工頻50或60Hz工況，芯片結(jié)溫波動很小，因此其通常不會是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸，所以一般在器件選型時也不會特意去計算或仿真PIM模塊中整流橋部分的損耗。但有些客戶的機型要滿足一些特殊工況，或需要考慮模塊的整體損耗來做系統(tǒng)的熱設(shè)計，這時就需要計算整流橋的損耗。而目
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響

在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文所述，主要以英飛凌工業(yè)1200V SiC MOSFET的M1H系列產(chǎn)品與應(yīng)用為參考，其他不同電壓等級或不同廠家的SiC產(chǎn)品，不盡相同。在SiC產(chǎn)品的規(guī)格書中，都會有SiC Vgs電壓范圍和推薦電壓區(qū)間(如圖1所示)，以供大家在實際應(yīng)用中參考。但是推薦非強制，
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絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列

在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，本文會繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動芯片技術(shù)。高壓柵極驅(qū)動IC的技術(shù)經(jīng)過長期的發(fā)展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡稱SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對于傳統(tǒng)的導(dǎo)電型的硅襯底，它有三層結(jié)構(gòu)，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機械支撐，第二層是薄的二氧化硅層，二氧化硅是一種絕緣體，從而形成一層絕緣結(jié)構(gòu)，第三層是薄的單晶硅頂層，在這一層進行電路的刻蝕，形成驅(qū)動IC的工作層。圖１.絕緣
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英飛凌介紹

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業(yè)額達71.9億歐元，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。作為國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業(yè)電子、內(nèi)存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導(dǎo)體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [ 查看詳細 ]