碳化硅文章進(jìn)入碳化硅技術(shù)社區(qū)

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析-SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。
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英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號(hào)

　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。c科技股份公司開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì)上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺(tái)和拓?fù)洹Ｈ缃?，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?！　∮w凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達(dá)到轉(zhuǎn)折點(diǎn)，考慮到成本效益，它
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英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號(hào)

　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì)上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺(tái)和拓?fù)?。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力。　　英飛凌工業(yè)功率控
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三菱電機(jī)攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

　　三菱電機(jī)于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì))展會(huì)中，以十款新型功率器件強(qiáng)勢登場，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機(jī)展位號(hào)：E06)?！　∪怆姍C(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。　　變頻家電市場　　在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機(jī)展出
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碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

功率因數(shù)校正（PFC）市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定，能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費(fèi)類產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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氮化鎵/碳化硅技術(shù)真的能主導(dǎo)我們的生活方式？

伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。
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中國成功研制國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片年產(chǎn)7萬片

　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團(tuán)隊(duì)花了10多年時(shí)間，在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。　　不久前，中國科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱天科合達(dá))合作，解決了6英寸擴(kuò)徑技術(shù)和晶片加工技術(shù)，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團(tuán)隊(duì)花了10多年時(shí)間，在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。　　第三代半導(dǎo)體材料　　研究人員告訴記者，上世紀(jì)
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首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)

　　5月29日，國內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn)，并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品，成為國內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。　　據(jù)悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體儀器大禁帶寬度、高臨界場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。　　瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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三菱電機(jī)攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014

　　三菱電機(jī)今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題，攜帶六款全新產(chǎn)品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相?！　〗衲暾钩龅漠a(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域，包括：工業(yè)應(yīng)用、變頻家電應(yīng)用、可再生能源應(yīng)用、鐵路牽引和電力應(yīng)用、電動(dòng)汽車應(yīng)用以及碳化硅器件應(yīng)用?！　≡谛庐a(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應(yīng)用在工業(yè)驅(qū)動(dòng)和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級(jí);提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
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東芝擴(kuò)充碳化硅肖特基勢壘二極管系列

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布將擴(kuò)充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列，為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。
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Mouser推出Cree的1200V高頻碳化硅半電橋模塊

Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個(gè)半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
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Microsemi推出新型SiC肖特基二極管

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車輛充電、石油勘探。
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天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)

　　記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進(jìn)1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國首家、全球第五家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷售的高科技企業(yè)。　
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科銳推出低基面位錯(cuò)4H碳化硅外延片

LED 領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(cuò)(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯(cuò)材料的外延漂移層的總基面位錯(cuò)密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯(cuò)容量小于0.1 cm-2。
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科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

　科銳材料產(chǎn)品經(jīng)理 Vijay Balakrishna博士表示：“科銳擁有在碳化硅領(lǐng)域100毫米外延片的強(qiáng)大量產(chǎn)能力。最新的150毫米技術(shù)將進(jìn)一步提升碳化硅晶圓片的標(biāo)準(zhǔn)?？其J的垂直整合能力確保能夠?yàn)榭蛻籼峁┽槍Ω咂焚|(zhì)150毫米碳化硅外延片的完整解決方案，并為電力電子市場的領(lǐng)先企業(yè)提供穩(wěn)定的供貨保障。
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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細(xì) ]