碳化硅文章最新資訊

“新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí)，全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“

隨著物聯(lián)網(wǎng)，大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)，對(duì)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體開(kāi)始逐漸受到市場(chǎng)的重視，國(guó)際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開(kāi)始，正在逐漸進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代。碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。已在智能電網(wǎng)，軌道交通，新能源，開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域得到了應(yīng)用，展現(xiàn)出了優(yōu)良的性質(zhì)和廣闊的
關(guān)鍵字：碳化硅，半導(dǎo)體

安森美全面布局碳化硅市場(chǎng)：汽車(chē)、新能源、5G

目前，碳化硅市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)中，根據(jù)各大咨詢(xún)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽(yáng)能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域都擁有非常廣闊的市場(chǎng)。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅可提供高場(chǎng)強(qiáng)、高能隙，以及高電子移動(dòng)速度和熱導(dǎo)率，讓下一代半導(dǎo)體器件的性能得到革命性提升。
關(guān)鍵字：安森美 SiC 碳化硅

減少開(kāi)關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類(lèi)型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開(kāi)關(guān)性能，并將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器和新能源汽車(chē)充電站中的節(jié)能使用。通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對(duì)于必須提供不間斷電源的高性能應(yīng)
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英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應(yīng)用分析

2020年2月，碳化硅的領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來(lái)了高性能和高功效。它是如何定義性能和應(yīng)用場(chǎng)景的？下一步產(chǎn)品計(jì)劃如何？碳化硅業(yè)的難點(diǎn)在哪里？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體視頻采訪(fǎng)了英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū) 開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源據(jù)悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
關(guān)鍵字： MOSEFT 碳化硅 SMD

碳化硅發(fā)展勢(shì)頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢(shì)，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機(jī)會(huì)，電子產(chǎn)品世界訪(fǎng)問(wèn)了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)模式
關(guān)鍵字： 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET

GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體簽署生產(chǎn)和供應(yīng)碳化硅材料的協(xié)議

GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor），宣布執(zhí)行一項(xiàng)為期五年的協(xié)議，總價(jià)值可達(dá)5,000萬(wàn)美元。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長(zhǎng)市場(chǎng)和應(yīng)用。
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碳化硅（SiC）功率器件或在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域一決勝負(fù)

電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢(shì)非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因?yàn)槿绱?，已?jīng)有越來(lái)越多的半導(dǎo)體企業(yè)開(kāi)始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
關(guān)鍵字：碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車(chē)

羅姆子公司SiCrystal和意法半導(dǎo)體宣布簽署碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

近日，羅姆和橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;)宣布，意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場(chǎng)占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定， SiCrystal將向意法半導(dǎo)體提供總價(jià)超過(guò)1.2億美元的先進(jìn)的150mm碳化硅晶片，滿(mǎn)足時(shí)下市場(chǎng)對(duì)碳化硅功率器件日益增長(zhǎng)的需求。意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“該SiC襯底長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)
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環(huán)球晶圓：硅晶圓明年回溫

半導(dǎo)體硅晶圓大廠(chǎng)環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭日前表示，明年半導(dǎo)體景氣仍受貿(mào)易摩擦、總體經(jīng)濟(jì)及匯率三大變數(shù)干擾，但從客戶(hù)端庫(kù)存改善、拉貨動(dòng)能加溫，以及應(yīng)用擴(kuò)大等來(lái)看，硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底，明年上半年整體景氣動(dòng)能升溫速度優(yōu)于預(yù)期，她預(yù)估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增，往后將會(huì)逐季成長(zhǎng)。
關(guān)鍵字：環(huán)球晶圓硅晶圓碳化硅

Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長(zhǎng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間

近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，幫助高壓/大功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)者將電源效率提升4%，優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品；功耗和碳排放減少30%。驅(qū)動(dòng)器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)電源，典型應(yīng)用包括太陽(yáng)能電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農(nóng)場(chǎng)及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開(kāi)關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來(lái)提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開(kāi)關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會(huì)產(chǎn)生較大噪聲，影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
關(guān)鍵字：碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器

意法半導(dǎo)體完成對(duì)碳化硅晶圓廠(chǎng)商N(yùn)orstel AB的并購(gòu)

近日，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）于12月2日宣布，完成對(duì)瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商N(yùn)orstel AB（“ Norstel”）的整體收購(gòu)。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導(dǎo)體行使期權(quán)，收購(gòu)了剩余的45％股份。Norstel并購(gòu)案總價(jià)為1.375億美元，由現(xiàn)金支付。
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體碳化硅 Norstel AB

科銳與ABB在汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域展開(kāi)SiC合作

全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳與ABB電網(wǎng)事業(yè)部宣布達(dá)成合作，共同擴(kuò)展SiC在快速增長(zhǎng)大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的采用。協(xié)議內(nèi)容包括在A(yíng)BB種類(lèi)齊全的產(chǎn)品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導(dǎo)體，這將助力科銳擴(kuò)大客戶(hù)基礎(chǔ)，同時(shí)加快ABB進(jìn)入正在快速擴(kuò)大的電動(dòng)汽車(chē)（EV）市場(chǎng)。
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北京經(jīng)開(kāi)區(qū)第三代半導(dǎo)體現(xiàn)新突破

一輛新能源汽車(chē)、一組高能效服務(wù)器電源，核心功能的實(shí)現(xiàn)都離不開(kāi)電力電子系統(tǒng)中半導(dǎo)體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點(diǎn)，國(guó)際上都在競(jìng)相研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體制備技術(shù)。近日，記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“世紀(jì)金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn)，研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體碳化硅世紀(jì)金光

國(guó)際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點(diǎn)火試驗(yàn)成功

近日，隨金牛座納星運(yùn)行了37天的碳化硅MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）微推力器陣列芯片接受地面點(diǎn)火指令成功點(diǎn)火，在軌驗(yàn)證了對(duì)金牛座納星的姿態(tài)控制技術(shù)。?
關(guān)鍵字： MEMS 碳化硅微推力器陣列

第三代半導(dǎo)體將催生萬(wàn)億元市場(chǎng)

　　日前，第三屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳舉行。與會(huì)專(zhuān)家學(xué)者認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體未來(lái)應(yīng)用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導(dǎo)體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口?！　?018年，美國(guó)、歐盟等持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)支持力度，國(guó)際廠(chǎng)商積極、務(wù)實(shí)推進(jìn)，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應(yīng)用逐漸廣泛。受益于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)宏觀(guān)政策利好、資本市場(chǎng)追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等積極因素，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是，在材料指標(biāo)、器件性能等方
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體碳化硅

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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡(jiǎn)單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛(ài)德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細(xì) ]