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碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性

  • 在數(shù)字化、城市化和電動(dòng)汽車等大趨勢(shì)的推動(dòng)下，電力消耗日益增加。與此同時(shí)，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當(dāng)下全球發(fā)展大勢(shì)并滿足相關(guān)市場(chǎng)需求，英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動(dòng)汽車快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電
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東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率

  • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。與使用當(dāng)前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導(dǎo)通電阻下降約42%。對(duì)新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進(jìn)實(shí)現(xiàn)源漏導(dǎo)通電阻和兩項(xiàng)電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開關(guān)
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恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用

  • 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導(dǎo)體模塊在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用。此次合作項(xiàng)目為動(dòng)力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進(jìn)的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅(qū)動(dòng)器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產(chǎn)品重要性電動(dòng)汽車廠商采用SiC MOSFET動(dòng)力器件，可比采用傳統(tǒng)硅IGBT獲得更高的續(xù)航里程，提高系統(tǒng)整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

  • 半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達(dá)8V，非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對(duì)該課題，RO
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如何為開關(guān)電源選擇合適的MOSFET？

  • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。圖1：降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖。DC/DC開關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時(shí)擁有一個(gè)高側(cè)FET和低側(cè)FET的降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個(gè)FET會(huì)根據(jù)控制器設(shè)置的占空比進(jìn)行開關(guān)操作，旨在達(dá)到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方
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Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復(fù)時(shí)間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級(jí)仿真，并在原型設(shè)計(jì)前對(duì)電熱及EMC性能進(jìn)行評(píng)估。模型還有助于節(jié)省時(shí)間和資源，工程師此
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：快充測(cè)試

  • 一、測(cè)試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測(cè)試板2、電壓源3、示波器4、負(fù)載儀二、測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號(hào)2、DCDC 在線測(cè)試1）空載測(cè)試驅(qū)動(dòng)空載輸出12V，gs驅(qū)動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號(hào)2）加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負(fù)載，溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對(duì)應(yīng)設(shè)備
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：射頻熱凝控制儀測(cè)試

  • 測(cè)試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載，可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載，測(cè)試電源的帶載能力非常好用。③信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào)，用于MOS管的驅(qū)動(dòng)④示波器觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形⑤萬用表測(cè)量各測(cè)試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測(cè)量帶載后MOS管的溫度測(cè)試拓?fù)鋵⒄f明書中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

  • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評(píng)估板，有幸參與評(píng)估板的測(cè)試。拿到評(píng)估板的第一感覺就是扎實(shí)，評(píng)估板四層PCB的板子厚度達(dá)到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標(biāo)識(shí)。
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

  • 本文將對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹。
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碳化硅MOSFET晶體管的特征

  • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
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SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

  • 本文對(duì)二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進(jìn)行說明。
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SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

  • 反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
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SiC肖特基勢(shì)壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

  • 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。
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SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

  • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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