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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

第4代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

  • 簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準。市場上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù) (FOM)，如導(dǎo)通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一種更為廣泛
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英飛凌達成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

  • 英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運營官我們正在按計劃實施SiC產(chǎn)品
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詳談碳化硅蝕刻工藝——干法蝕刻

  • 碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，現(xiàn)分述如下:干法蝕刻概述碳化硅反應(yīng)離子蝕刻碳化硅反應(yīng)離子蝕刻案例ICP的應(yīng)用與優(yōu)化1、干法蝕刻概述干法蝕刻的重要性精確控制線寬：當器件尺寸進入亞微米級（<1μm）時，等離子體蝕刻因其相對各向異性的特性，能夠精確地控制線寬，成為SiC蝕刻的首選方法?；瘜W(xué)穩(wěn)定性挑戰(zhàn)：SiC的化學(xué)穩(wěn)定性極高（Si-C鍵合強度大），使得濕法蝕刻變得困難。濕法
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第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  • 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
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低壓電源MOSFET設(shè)計

  • 低壓功率MOSFET設(shè)計用于以排水源電壓運行，通常低于100 V，但具有與高壓設(shè)計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應(yīng)用，即使電源電壓很低。關(guān)鍵功能包括以下內(nèi)容：　　低抗性（RDS（ON））以減少傳導(dǎo)過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設(shè)備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關(guān)重要，因為低RD（ON）意味著在傳導(dǎo)過程中降低電阻損失高開關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應(yīng)用中至關(guān)重要。由于其先進的結(jié)構(gòu)和材料，低壓MOSFE
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設(shè)計高壓SIC的電池斷開開關(guān)

  • DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲能系統(tǒng)（ESS）提供動力，可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和彈性。在設(shè)計高壓固態(tài)電池斷開連接開關(guān)時，需要考慮一些基本的設(shè)計決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)，設(shè)備類型，熱包裝，設(shè)備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開開關(guān)定義了半導(dǎo)體包裝，以及表征系統(tǒng)寄生電感和過度流動保護限制的重要性?！　拵О雽?dǎo)體技術(shù)的優(yōu)勢需要仔細考慮以選擇的半導(dǎo)體材料以實現(xiàn)具有的狀態(tài)阻力，的離狀態(tài)泄漏電流，
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碳化硅大風，吹至半導(dǎo)體設(shè)備

  • 2025年以來，碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來關(guān)鍵發(fā)展節(jié)點，正式步入8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨之后，碳化硅設(shè)備領(lǐng)域又傳動態(tài)：中導(dǎo)光電拿下SiC頭部客戶重復(fù)訂單。 近日，中導(dǎo)光電的納米級晶圓缺陷檢測設(shè)備NanoPro-150獲得國內(nèi)又一SiC頭部客戶的重復(fù)訂單，該設(shè)備用于SiC前道工藝過程缺陷檢測。此外，1月初，該設(shè)備產(chǎn)品還成功贏得了國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)頭部企業(yè)的重復(fù)訂單。 中導(dǎo)光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領(lǐng)域投入更多的研發(fā)資源，通過高精度多
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如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器

  • 在工業(yè)電子設(shè)備中，過壓保護是確保設(shè)備可靠運行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流?？煽康墓I(yè)電子設(shè)備通常配備保護電路，以防止電源線路出現(xiàn)過壓，從而保護電子設(shè)備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負載快速變化時發(fā)生，線路中的寄生電感可能導(dǎo)致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖
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瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應(yīng)用提供理想的大電流開關(guān)性能?；谶@一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源（UPS）等多個領(lǐng)域。瑞薩開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻（MOSFET導(dǎo)通時漏極與源極之間的電阻）
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牛人居然把功率MOS剖析成這樣，很難得的資料！

  • 功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極加
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基于SiC的高電壓電池斷開開關(guān)的設(shè)計注意事項

  • 得益于固態(tài)電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計高電壓固態(tài)電池斷開開關(guān)時，需要考慮幾項基本的設(shè)計決策。其中關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應(yīng)能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池斷開開關(guān)的半導(dǎo)體封裝時的一些設(shè)計注意事項，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過流保護限值的重要性。寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的優(yōu)勢在選擇最佳半導(dǎo)體材料時，應(yīng)考慮多項特性。目標是打造兼具最
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英飛凌碳化硅：“碳” 尋綠色能源之路的創(chuàng)新引擎

  • 英飛凌1992年開始碳化硅技術(shù)研發(fā)，是第一批研發(fā)碳化硅的半導(dǎo)體公司之一。2001年推出世界上第一個商用碳化硅二極管，此后生產(chǎn)線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術(shù)，2024年推出了集成.XT技術(shù)的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續(xù)32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創(chuàng)新，持續(xù)引領(lǐng)碳化硅技術(shù)發(fā)展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發(fā)布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產(chǎn)品及技術(shù)方面的進展及其在工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的應(yīng)用和
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為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？

  • 如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統(tǒng)需要更低的系統(tǒng)總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數(shù)據(jù)中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW，增加到現(xiàn)在的20 kW、30 kW 或更高。圖1：數(shù)據(jù)中心供電：從電網(wǎng)到GPU電源供應(yīng)器(PSU)還必須滿足數(shù)據(jù)中心行業(yè)的特定需求。人工智能數(shù)據(jù)中心的PSU應(yīng)滿足嚴格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規(guī)范，要求30%到100
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30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

  • 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲能等其他應(yīng)用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  零碳技術(shù)  英飛凌  

英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

  • 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲能等其他應(yīng)用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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