碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V,重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率
- 隨著人工智能(AI)處理器對功率的要求日益提高,服務(wù)器電源(PSU)必須在不超出服務(wù)器機(jī)架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率,這主要是因?yàn)楦呒塆PU的能源需求激增。到本十年末,每顆高級GPU芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn),促使英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?,F(xiàn)在,英飛凌基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代(G2)CoolSiCTM技術(shù),推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600V CoolMOS S7TA MOSFET
- 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車功率管理應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7TA超級結(jié)MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設(shè)計(jì),其集成溫度傳感器在工業(yè)應(yīng)用同類產(chǎn)品(CoolMOS? S7T)取得的進(jìn)步基礎(chǔ)上,顯著提高了結(jié)溫傳感的精度,因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車領(lǐng)域至關(guān)重要的優(yōu)勢。與同系列中的工業(yè)級產(chǎn)品一樣,車規(guī)級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態(tài)繼電器(SSR)應(yīng)用。它具有出色的RDS(on)?
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2023年SiC功率元件營收排名,ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一

- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應(yīng)用的驅(qū)動下保持強(qiáng)勁成長,前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營收91.9%,其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先,onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢分析,2024年來自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著大增,然而,純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應(yīng)鏈,預(yù)計(jì)2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。作為關(guān)鍵的車用SiC MOSFE
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碳化硅的新爆發(fā)
- 隨著全球?qū)τ陔妱悠嚱蛹{程度的逐步提升,碳化硅(SiC)在未來十年將會迎來全新的增長契機(jī)。預(yù)計(jì)將來,功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商與汽車行業(yè)的運(yùn)作方會更踴躍地參與到這一領(lǐng)域的價(jià)值鏈建設(shè)里。SiC 作為第三代半導(dǎo)體以其優(yōu)越的性能,在今年再次掀起風(fēng)潮。6 英寸到 8 英寸的過渡推動由于截至 2024 年開放 SiC 晶圓市場缺乏批量出貨,因此 8 英寸 SiC 平臺被認(rèn)為具有戰(zhàn)略性意義。SiC 具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度和高遷移率等特點(diǎn),是良好的半導(dǎo)體材料,目前已經(jīng)在汽車電子、工業(yè)半導(dǎo)體等領(lǐng)域有
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純電車需求放緩 SiC功率組件業(yè)年?duì)I收動能降溫
- 在純電動汽車應(yīng)用的驅(qū)動下,根據(jù)TrendForce研究顯示,2023年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)保持強(qiáng)勁成長,但2024年純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩與工業(yè)需求走弱,預(yù)估今年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。根據(jù)TrendForce研究顯示,2023年全球前5大SiC功率組件供貨商約占整體營收91.9%,其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先,onsemi則是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示,作為關(guān)鍵的車用SiC MOSFET供貨商,ST正在意大利卡塔尼亞打
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GaN“上車”進(jìn)程加速,車用功率器件市場格局將改寫
- 根據(jù)Yole機(jī)構(gòu)2024 Q1的預(yù)測,氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體器件市場2023至2029年平均復(fù)合年增長 (CAGR) 將高于45%,其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場(automotive & mobility),“從無到有”,五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應(yīng)用市場(圖1)。而相比之下,碳化硅(SiC)應(yīng)用市場成長則顯得比較溫和,CAGR遠(yuǎn)低于GaN(圖1)。隨著GaN“上車”進(jìn)程加速,功率器件器件市場競爭格局或?qū)⒈桓膶?。圖1:在GaN市場份額變化中,汽車與出行市場 “從無到有”,五年后
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安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn),供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體
- ●? ?安森美 (onsemi) 將實(shí)施高達(dá) 20 億美元的多年投資計(jì)劃,鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進(jìn)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當(dāng)?shù)貛硐冗M(jìn)的封裝能力,使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導(dǎo)體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵(lì)方案,以支持投資計(jì)劃落實(shí)●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項(xiàng)目之一,屬于對中歐先進(jìn)半導(dǎo)
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用
- 作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
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新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率
- 英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合,在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件,并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括電動助力轉(zhuǎn)向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒,以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動汽車(LEV)、電動二輪車、電動踏板車、電動摩
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使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為,那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后,我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
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低導(dǎo)通電阻SiC器件在大電流高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性
- 眾所周知,SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料,因其高擊穿場強(qiáng)、寬禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應(yīng)用中使用,可有效突破傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關(guān)器件是SiC MOSFET,與傳統(tǒng)Si IGBT相比,SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開關(guān)的特點(diǎn)可以在大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標(biāo),從而推動電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應(yīng)用范圍示意圖1圖2: 典型應(yīng)用場景對應(yīng)的功率等級2從技術(shù)上講,
- 關(guān)鍵字: 低導(dǎo)通電阻 SiC 大電流 高功率
SiC 功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量
- 汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。但是,雖然基于溝槽的架構(gòu)可以降低導(dǎo)通電阻并提高載流子遷移率,但它們也帶來了更高的復(fù)雜性。對于 SiC 功率器件制造商來說,準(zhǔn)確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當(dāng)重要的,特別是在面臨不斷增加的制造復(fù)雜性時(shí)。今天我們分享一下來自O(shè)nto Innovation 應(yīng)用開發(fā)總監(jiān)Nick Keller的文章,來重點(diǎn)介紹下SiC 功率器
- 關(guān)鍵字: SiC 功率器件 溝槽結(jié)構(gòu)測量
設(shè)計(jì)基于SiC的電動汽車直流快速充電機(jī)
- 電動汽車(EV)直流快速充電機(jī)繞過安裝在電動汽車上的車載充電機(jī),直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示,直流快速充電機(jī)由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成:圖 1. 直流快速充電機(jī)由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時(shí)最大限度縮短充電時(shí)間是直流快速充電機(jī)的主要關(guān)注點(diǎn)。在設(shè)計(jì)此類系統(tǒng)時(shí),必須考慮器件選型、電壓范圍和負(fù)載要求、運(yùn)行成本、溫度、堅(jiān)固性和環(huán)境保護(hù),以及可靠性。相比傳統(tǒng)硅(Si)和 IGBT 器件,基于碳化硅(SiC)的器件由于具有工作溫度更高、導(dǎo)通損耗更小、漏電流
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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),您知道嗎?
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升,本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧。寄生導(dǎo)通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC,因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET RSP
解決補(bǔ)能焦慮,安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布
- 800V車型刷屏,高壓SiC車載應(yīng)用加速普及。實(shí)際上,近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構(gòu)車型的量產(chǎn),多款20-25萬元價(jià)格段的標(biāo)配SiC車型上市。2024年,隨著車企卷價(jià)格卷性能戰(zhàn)略推進(jìn),將進(jìn)一步拉動SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺風(fēng)口◆ 800V架構(gòu)成為電動汽車主流電動化進(jìn)程持續(xù)推進(jìn),安森美(onsemi)電源方案事業(yè)部汽車主驅(qū)方案部門產(chǎn)品總監(jiān)Jonathan Liao指出預(yù)計(jì)到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費(fèi)者角度看購買電動車的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性
- 關(guān)鍵字: SiC 逆變器 功率模塊
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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