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碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領域擴展產品線

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關功能。新
  • 關鍵字： Transphorm  高功率服務器  工業(yè)電力轉換  氮化鎵場效應晶體管  碳化硅  SiC  

英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 達成協(xié)議

  • 據英飛凌官網消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 正式達成協(xié)議。據悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質量150mm SiC晶圓，支持SiC半導體的生產。在后續(xù)階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對于英飛凌來說，供應鏈彈性意味著實施多供應商戰(zhàn)略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng)造新的增長機會并推
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  SK Siltron CSS  晶圓  

安森美：緊握第三代半導體市場，助力產業(yè) 轉型與可持續(xù)發(fā)展

  • 1 轉型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉型，在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預期。 其中，第一季度由先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第 二季度汽車業(yè)務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領域在第三代半導體領域，安森美專注于 SiC，重點聚 焦于汽車、能源、電網基礎設施等應
  • 關鍵字： 安森美  第三代半導體  碳化硅  SiC  

SiC 長期供貨，理想簽協(xié)議

  • 意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議。
  • 關鍵字： SiC  

如何增強系統(tǒng)魯棒性？這三樣法寶請您收下！

  • 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應用都很重要。標準硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來說，壓降不是問題，但在高電流應用中，各個壓降會產生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應用的理想器件。幸運的是，MOSFET可以取代標準硅二極管，并提供意想不到的應用優(yōu)勢。簡介理想二極管使用低導通電阻功率開關（通常為MOSFET）來模擬二極管的單向
  • 關鍵字： MOSFET  二極管  功率開關  

工業(yè)電源模塊對功率器件的要求

  • 工業(yè)電源的作用是將交流電轉換為直流電，在工業(yè)領域為設備提供穩(wěn)定的電力供應，在工業(yè)自動化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據中心、新能源儲能等領域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應用環(huán)境苛刻復雜，對電源的穩(wěn)定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時，它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應用更為嚴格。按在電能轉換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結構設計，利用先進的工藝和封裝技術制造， 形成的一個結構緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
  • 關鍵字： 工業(yè)電源  功率器件  碳化硅  

電動汽車市場催生碳化硅新前景

  • 第三代半導體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場、熱導率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導體材料在5G基站、新能源車、光伏、風電、高鐵等領域具有廣泛的應用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在汽車電子領域具有廣泛的應用前景。在新能源汽車領域，
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  新能源汽車  汽車電子  

小米汽車發(fā)布CTB一體化電池技術，爭做冬季續(xù)航之王

  • 12月29日消息，昨日，在小米汽車技術發(fā)布會上，小米集團董事長雷軍宣布，發(fā)布CTB一體化電池技術，全球最高體積效率達77.8%，采用小米800V碳化硅高壓平臺，最高電壓達871V，與寧德時代歷時兩年共同研發(fā)。據雷軍介紹，小米電池通過全球最嚴苛的熱失效安全標準，采用17層高壓絕緣防護，7.8m2同級最大冷卻面積，并使用165片氣凝膠隔熱。同時，采用行業(yè)首創(chuàng)電芯倒置技術，最大程度保證乘員艙安全。同時，該項技術可以達到低溫環(huán)境下“續(xù)航保持率同級更高、空調升溫速度同級更快、充電速度同級更快”，雷軍表示，小米汽車立
  • 關鍵字： 小米汽車  碳化硅  寧德時代  

SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！

  • 過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關的現(xiàn)象。當今大多數(shù)功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素。現(xiàn)在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
  • 關鍵字： 功率器件  Spice模型  SiC  仿真  

全球汽車半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長

  • 12月22日消息，據報道，Adroit Market Research預計，全球汽車半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B，復合年增長率高達11.9%。目前的市場表明，到2022年，每輛汽車的半導體器件價值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數(shù)字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術變革的主要驅
  • 關鍵字： 汽車電子  半導體  ADAS  碳化硅  DRAM  MCU  

SiC MOSFET用于電機驅動的優(yōu)勢

  • 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機會。在我們的傳統(tǒng)印象中，電機驅動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯(lián)。但在特定的
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC  MOSFET  

意法半導體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場

  • 2023年12月22日，中國北京-服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設計、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車（紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。隨著汽車行業(yè)電動化和綠色低碳轉型的持續(xù)深入，高壓純電動車因其能效更高、續(xù)航里程更遠，已成為汽車制
  • 關鍵字： 意法半導體  碳化硅  理想汽車  高壓純電動車  

NMOS和PMOS詳解

  • 一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
  • 關鍵字： MOSFET  NMOS  PMOS  

通用智能SiC晶錠8寸剝離產線正式交付客戶

  • 據通用智能官微消息，日前，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產線正式交付客戶。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。據悉，通用智能采用激光隱切技術完成SiC晶錠分割工藝過程，并成功實現(xiàn)8寸碳化硅晶錠剝離設備的量產。
  • 關鍵字： 碳化硅  晶錠    

8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產業(yè)化工藝研究項目順利通過中期驗收

  • 據科友半導體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上，以黑龍江省科學院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認為，科友半導體圓滿完成了計劃任務書2023年度階段任務，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術和新工藝，建立了碳化硅襯底生產的工藝流程，制定了相關工藝流程的作業(yè)指導書，一致同意項目通過階段驗收評審。據了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目，由哈爾濱科友半導體承擔，旨在推動8英寸碳化硅裝備國
  • 關鍵字： 碳化硅  科友半導體  第三代半導體材料  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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