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電路設(shè)計 文章 最新資訊

5個常用過零檢測電路方案（隔離和非隔離都有）

  • 過零檢測電路在電子產(chǎn)品中是常見的電路，常用來測量關(guān)于 AC 電源零點、電源頻率和相關(guān)相角等參數(shù)。主要應(yīng)用于對 AC 電源類參數(shù)之測量和控制的產(chǎn)品中，其中典型應(yīng)用有：電源開關(guān)時序控制 (比如馬達控制、照明、加熱器等控制)、電功率和功率因素調(diào)整、相線控制等產(chǎn)品，特別在家電領(lǐng)域得到更廣泛地應(yīng)用。過零檢測的作用為，當電網(wǎng)電壓經(jīng)過正弦波的零點時，電路會產(chǎn)生一個脈沖信號給到單片機的中斷口，然后單片機做相應(yīng)的處理。如上圖，交流電每經(jīng)過零點，過零檢測電路都會產(chǎn)生一個脈沖。應(yīng)用場合：1. 在一些需要給馬達類器具調(diào)功調(diào)速的場
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差分電路原理，輸出電壓為什么要偏移？

  • 差分運算放大電路，對共模信號得到有效抑制，而只對差分信號進行放大，因而得到廣泛的應(yīng)用。差分電路的電路構(gòu)型上圖是差分電路。目標處理電壓：是采集處理電壓，比如在系統(tǒng)中像母線電壓的采集處理，還有像交流電壓的采集處理等。差分同相/反相分壓電阻：為了得到適合運放處理的電壓，需要將高壓信號進行分壓處理，如圖1中V1與V2兩端的電壓經(jīng)過分壓處理，最終得到適合運放處理的電壓Vin+與Vin-。差分放大電路反饋，對于運算放大電路來說，運放工作在線性區(qū)，所以這里一定是負反饋，沒有反饋（開環(huán)）或者是正反饋，那是比較器電路而不是
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電路設(shè)計的九段境界

  • 今天在網(wǎng)上看到一篇非常棒的文章，閱讀完之后，受益匪淺。 同學(xué)們可以認真學(xué)習一下，對照一下，看看自己現(xiàn)在處于什么段位。一 段你剛開始進入這行，對PMOS/NMOS/BJT什么的只不過有個大概的了解，各種器件的特性你也不太清楚，具體設(shè)計成什么樣的電路你也沒什么主意，你的 電路圖主要看國內(nèi)雜志上的文章，或者按照教科書上現(xiàn)成的電路，你總覺得他們說得都有道理。你做的電路主要是小規(guī)模的模塊，做點差分運放，或者帶隙基準的仿真什么的你就計算著發(fā)文章，生怕到時候論文湊不夠?？偟膩碚f，基本上看見運放還是發(fā)怵。你覺得spice
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可控硅基礎(chǔ)及應(yīng)用電路

  • 可控硅對于硬件工程師來說是個重要的元器件，對于一個合格的硬件工程師來說，必須要掌握可控硅的電路設(shè)計?？煽毓柙诟鱾€領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，常用來做各種大功率負載的開關(guān)。相比繼電器，可控硅有很多優(yōu)勢，繼電器在開關(guān)動作時會產(chǎn)生電火花，在某些工業(yè)環(huán)境由于安全原因這是不允許的，繼電器在開關(guān)動作時觸點會發(fā)生氧化，影響繼電器壽命，而這些缺點可控硅都能避免?？煽毓?Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)
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二次整流電路設(shè)計難點解析

  • 在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器(ACFC)突破50%占空比限制之際，一個被長期忽視的設(shè)計陷阱正在浮現(xiàn)——最小占空比(Dmin)的精細控制已成為決定系統(tǒng)可靠性的生死線。實測數(shù)據(jù)顯示，當Dmin低于15%時，ACFC的開關(guān)損耗會陡增300%，電磁干擾(EMI)惡化達18dBμV。本文以隔離式ACFC電源為例，闡述最小占空比對設(shè)計的影響。該轉(zhuǎn)換器用于將輸入24 VAC或48 ~ 60 VDC，轉(zhuǎn)化為15VDC，1.5 A輸出。其隔離特性使其適合為現(xiàn)場工業(yè)應(yīng)用供電。ACFC拓撲幫助實現(xiàn)了高達91%的峰值效率。
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成功設(shè)計LED驅(qū)動電源的五個關(guān)鍵點

  • 一、LED電流大小LED電流的大小直接影響著使用壽命，建議降額使用，因此盡量控制小點，特別是LED散熱效果不好的話，LED一定要留足余量。二、芯片發(fā)熱這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的*電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、
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電感嘯叫的原因及解決方法剖析

  • 【摘 要】環(huán)形電感或工形電感嘯叫問題，在穩(wěn)壓電源電路的設(shè)計經(jīng)常遇到，根據(jù)穩(wěn)壓電源芯片的不同和外圍電路的不同，解決方法也各不相同，本文檔的宗旨是分析電感嘯叫的根本原因，并綜合各種不同的解決方法，供學(xué)習參考和借鑒。【關(guān)鍵詞】電感嘯叫 穩(wěn)壓電源電路1. 引言H7710加密DTU 在摸底測試的時候發(fā)現(xiàn)過電感嘯叫的現(xiàn)象，當時我們的處理方法是更換穩(wěn)壓電源電路輸出部分的電感。在實際的應(yīng)用中，我們處理的方法可以有多種多樣，現(xiàn)在就專門針對此類問題，探討和匯總電感嘯叫的根本原因及處理嘯叫的方法。2. 穩(wěn)壓電源電路的
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MOS管防護電路解析

  • 功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場合，所以在應(yīng)用功率MOS管對必須為其設(shè)計合理的保護電路來提高器件的可靠性。功率MOS管保護電路主要有以下幾個方面：1）防止柵極 di/dt過高：由于采用驅(qū)動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動功率管會引起驅(qū)動的功率管快速的開通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的di/dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅(qū)動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個電阻(R509)，電阻的大
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注意 PCB走線間距，比“串擾”危害更大的是“阻抗變化”

  • 在PCB設(shè)計中，工程師們往往對高速信號的完整性保持高度警惕，卻容易忽視低速信號走線的阻抗控制問題。當相鄰走線間距呈現(xiàn)不規(guī)則變化時，即便信號速率不高，仍然會引發(fā)意想不到的信號質(zhì)量問題。這種間距變化帶來的阻抗擾動，遠比單純考慮串擾問題更值得關(guān)注。一些速率雖然不算特別高，但是對時序、信號質(zhì)量有要求的數(shù)字接口，例如“SDIO”。我要注意走線間距的問題。如果走線可以間距足夠的大，例如滿足3W，并且可以用GND隔離，并且足夠的空間打GND地孔，那么也沒什么糾結(jié)的。但是往往我們沒有那么多足夠的空間來走線。這時候，我們需
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PCB 不同的顏色都代表什么意思？為什么現(xiàn)在的PCB大部分都是綠色？

  • 一、PCB顏色代表什么意思？PCB顏色一般是指拿到一塊PCB板時最直觀看到的板子上的油色，PCB表面的顏色就是阻焊劑的顏色。PCB板染色顏料是一種硬化樹脂，主體樹脂是無色近透明的，綠色和其它顏色一樣都是色粉的配色。我們通過絲網(wǎng)印刷將顏色印刷到 PCB 上。PCB 顏色有綠色、黑色、藍色、黃色、紫色、紅色和棕色。還有一些廠家別出心裁地開發(fā)出了白色、粉色等多種顏色的PCB。二、PCB顏色不同有區(qū)別嗎？1、綠色PCB綠色 PCB 是最流行的顏色。因此有很多人一直誤以為 PCB 是綠色的或者說大部分是綠
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20種運放典型電路集錦，總有一個用得到！

  • 01反相比例運算電路02同相比例運算電路03電壓跟隨器04反相求和運算電路05同相求和運算電路06加減運算電路07加減電路08積分運算電路09實用積分電路10微分運算電路11實用微分電路12壓控電壓源二階低通濾波器13壓控電壓源二階高通濾波器14RC橋式正弦振蕩電路15方波發(fā)生電路16方波和三角波發(fā)生電路17過零比較器電路18一般單限比較器19滯回比較器20窗口比較器
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為什么PWM驅(qū)動芯片用圖騰柱電路？

  • 推挽電路的應(yīng)用非常廣泛，比如單片機的推挽模式輸出，PWM控制器輸出，橋式驅(qū)動電路等。推挽的英文單詞：Push-Pull，顧名思義就是推-拉的意思。所以推挽電路又叫推拉式電路。圖1：鋸木頭?推挽電路有很多種，根據(jù)用法的不同有所差異，但其本質(zhì)都是功率放大，增大輸入信號的驅(qū)動能力，且具有兩個特點：①很強的灌電流，即向負載注入大電流；②很強的拉電流，即從負載抽取大電流。相關(guān)文章:動畫演示什么是拉電流、灌電流。圖2?如圖3由NPN+PNP三極管組成的推挽電路，這就是我們常用的互補推挽電路。特點是輸出阻抗很小，驅(qū)動能
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MOS管GS電阻有什么作用？

  • MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動之理想與現(xiàn)實理想的MOS管驅(qū)動波形應(yīng)是方波，當Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實際上在MOS管的柵極驅(qū)動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的
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柵極驅(qū)動 IC 自舉電路的設(shè)計與應(yīng)用指南

  • 硬件工程師應(yīng)該都用過buck，一些buck芯片會有類似下面的自舉電容，有時還會串聯(lián)一個電阻。那么你是否對這個自舉電路有深入的了解呢？比如，這個電容的容值大小該怎么選？大了或者小了會影響什么？耐壓要求是怎么樣的？最近呢，正好看到ON Semiconductor的一個文檔AN-6076，對于自舉電路講得相當?shù)脑敿毩耍肷钊肓私獾男值芸梢宰约旱淖屑毜淖x讀，源文檔可以自己去網(wǎng)上搜。以下是文檔正文。1. 介紹本文講述了一種運用功率型MOSFET和IGBT設(shè)計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路的系統(tǒng)方法，適用于高頻率，大功率及
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電路設(shè)計介紹

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