電路設(shè)計 文章 最新資訊
電路設(shè)計的九段境界
- 今天在網(wǎng)上看到一篇非常棒的文章,閱讀完之后,受益匪淺。 同學(xué)們可以認真學(xué)習(xí)一下,對照一下,看看自己現(xiàn)在處于什么段位。一 段你剛開始進入這行,對PMOS/NMOS/BJT什么的只不過有個大概的了解,各種器件的特性你也不太清楚,具體設(shè)計成什么樣的電路你也沒什么主意,你的 電路圖主要看國內(nèi)雜志上的文章,或者按照教科書上現(xiàn)成的電路,你總覺得他們說得都有道理。你做的電路主要是小規(guī)模的模塊,做點差分運放,或者帶隙基準的仿真什么的你就計算著發(fā)文章,生怕到時候論文湊不夠??偟膩碚f,基本上看見運放還是發(fā)怵。你覺得spice
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可控硅基礎(chǔ)及應(yīng)用電路
- 可控硅對于硬件工程師來說是個重要的元器件,對于一個合格的硬件工程師來說,必須要掌握可控硅的電路設(shè)計??煽毓柙诟鱾€領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,常用來做各種大功率負載的開關(guān)。相比繼電器,可控硅有很多優(yōu)勢,繼電器在開關(guān)動作時會產(chǎn)生電火花,在某些工業(yè)環(huán)境由于安全原因這是不允許的,繼電器在開關(guān)動作時觸點會發(fā)生氧化,影響繼電器壽命,而這些缺點可控硅都能避免??煽毓?Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)
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二次整流電路設(shè)計難點解析
- 在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器(ACFC)突破50%占空比限制之際,一個被長期忽視的設(shè)計陷阱正在浮現(xiàn)——最小占空比(Dmin)的精細控制已成為決定系統(tǒng)可靠性的生死線。實測數(shù)據(jù)顯示,當Dmin低于15%時,ACFC的開關(guān)損耗會陡增300%,電磁干擾(EMI)惡化達18dBμV。本文以隔離式ACFC電源為例,闡述最小占空比對設(shè)計的影響。該轉(zhuǎn)換器用于將輸入24 VAC或48 ~ 60 VDC,轉(zhuǎn)化為15VDC,1.5 A輸出。其隔離特性使其適合為現(xiàn)場工業(yè)應(yīng)用供電。ACFC拓撲幫助實現(xiàn)了高達91%的峰值效率。
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成功設(shè)計LED驅(qū)動電源的五個關(guān)鍵點
- 一、LED電流大小LED電流的大小直接影響著使用壽命,建議降額使用,因此盡量控制小點,特別是LED散熱效果不好的話,LED一定要留足余量。二、芯片發(fā)熱這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的*電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗,簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低c、
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電感嘯叫的原因及解決方法剖析
- 【摘 要】環(huán)形電感或工形電感嘯叫問題,在穩(wěn)壓電源電路的設(shè)計經(jīng)常遇到,根據(jù)穩(wěn)壓電源芯片的不同和外圍電路的不同,解決方法也各不相同,本文檔的宗旨是分析電感嘯叫的根本原因,并綜合各種不同的解決方法,供學(xué)習(xí)參考和借鑒?!娟P(guān)鍵詞】電感嘯叫 穩(wěn)壓電源電路1. 引言H7710加密DTU 在摸底測試的時候發(fā)現(xiàn)過電感嘯叫的現(xiàn)象,當時我們的處理方法是更換穩(wěn)壓電源電路輸出部分的電感。在實際的應(yīng)用中,我們處理的方法可以有多種多樣,現(xiàn)在就專門針對此類問題,探討和匯總電感嘯叫的根本原因及處理嘯叫的方法。2. 穩(wěn)壓電源電路的
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MOS管防護電路解析
- 功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點,但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場合,所以在應(yīng)用功率MOS管對必須為其設(shè)計合理的保護電路來提高器件的可靠性。功率MOS管保護電路主要有以下幾個方面:1)防止柵極 di/dt過高:由于采用驅(qū)動芯片,其輸出阻抗較低,直接驅(qū)動功率管會引起驅(qū)動的功率管快速的開通和關(guān)斷,有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩,或者有可能造成功率管遭受過高的di/dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生,通常在MOS驅(qū)動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個電阻(R509),電阻的大
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注意 PCB走線間距,比“串擾”危害更大的是“阻抗變化”
- 在PCB設(shè)計中,工程師們往往對高速信號的完整性保持高度警惕,卻容易忽視低速信號走線的阻抗控制問題。當相鄰走線間距呈現(xiàn)不規(guī)則變化時,即便信號速率不高,仍然會引發(fā)意想不到的信號質(zhì)量問題。這種間距變化帶來的阻抗擾動,遠比單純考慮串擾問題更值得關(guān)注。一些速率雖然不算特別高,但是對時序、信號質(zhì)量有要求的數(shù)字接口,例如“SDIO”。我要注意走線間距的問題。如果走線可以間距足夠的大,例如滿足3W,并且可以用GND隔離,并且足夠的空間打GND地孔,那么也沒什么糾結(jié)的。但是往往我們沒有那么多足夠的空間來走線。這時候,我們需
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為什么PWM驅(qū)動芯片用圖騰柱電路?
- 推挽電路的應(yīng)用非常廣泛,比如單片機的推挽模式輸出,PWM控制器輸出,橋式驅(qū)動電路等。推挽的英文單詞:Push-Pull,顧名思義就是推-拉的意思。所以推挽電路又叫推拉式電路。圖1:鋸木頭?推挽電路有很多種,根據(jù)用法的不同有所差異,但其本質(zhì)都是功率放大,增大輸入信號的驅(qū)動能力,且具有兩個特點:①很強的灌電流,即向負載注入大電流;②很強的拉電流,即從負載抽取大電流。相關(guān)文章:動畫演示什么是拉電流、灌電流。圖2?如圖3由NPN+PNP三極管組成的推挽電路,這就是我們常用的互補推挽電路。特點是輸出阻抗很小,驅(qū)動能
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MOS管GS電阻有什么作用?
- MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)(規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替)。MOS管之所以存在米勒效應(yīng),以及GS之間要并電阻,其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動之理想與現(xiàn)實理想的MOS管驅(qū)動波形應(yīng)是方波,當Cgs達到門檻電壓之后, MOS管就會進入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實際上在MOS管的柵極驅(qū)動過程中,會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的
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柵極驅(qū)動 IC 自舉電路的設(shè)計與應(yīng)用指南
- 硬件工程師應(yīng)該都用過buck,一些buck芯片會有類似下面的自舉電容,有時還會串聯(lián)一個電阻。那么你是否對這個自舉電路有深入的了解呢?比如,這個電容的容值大小該怎么選?大了或者小了會影響什么?耐壓要求是怎么樣的?最近呢,正好看到ON Semiconductor的一個文檔AN-6076,對于自舉電路講得相當?shù)脑敿毩耍肷钊肓私獾男值芸梢宰约旱淖屑毜淖x讀,源文檔可以自己去網(wǎng)上搜。以下是文檔正文。1. 介紹本文講述了一種運用功率型MOSFET和IGBT設(shè)計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路的系統(tǒng)方法,適用于高頻率,大功率及
- 關(guān)鍵字: BUCK電路 電路設(shè)計 元件
如何測試DC-DC的SW信號?
- 對于絕大部分buck芯片而言其上下兩管都集成到芯片內(nèi)部,那么該如何觀測兩管的工作狀況呢?實際應(yīng)用中我們通過觀測上下兩管交替點的電壓來判斷上下MOS管的開通與關(guān)斷情況,并將這一點稱為SW,如下圖所示,怎么測SW :以MP2332為例,作為一款完全集成的高頻、同步、整流、降壓開關(guān)變換器,MP2332采用恒定導(dǎo)通時間 (COT) 控制實現(xiàn)了快速瞬態(tài)響應(yīng)、簡單的環(huán)路設(shè)計和快速輸出調(diào)節(jié)。在寬輸入4.2V到1.8V范圍內(nèi)可以滿足 2A 的輸出電流,除此外MP2332還有出色的負載和線性調(diào)節(jié)性能及優(yōu)秀的待機功耗,其靜態(tài)
- 關(guān)鍵字: BUCK電 電路設(shè)計 信號調(diào)理
二極管的主要參數(shù)講解
- 二極管是主要構(gòu)成是一個PN結(jié),外加電極、外殼等組成。二極管種類很多,有肖特基二極管、穩(wěn)壓二極管、發(fā)光二極管等。電路設(shè)計中,二極管應(yīng)用的非常多。因此,我們需要了解它的參數(shù)。參數(shù)符合電路需求,我們才會選擇它。同一種型號的二極管,它可能有幾種封裝(包括SOT23、DO-15、SOT-323等),所對應(yīng)的參數(shù)也有區(qū)別。一般數(shù)據(jù)手冊上的參數(shù),對應(yīng)溫度為25℃。溫度對電子元器件的影響比較大。Vr:表示反向電壓,在二極管陰極和陽極加的最大電壓,大于這個電壓值,二極管可能被擊穿。IF(av):平均整流電流,二極管加上正向
- 關(guān)鍵字: 二極管 參數(shù) 電路設(shè)計
電路設(shè)計介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條電路設(shè)計!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對電路設(shè)計的理解,并與今后在此搜索電路設(shè)計的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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