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羅姆開發(fā)出車載用內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部位于日本京都市)開發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器“BM6103FV-C”,最適合作為電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力車(HEV)逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)元件。
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汽車應(yīng)用需要更高的效率和可靠性

  •   當(dāng)前,新能源汽車技術(shù)和市場(chǎng)正處于一個(gè)火熱發(fā)展的階段,以節(jié)能為核心的相關(guān)技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用也擴(kuò)大到包括傳統(tǒng)汽車和新能源汽車在內(nèi)的整個(gè)汽車領(lǐng)域。對(duì)于汽車應(yīng)用工程師來(lái)說,當(dāng)前所面臨的最大挑戰(zhàn)是:為汽車帶來(lái)更高效率、更高可靠性的應(yīng)用產(chǎn)品,特別是在混合動(dòng)力車(HEV)和電動(dòng)汽車(EV)領(lǐng)域。   在汽車領(lǐng)域,有一些新的功能正日益受到重視,主要有以下七種:提高燃油效率;降低CO2的排放量;負(fù)載電氣化;提高電路和元件的可靠性;減小元件的外形尺寸和重量;改善熱性能;降低電磁輻射等外部環(huán)境干擾帶來(lái)的影響。這些新的功能
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飛兆半導(dǎo)體汽車柵極驅(qū)動(dòng)器IC提高混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車應(yīng)用的效率和可靠性

  • 汽車應(yīng)用工程師面臨提供具有更高效率、更大驅(qū)動(dòng)電流和更強(qiáng)抗噪能力的逆變器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),尤其是在混合動(dòng)力汽車(HEV)和電動(dòng)汽車(EV)領(lǐng)域。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出大電流高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品FAN7171和大電流高側(cè)與低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品FAN7190。 FAN7171和FAN7190是飛兆半導(dǎo)體汽車高壓IC(HVIC)柵極驅(qū)動(dòng)器系列的成員,適合電動(dòng)與混合動(dòng)力DC-DC電源和功率逆變器、柴油和
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Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級(jí)) 版本

  •   凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級(jí)) 版本,該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,在-55°C 至125°C的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率,從而使其能夠驅(qū)動(dòng)高功率N 溝道MOSFET 或多個(gè)并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅(qū)動(dòng)電壓從5V 至8V 是可調(diào)的,從而允許設(shè)計(jì)師選擇標(biāo)準(zhǔn)門限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
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利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行系統(tǒng)開發(fā)

  • 利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC可以簡(jiǎn)化開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),但這些IC必須正確運(yùn)用才能充分發(fā)揮其潛力,以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來(lái)選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)器周圍需要哪些補(bǔ)償元件,以及如何確定熱性能等是設(shè)計(jì)時(shí)要注意的方面。
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飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動(dòng)器提高汽車的燃油效率

  •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列,讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng),從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動(dòng)器在高邊和橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT,如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機(jī)控制。與市場(chǎng)上同類器件相比,它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對(duì)比240µA),容許設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴(kuò)大工作范圍。這些產(chǎn)品
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飛兆半導(dǎo)體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 能夠驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中高達(dá) 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導(dǎo)體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列相輔相成, 為設(shè)計(jì)人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列又添新成員,宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器系列的全新產(chǎn)品,能夠在工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高達(dá)30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
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柵極驅(qū)動(dòng)器介紹

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