晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

　　據(jù)DigiTimes報道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出名的就是臺積電　　此前，臺積電采用的是28納米技術(shù),三星采用的是32納米技術(shù)。眾所周知，晶體管是越細(xì)越好，耗能也越少，芯片體積也將更小。　　可以預(yù)見，我們或?qū)⒃?013年年底或2014年年初見到采用20納米技術(shù)制造的高通芯片。另外，臺積電也是英偉達(dá)(NVIDIA)的代工廠，
關(guān)鍵字：三星晶體管 20納米

科學(xué)家首次研制成功單電子半加器

　　據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)11月21日報道，研究人員一直在努力降低硅基計算組件的尺度，以滿足日益增長的小規(guī)模、低能耗計算需求。這些元件包括晶體管和邏輯電路，它們都被用于通過控制電壓來處理電子設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。在一項新研究中，韓國、日本和英國科學(xué)家組成的科研小組僅用5個晶體管就制造出一個半加器，它是所有邏輯電路中最小的一種。這也是首次成功制成基于單電子的半加器(HA)。相關(guān)研究報告發(fā)表在最新一期《應(yīng)用物理快報》上。　　研究人員稱，單電子半加器是單電子晶體管多值邏輯電路家族中最小的運(yùn)算模塊，所有的邏輯電路都由眾多半
關(guān)鍵字：半加器晶體管 CMOS

飛兆發(fā)布碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案

為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進(jìn)行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強(qiáng)這些關(guān)鍵設(shè)計性能，設(shè)計的復(fù)雜程度就會提高，同時還會導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。
關(guān)鍵字：飛兆 SiC 晶體管

晶體管驅(qū)動負(fù)載技巧及選擇的注意事項

在電子制作時，經(jīng)常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機(jī)等元件，發(fā)現(xiàn)晶體管負(fù)載的不同接法，效果差別很大，有的接法 ...
關(guān)鍵字：晶體管驅(qū)動負(fù)載注意事項

車載數(shù)碼相機(jī)充電適配器設(shè)計　

附圖為數(shù)碼相機(jī)充電適配器電路。電路采用一對晶體管差分放大器和一級電流放大器．分別輸出恒定的電壓和要求的...
關(guān)鍵字：數(shù)碼相機(jī) 充電適配器晶體管

IBM再創(chuàng)奇跡！碳納米管邁出取代硅第一步

　　藍(lán)色巨人IBM的科學(xué)家們再次展示了他們雄厚的科研實力：歷史上第一次，使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi)，并通過了可行性測試。多年來，人們一直期望找到一種新的材料，可以替代傳統(tǒng)芯片中的硅，從而更深入地推進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝，獲得更小、更快、更強(qiáng)的計算機(jī)芯片，IBM則邁出了用碳納米管在此領(lǐng)域投入商業(yè)化應(yīng)用的第一步。　　作為一種半導(dǎo)體材料，碳納米管有著很多優(yōu)于硅的天然屬性，特別適合在幾千個原子的尺度上建造納米級晶體管，其中的電子也可以比硅晶體管更輕松地轉(zhuǎn)移，實現(xiàn)
關(guān)鍵字： IBM 晶體管碳納米管

羅姆推出最小晶體管封裝“VML0806”開始量產(chǎn)

近日，日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)面向智能手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等各種要求小巧、輕薄的電子設(shè)備，開始量產(chǎn)世界最小※尺寸的晶體管封裝“VML0806”(0.8mm×0.6mm，高度0.36mm)。
關(guān)鍵字：羅姆晶體管

意法半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)對功率和能效的要求，瞄準(zhǔn)太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應(yīng)用。
關(guān)鍵字：意法晶體管 MOSFET LED

IR推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
關(guān)鍵字： IR 晶體管

二極管橋和晶體管構(gòu)建的XOR/XNOR功能

在用高于常見的電源電壓(如24V)設(shè)計邏輯電路時，可以結(jié)合使用標(biāo)準(zhǔn)邏輯系列與一只穩(wěn)壓器，通過電平轉(zhuǎn)換器做接口。另外，如果邏輯并不太復(fù)雜，速度也不是非常高，可以用分立元件建立門控電路，直接用當(dāng)前電壓運(yùn)行。分立
關(guān)鍵字： XNOR XOR 二極管晶體管

恩智浦?jǐn)U大DFN1006超小型封裝晶體管的產(chǎn)品陣容

　　中國上海，7月30日——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)今日宣布擴(kuò)大了其超小型分立式薄型無引腳封裝DFN1006B-3 (SOT883B)的晶體管產(chǎn)品陣容。目前，恩智浦提供60款雙極性晶體管(BJT)和12款小信號單N/P溝道MOSFET產(chǎn)品，均采用 1-mm x 0.6-mm x0.37-mm DFN塑料SMD封裝——是業(yè)界提供最小晶體管封裝(DFN1006)最豐富的產(chǎn)品組合。　　新的產(chǎn)品組合
關(guān)鍵字：恩智浦晶體管

晶體管交直流參數(shù)對電路設(shè)計的影響

　在電路中，不管晶體管是工作在直流工作狀態(tài)還是交流工作狀態(tài)，正確選擇晶體管的直流參數(shù)是很重要的。也就是說，應(yīng)根據(jù)工作環(huán)境中直流電路的工作狀態(tài)要求，對晶體管進(jìn)行最基礎(chǔ)的選擇，確定晶體管的工作電壓，工作電
關(guān)鍵字：晶體管交直流參數(shù) 電路設(shè)計

分享晶體管的檢測經(jīng)驗

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料
關(guān)鍵字：晶體管檢測經(jīng)驗

科銳推出S波段GaN器件

科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達(dá)中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W，頻率為 3.1至3.5GHz 之間，與傳統(tǒng)Si或 GaAs MESFET 器件相比，能夠提供優(yōu)越的漏極效率(接近70%)。
關(guān)鍵字：科銳晶體管 HEMT

共403條 14/27 |‹ « 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 » ›|

晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]