晶體管文章最新資訊

三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

　　據(jù)DigiTimes報道，三星將于2013年采用20納米技術，同時開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術生產(chǎn)晶體管。當前主流的智能手機芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出名的就是臺積電　　此前，臺積電采用的是28納米技術,三星采用的是32納米技術。眾所周知，晶體管是越細越好，耗能也越少，芯片體積也將更小。　　可以預見，我們或?qū)⒃?013年年底或2014年年初見到采用20納米技術制造的高通芯片。另外，臺積電也是英偉達(NVIDIA)的代工廠，
關鍵字：三星晶體管 20納米

科學家首次研制成功單電子半加器

　　據(jù)物理學家組織網(wǎng)11月21日報道，研究人員一直在努力降低硅基計算組件的尺度，以滿足日益增長的小規(guī)模、低能耗計算需求。這些元件包括晶體管和邏輯電路，它們都被用于通過控制電壓來處理電子設備內(nèi)的數(shù)據(jù)。在一項新研究中，韓國、日本和英國科學家組成的科研小組僅用5個晶體管就制造出一個半加器，它是所有邏輯電路中最小的一種。這也是首次成功制成基于單電子的半加器(HA)。相關研究報告發(fā)表在最新一期《應用物理快報》上。　　研究人員稱，單電子半加器是單電子晶體管多值邏輯電路家族中最小的運算模塊，所有的邏輯電路都由眾多半
關鍵字：半加器晶體管 CMOS

飛兆發(fā)布碳化硅(SiC)技術解決方案

為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設計人員在進行設計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領域，要想增強這些關鍵設計性能，設計的復雜程度就會提高，同時還會導致總體系統(tǒng)成本提高。
關鍵字：飛兆 SiC 晶體管

晶體管驅(qū)動負載技巧及選擇的注意事項

在電子制作時，經(jīng)常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機等元件，發(fā)現(xiàn)晶體管負載的不同接法，效果差別很大，有的接法 ...
關鍵字：晶體管驅(qū)動負載注意事項

車載數(shù)碼相機充電適配器設計　

附圖為數(shù)碼相機充電適配器電路。電路采用一對晶體管差分放大器和一級電流放大器．分別輸出恒定的電壓和要求的...
關鍵字：數(shù)碼相機充電適配器晶體管

IBM再創(chuàng)奇跡！碳納米管邁出取代硅第一步

　　藍色巨人IBM的科學家們再次展示了他們雄厚的科研實力：歷史上第一次，使用標準的主流半導體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi)，并通過了可行性測試。多年來，人們一直期望找到一種新的材料，可以替代傳統(tǒng)芯片中的硅，從而更深入地推進半導體制造工藝，獲得更小、更快、更強的計算機芯片，IBM則邁出了用碳納米管在此領域投入商業(yè)化應用的第一步。　　作為一種半導體材料，碳納米管有著很多優(yōu)于硅的天然屬性，特別適合在幾千個原子的尺度上建造納米級晶體管，其中的電子也可以比硅晶體管更輕松地轉移，實現(xiàn)
關鍵字： IBM 晶體管碳納米管

羅姆推出最小晶體管封裝“VML0806”開始量產(chǎn)

近日，日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)面向智能手機和數(shù)碼相機等各種要求小巧、輕薄的電子設備，開始量產(chǎn)世界最小※尺寸的晶體管封裝“VML0806”(0.8mm×0.6mm，高度0.36mm)。
關鍵字：羅姆晶體管

意法半導體發(fā)布先進功率MOSFET系列產(chǎn)品

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術型企業(yè)滿足日益嚴格的生態(tài)設計標準對功率和能效的要求，瞄準太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應用。
關鍵字：意法晶體管 MOSFET LED

IR推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，適合在10kHz以下工作的電機驅(qū)動應用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機。
關鍵字： IR 晶體管

二極管橋和晶體管構建的XOR/XNOR功能

在用高于常見的電源電壓(如24V)設計邏輯電路時，可以結合使用標準邏輯系列與一只穩(wěn)壓器，通過電平轉換器做接口。另外，如果邏輯并不太復雜，速度也不是非常高，可以用分立元件建立門控電路，直接用當前電壓運行。分立
關鍵字： XNOR XOR 二極管晶體管

恩智浦擴大DFN1006超小型封裝晶體管的產(chǎn)品陣容

　　中國上海，7月30日——恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼：NXPI)今日宣布擴大了其超小型分立式薄型無引腳封裝DFN1006B-3 (SOT883B)的晶體管產(chǎn)品陣容。目前，恩智浦提供60款雙極性晶體管(BJT)和12款小信號單N/P溝道MOSFET產(chǎn)品，均采用 1-mm x 0.6-mm x0.37-mm DFN塑料SMD封裝——是業(yè)界提供最小晶體管封裝(DFN1006)最豐富的產(chǎn)品組合。　　新的產(chǎn)品組合
關鍵字：恩智浦晶體管

晶體管交直流參數(shù)對電路設計的影響

　在電路中，不管晶體管是工作在直流工作狀態(tài)還是交流工作狀態(tài)，正確選擇晶體管的直流參數(shù)是很重要的。也就是說，應根據(jù)工作環(huán)境中直流電路的工作狀態(tài)要求，對晶體管進行最基礎的選擇，確定晶體管的工作電壓，工作電
關鍵字：晶體管交直流參數(shù) 電路設計

分享晶體管的檢測經(jīng)驗

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料
關鍵字：晶體管檢測經(jīng)驗

科銳推出S波段GaN器件

科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W，頻率為 3.1至3.5GHz 之間，與傳統(tǒng)Si或 GaAs MESFET 器件相比，能夠提供優(yōu)越的漏極效率(接近70%)。
關鍵字：科銳晶體管 HEMT

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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]