晶體管文章最新資訊

IBM研發(fā)9納米碳納米管可用于制造晶體管

　　碳納米管物理性質(zhì)良好，它既有強(qiáng)大的機(jī)械性能，也有相當(dāng)好的攜帶電子的能力。日前，IBM的研究人員宣布，已經(jīng)創(chuàng)建出一種僅有9納米尺寸的碳結(jié)構(gòu)納米管，它可以制造出非常小的晶體管，目前民用產(chǎn)品中最小的晶體管是英特爾的Ivy Bridge。而IBM的原型完美替代了這種硅制的晶體管，它有著更強(qiáng)大的運算能力和低得多的功耗。　　不過，這種納米晶體管原型技術(shù)暫時還不會投產(chǎn)，因為研究人員還沒有確定如何用碳納米管去制造一款處理器產(chǎn)品，工藝和技術(shù)方面還有一些難點沒有被攻克。
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100W電子管擴(kuò)音機(jī)改由晶體管整流供電

該機(jī)的電源整流電路如下圖a所示?！　‰娐酚蔁艚z變壓器B2、次高壓變壓器B1和大高壓變壓器B3供電?！　￠_ ...
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光敏晶體管工作原理

光敏晶體管工作原理,這里介紹的是晶體管二極管三極管的工作原理。光敏二極管和光敏三極管是光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 ...
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隧道二極管與晶體管的組合使用實例

國產(chǎn)的隧道二極管全都是鍺材料做成的，其峰值電壓約為0.25伏左右，若這種鍺的遂道二極管要與硅晶體管并聯(lián)使用時，則遂道二極管BG2要串接反向二極管BG1（同了圖5（a），反向二極管是一種變種的隧道二極管，其峰點電流
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GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū)，InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時fT 和 fmax分別達(dá)到了 185 GHz and 220 GHz，JC =
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光電晶體管受光電路及其原理介紹

電路的功能在光接收電路中，如果外來光引起誤動作，可靠性就會下降。用脈沖式發(fā)光，可作成能識別平均外來光和脈沖波的電路。輸出不僅有導(dǎo)通、截止?fàn)顟B(tài)，還有與驅(qū)動頻率相同的脈沖串輸出。電路工作原理流過光電晶體管
關(guān)鍵字：原理介紹及其電路晶體管光電

晶體管低頻放大器詳述

各種類型低頻放大器，主要特點是，工作頻率范圍寬，放大信號的中心頻率從幾十赫至幾百千赫；這類放大器通常處于低頻多級放大器的前幾級，故稱前置放大器，它的輸入信號幅度很小，約幾到幾十毫伏或甚至更小，所以屬于
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單結(jié)晶體管的工作原理與伏安特性電路圖

單結(jié)晶體管具有負(fù)租特性，其工作原理和伏安特性見圖1-31。圖1-31中電源電壓UBB的正級接第二基極B2，負(fù)級接第一 ...
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通過外形標(biāo)志和標(biāo)準(zhǔn)封裝代號判別常用晶體管的

通過外形標(biāo)志和標(biāo)準(zhǔn)封裝代號判別常用晶體管的引腳排列在晶體管的產(chǎn)品治療說明或工具書中，常常只給晶體管的封 ...
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安森美半導(dǎo)體電源管理方案

近年來，手機(jī)等便攜設(shè)備市場持續(xù)快速發(fā)展。據(jù)預(yù)計，手機(jī)出貨量將從2011年的14億部增長至2014年的18億部;其中又以智能手機(jī)市場耀眼，受大量低成本Android手機(jī)上市推動，同期智能手機(jī)出貨量將從4億部增長至6.8億部，而且智能手機(jī)的半導(dǎo)體元件含量遠(yuǎn)高于功能型或入門型手機(jī)。與此同時，領(lǐng)先制造商更加重視用戶使用體驗，其舉措之一是在產(chǎn)品設(shè)計中選擇能夠更好配合智能手機(jī)等便攜設(shè)備應(yīng)用要求及技術(shù)趨勢的產(chǎn)品及方案。
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用3DD15型晶體管改作光敏管

用3DD25型晶體管改作光敏管電子愛好者在制作光電控制儀或裝置時，經(jīng)常要用到光電三極管，簡稱光敏管。這里，向大 ...
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基于專用晶體管的非對稱Doherty技術(shù)

引言　　通用對稱Doherty放大器現(xiàn)已在蜂窩基站中廣泛使用?！　★w思卡爾半導(dǎo)體針對2.11GHz~2.17GHz頻段的 ...
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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]