意法半導(dǎo)體(st)與德州儀器文章進入意法半導(dǎo)體(st)與德州儀器技術(shù)社區(qū)

NFC為汽車車門把手賦予無線鑰匙功能

NFC Forum推出第13版NFC認證（NFC Forum CR13），使NFC Forum裝置要求之3.0版規(guī)范正式生效。相較第12版NFC認證，新版增加了支持國際汽車聯(lián)機聯(lián)盟（Car Connectivity Consortium；CCC）數(shù)字車門鑰匙讀取器和手機數(shù)字鑰匙卡仿真（Card Emulation；CE）等多項功能，簡言之，13版NFC認證將確保車商能提供可互操作的NFC鑰匙系統(tǒng)。至于其它新功能便不逐一贅述，本文僅探討13版NFC認證為汽車產(chǎn)業(yè)及其消費者帶來哪些影響。現(xiàn)今的非接觸式車鑰匙完
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用于檢測裸硅圓芯片上少量金屬污染物的互補性測量技術(shù)

就產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)環(huán)境的清潔度而言，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個要求很高的產(chǎn)業(yè)。金屬污染對芯片有害，所以應(yīng)避免裸晶圓芯片上有金屬污染。本文的研究目的是交流解決裸硅圓芯片上金屬污染問題的經(jīng)驗，介紹如何使用互補性測量方法檢測裸硅圓芯片上的少量金屬污染物并找出問題根源，解釋從多個不同的檢測方法中選擇適合方法的難度，以及用壽命測量技術(shù)檢測污染物對熱處理的依賴性。前言本文旨在解決硅襯底上的污染問題，將討論三種不同的金屬污染。第一個是鎳擴散，又稱為快速擴散物質(zhì)[1]，它是從晶圓片邊緣上的一個污點開始擴散的金屬污染。第二個是鉻污染，
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導(dǎo)入NFC卷標功能實作全球連網(wǎng)香水首見現(xiàn)身

Phantom是全球第一款連網(wǎng)香水，噴頭內(nèi)裝有ST25TV02K近場通信（NFC）標簽，讓Paco Rabanne可為顧客提供獨特功能。運作機制其實很簡單：使用者將手機靠近瓶身，就會跳出通知并傳送一個連結(jié)網(wǎng)址。瓶身做成機器人形狀，有如顧客進入香水世界及相關(guān)服務(wù)的門戶。目前Paco Rabanne提供顧客一份播放列表，里面有特定日期或月份的排行榜暢銷歌曲。舉例來說，顧客可以找出歷年來自己生日時所有流行曲目。該公司還提供一款機器人形狀的IG貼紙，為自拍增添天馬行空的創(chuàng)意。Paco Rabanne已在8月時全球
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適用于電池供電設(shè)備的熱感知高功率高壓板

電池供電馬達控制方案為設(shè)計人員帶來多項挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱效能至今仍十分棘手且耗時；但現(xiàn)在，應(yīng)用設(shè)計人員可利用現(xiàn)代化電熱仿真器輕松縮短上市時間。如今，電池供電馬達驅(qū)動解決方案通?？捎脴O低的工作電壓提供數(shù)百瓦的功率。在此類應(yīng)用中，為確保整個系統(tǒng)的效能和可靠性，必須正確管理馬達驅(qū)動設(shè)備的電流。事實上，馬達電流可能會超過數(shù)十安培，導(dǎo)致變流器內(nèi)部耗散功率提升。為變流器組件施加較高的功率將會導(dǎo)致運作溫度升高，效能下降，如果超過最額定功率，甚至?xí)蝗煌Ｖ惯\作。優(yōu)化熱效能同時縮小大小，是變流器設(shè)計過程中的重要一
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ST與Sierra Wireless合作簡化加速物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機方案部署

意法半導(dǎo)體（ST）與全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)供貨商Sierra Wireless宣布合作協(xié)議，讓STM32微控制器（MCU）開發(fā)社群能夠使用Sierra Wireless彈性的蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機和邊緣至云端解決方案。 STM32 MCU與Sierra Wireless彈性的全球蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機和邊緣至云端解決方案，簡化物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備部署。該協(xié)議可協(xié)助開發(fā)者解決建立和部署物聯(lián)網(wǎng)解決方案所涉及的各種挑戰(zhàn)，包含裝置設(shè)計研發(fā)、蜂巢式網(wǎng)絡(luò)安裝和與云端服務(wù)聯(lián)機，以加速產(chǎn)品上市。意法半導(dǎo)體部門副總裁暨微控制器事業(yè)部總經(jīng)
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ST：以可持續(xù)方式為世界創(chuàng)新技術(shù)

ST以可持續(xù)方式為可持續(xù)世界創(chuàng)造技術(shù)，實際上，這并不是新鮮事，ST自1987 年成立時就開始這樣做了。這個理念已深入我們的商業(yè)模式和企業(yè)文化 30余年，ST的創(chuàng)新技術(shù)讓客戶能夠因應(yīng)各種環(huán)境和社會挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體集團副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負責人Jean-Louis CHAMPSEIX現(xiàn)今，新冠疫情還在世界各處肆虐，為加速推動各種可持續(xù)發(fā)展行動創(chuàng)造了條件，CTIMES特別訪問了意法半導(dǎo)體集團副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負責人Jean-Louis CHAMPSEIX，了解該公司可持續(xù)發(fā)展的策略。Jean-Louis指出，對
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Rosenberger與ST合作開發(fā)獨特60GHz高速非接觸式連接器

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和Rosenberger合作，開發(fā)非接觸式連接器，用于工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備的超可靠近距離點對點全雙工數(shù)據(jù)交換。 Rosenberger創(chuàng)新的非接觸式連接器 RoProxCon利用意法半導(dǎo)體的60GHz射頻收發(fā)器ST60A2高速傳輸數(shù)據(jù)，不受連接器的移動、震動、旋轉(zhuǎn)和污物（濕氣和灰塵）之影響，若為傳統(tǒng)的插銷與插座則可能導(dǎo)致聯(lián)機故障。ST60A2兼具Bluetooth?藍牙低功耗和高數(shù)據(jù)傳輸速率，打造出不再受線纜羈絆的新型醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用。Rosenberg
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意法半導(dǎo)體收購Norstel AB 強化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈

近年隨著電動汽車產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導(dǎo)體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應(yīng)用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業(yè)客戶的擴產(chǎn)計劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導(dǎo)體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良，對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
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為技術(shù)找到核心多元化半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新

觀察2021年主導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢，可以從新的半導(dǎo)體技術(shù)來著眼?；旧习雽?dǎo)體技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術(shù)，基礎(chǔ)技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導(dǎo)入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。圖一 : 半導(dǎo)體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
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ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎長跑35年第十代即將量產(chǎn)

意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機電子工程師學(xué)會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動器、打印機和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實時／
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歐時元件擴大與意法半導(dǎo)體的全球特許經(jīng)營協(xié)議

為全球工業(yè)客戶及供應(yīng)商提供全方位解決方案的合作伙伴Electrocomponents plc (LSE: ECM)旗下的貿(mào)易品牌歐時元件（RS Components，簡稱：RS）已大大擴展與世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計制造公司 -- 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）之間所簽供應(yīng)鏈協(xié)議的范圍。至此，兩家公司之間的合作進入新的階段，RS將經(jīng)營種類更廣泛、數(shù)量更多的ST產(chǎn)品。ST的相關(guān)技術(shù)更新還將定期發(fā)布在屢獲殊榮的DesignSpark在線工程設(shè)計中心上。ST歐洲、中東和非洲地區(qū)副總裁兼渠
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意法半導(dǎo)體再發(fā)漲價通知

5月17日，有供應(yīng)鏈爆料，意法半導(dǎo)體(STM)再發(fā)最新漲價通知，所有產(chǎn)品線從6月1日起開始漲價。這是意法半導(dǎo)體在1月1日漲價之后的再次調(diào)漲。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布面向高性能汽車應(yīng)用的下一代MEMS加速度計

意法半導(dǎo)體 AIS2IH三軸線性加速度計為汽車防盜、遠程信息處理、信息娛樂、傾斜/側(cè)傾測量、車輛導(dǎo)航等非安全性汽車應(yīng)用帶來更高的測量分辨率、溫度穩(wěn)定性和機械強度，還為性能要求很高的新興汽車、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用鋪平了道路。借助意法半導(dǎo)體在MEMS技術(shù)和汽車技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，AIS2IH具有市場領(lǐng)先的可靠性，在-40oC至+115oC的寬工作溫度范圍內(nèi)提供高性能的運動測量功能。此外，新加速度計采用超低功耗技術(shù)和緊湊的LGA-12柵格陣列封裝，售價具有極高的市場競爭力。新產(chǎn)品有五個不同的工作模式：一個高性能模式(
關(guān)鍵字： ST MEMD 汽車加速度計