工藝文章最新資訊

賈凡尼現(xiàn)象在PCB化學(xué)鍍銀工藝中的原因分析與解決

賈凡尼現(xiàn)象或賈凡尼效應(yīng)是指兩種金屬由于存在電位差，通過(guò)介質(zhì)產(chǎn)生了電流，繼而產(chǎn)生了電化學(xué)反應(yīng)，致使電位高的陽(yáng)極被氧化的現(xiàn)象.本文中我們將各方面探討分析PCB化學(xué)鍍銀工藝中賈凡尼現(xiàn)象存在的原因和處理方法。
　
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PCB敷銅工藝優(yōu)劣淺析

敷銅作為PCB設(shè)計(jì)的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，不管是國(guó)產(chǎn)的青越鋒PCB設(shè)計(jì)軟件，還國(guó)外的一些Protel,PowerPCB都提供了智能敷銅功能，那么怎樣才能敷好銅，我將自己一些想法與大家一起分享，希望能給同行帶來(lái)益處。所謂覆銅
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PCB表面處理工藝特點(diǎn)及用途

一. 引言
隨著人類(lèi)對(duì)于居住環(huán)境要求的不斷提高，目前PCB生產(chǎn)過(guò)程中涉及到的環(huán)境問(wèn)題顯得尤為突出。目前有關(guān)鉛和溴的話(huà)題是最熱門(mén)的；無(wú)鉛化和無(wú)鹵化將在很多方面影響著PCB的發(fā)展。雖然目前來(lái)看，PCB的表面處理工
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基于CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路的設(shè)計(jì)

　　本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸
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基于CSMC工藝的零延時(shí)緩沖器的PLL設(shè)計(jì)

　1 引言　　本文在傳統(tǒng)鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，設(shè)計(jì)了一款用于多路輸出時(shí)鐘緩沖器中的鎖相環(huán)，其主要結(jié)構(gòu)包括分頻器、鑒頻鑒相器(PFD)、電荷泵、環(huán)路濾波器和壓控振蕩器(VCO)。在鑒相器前采用預(yù) 分頻結(jié)構(gòu)減小
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基于SRAM工藝FPGA的保密性問(wèn)題

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置
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利用PLC系統(tǒng)控制閃光對(duì)焊工藝過(guò)程的設(shè)計(jì)

利用PLC系統(tǒng)控制閃光對(duì)焊工藝過(guò)程的設(shè)計(jì),閃光對(duì)焊作為一種先進(jìn)的焊接技術(shù)，具有無(wú)需添加焊接材料、生產(chǎn)率高、成本低、易于操作等優(yōu)點(diǎn)。隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，焊接的零件截面越來(lái)越大，遇到了一些技術(shù)問(wèn)題，如焊接加熱難、生產(chǎn)率低、產(chǎn)品合格率低等。為了
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流程工藝設(shè)備垂直聯(lián)網(wǎng)的設(shè)計(jì)方案

工業(yè)以太網(wǎng)是一個(gè)基于以太網(wǎng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行實(shí)現(xiàn)所有控制、調(diào)節(jié)儀器設(shè)備自動(dòng)化技術(shù)的高層次概念。因?yàn)橐话闱闆r下企業(yè)已擁有把辦公計(jì)算機(jī)連接成為一個(gè)網(wǎng)絡(luò)的LAN以太網(wǎng)了，而這種網(wǎng)絡(luò)有可能與工業(yè)以太網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)，并且仍然使用
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在40-nm 工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件

實(shí)現(xiàn)世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件引言
Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標(biāo)志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一
40-nm ASIC 無(wú)風(fēng)險(xiǎn)移植途徑的誕生。Altera 通過(guò)三年周密的規(guī)劃和
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淺談項(xiàng)目教學(xué)在電子工藝實(shí)訓(xùn)環(huán)節(jié)中的應(yīng)用

　SMT小型電子產(chǎn)品的安裝是高等職業(yè)學(xué)校應(yīng)用電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)中《電子產(chǎn)品工藝實(shí)訓(xùn)》課程的一個(gè)重要項(xiàng)目。結(jié)合《電子產(chǎn)品工藝》這門(mén)課程的特點(diǎn),我們?cè)陔娮訉?shí)訓(xùn)環(huán)節(jié)采用了項(xiàng)目教學(xué)模式,即師生雙方共同在實(shí)訓(xùn)室參與項(xiàng)目教學(xué)
關(guān)鍵字：環(huán)節(jié) 應(yīng)用工藝電子教學(xué) 項(xiàng)目

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言

對(duì)于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過(guò)不同的配置選擇，嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口，雙端口
關(guān)鍵字： RAM 重構(gòu) 模塊設(shè)計(jì) 方法 FPGA 平臺(tái) 0.13 微米 CMOS 工藝

0．6μm CMOS工藝全差分運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

0 引言
運(yùn)算放大器是數(shù)據(jù)采樣電路中的關(guān)鍵部分，如流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在此類(lèi)設(shè)計(jì)中，速度和精度是兩個(gè)重要因素，而這兩方面的因素都是由運(yùn)放的各種性能來(lái)決定的。
本文設(shè)計(jì)的帶共模反饋的兩級(jí)高增益運(yùn)
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基于0．5 μm BCD工藝的欠壓鎖存電路設(shè)計(jì)

針對(duì)DC－DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能，提出一種改進(jìn)的欠壓鎖存電路。所設(shè)計(jì)的電路在不使用額外的帶隙基準(zhǔn)電壓源作為比較基準(zhǔn)的情況下，實(shí)現(xiàn)了閾值點(diǎn)電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個(gè)電路采用CSMC0．5 μm BCD工藝設(shè)計(jì)，使用HSpice軟件仿真，結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點(diǎn)。
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國(guó)產(chǎn)設(shè)備必須走自主創(chuàng)新之路

　　半導(dǎo)體設(shè)備和材料企業(yè)的技術(shù)提升及創(chuàng)新要從研究材料入手，從源頭上達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。在工業(yè)制備方面要加強(qiáng)新型工藝的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備性能、控制已達(dá)到國(guó)際高端水平，但穩(wěn)定性還待提升。另外，需要做高端設(shè)備工藝方面的提升和研究。　　蘭州瑞德自主開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品涉及多行業(yè)、多領(lǐng)域，在國(guó)際金融危機(jī)期間，遇到的問(wèn)題主要在工藝應(yīng)用和需求行業(yè)比例發(fā)生變化方面，公司根據(jù)各行業(yè)特點(diǎn)，公司采取新品上市、設(shè)備改制、設(shè)備派生等手段，使研、切、拋電子專(zhuān)用設(shè)備進(jìn)入各行業(yè)的速度加快了，尤其是視窗、光學(xué)等行業(yè)。半導(dǎo)體行業(yè)仍主打高端設(shè)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備工藝

基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop

近年來(lái)，軟件無(wú)線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無(wú)線電臺(tái)要求對(duì)天線接收的模擬信號(hào)經(jīng)過(guò)放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過(guò)高，技術(shù)上所限難以實(shí)現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對(duì)
關(guān)鍵字： Telescopic 0.13 CMOS 工藝