- 隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內該技術也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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爾必達 NAND
- DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品價格一再破底，但DRAM廠募資腳步卻從未停歇，像茂德計劃募資是為尋找活下去的救命錢，爾必達(Elpida)日前也宣布要發(fā)行500 億日圓(約新臺幣179億元)新股和近300億日圓的可轉債，決定大舉投入30納米和25納米制程，并加碼行動裝置用存儲器的技術投資。不過由于爾必達這次在市場景氣低迷之際，進行如此大規(guī)模的募資行動，也引發(fā)市場不小爭議。
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爾必達 DRAM
- 據(jù)路透社報道，世界第三大芯片制造商日本爾必達公司近日計劃發(fā)行新股和可轉換債券，融資近800億日元(折合9.92億美元)。爾必達從傳統(tǒng)的DRAM芯片生產(chǎn)轉向了更為有利可圖的智能手機芯片生產(chǎn)，因此需要此筆資金進行新的研發(fā)和生產(chǎn)。
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爾必達 DRAM
- 北京時間7月11日午間消息，據(jù)知情人士透露，全球第三大DRAM制造商爾必達計劃通過發(fā)行新股和可轉換債券的方式融資800億日元(約合9.92億美元)。
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爾必達 存儲芯片
- 爾必達存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術實現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
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爾必達 SDRAM
- 日本爾必達公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
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爾必達 DRAM
- 據(jù)日本媒體報道，近日世界半導體市場統(tǒng)計機構WSTS發(fā)布了關于2011年世界半導體出貨統(tǒng)計的預測。WSTS報告指出，2011年全球半導體出貨額將達3144億美元(25兆1520億日元)，同比增長了5%。受地震影響，日本半導體出貨額將減少6%。
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爾必達 半導體
- 日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米。
超薄DRAM將有助于減少智能手機等移動設備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的DRAM相同。
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爾必達 DRAM
- DRAM價格持續(xù)處于跌價泥淖，不只臺系DRAM廠陸續(xù)轉型、退出，國際大廠也在尋求長遠生存之道，近日傳出爾必達(Elpida)、美光 (Micron)、南亞科高層接觸頻繁，為未來可能的合作暖身，其中華亞科成為這次整并的中心點，因此也傳出爾必達對華亞科的股權有興趣，為此和美光、臺塑接洽;業(yè)界認為DRAM產(chǎn)業(yè)未來在技術、資金等門檻越來越高下，若要有效對抗三星電子(Samsung Electronics)，美日結盟勢為必走之路。
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爾必達 DRAM
- DRAM產(chǎn)業(yè)走過2008年底的全球金融風暴后，仍舊是跌多漲少，即使各廠都把產(chǎn)能轉去做其它產(chǎn)品，如Mobile RAM、服務器DRAM等，PC DRAM仍是面臨持續(xù)崩跌局面，因此集成的議題持續(xù)被討論;金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)即表示，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)不集成只有死路一條;某臺廠 DRAM廠高層即表示，整并最恰當?shù)姆绞绞?家母廠(美光、爾必達)先自行整并，臺灣DRAM廠自然會集成?！?/li>
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爾必達 DRAM
- 日本爾必達公司近日宣布成功開發(fā)出了DRAM業(yè)界首款使用HKMG技術的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程級別DRAM芯片產(chǎn)品。HKMG技術即指晶體管的柵極絕緣層采用高介電常數(shù)(縮寫為high-k即HK)材料，柵電極采用金屬材料 (Metalgate即MG)。采用這種技術的晶體管可減小柵漏電流并提升晶體管的性能?！?/li>
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爾必達 DRAM
- 日系存儲器大廠爾必達(Elpida)臺灣人事和營運布局大地震，總經(jīng)理謝俊雄6月初閃電退休，職缺暫由全球業(yè)務副總張士昌兼任，同時爾必達也著手整頓臺灣PC DRAM通路代理，由過去2~3家代理商的策略，收回由力晶關系人近期秘密成立的新通路商智勝統(tǒng)籌，另外也傳出爾必達將小幅入股智勝，象征與力晶之間的合作關系緊密;存儲器業(yè)者認為，力晶年初宣布棄品牌投注爾必達代工麾下，對雙方營運層面的改變才正要開始而已。
2年前臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)雖然沒有集成成功，但顯然地，爾必達已默默搜刮臺灣12寸晶圓產(chǎn)能，從茂德合作伙伴
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爾必達 DRAM
- 看好3D市場，DRAM大廠爾必達日前宣布，將與臺灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開TSV產(chǎn)品的共同開發(fā);爾必達表示，三方還將針對3D IC整合技術、28納米先進制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)進行開發(fā)與商務合作。
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爾必達 3D芯片
- 日本爾必達存儲器正致力于通過小額設備投資實現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預計2011財年(2011年4月～2012年3月)的DRAM需求增幅將達到50%/年，但卻打算以較上財年減少30%的設備投資額(800億日元)來應對。從40nm開始采用的嵌入式字線(Word Line)工藝技術是確保上述計劃得以實現(xiàn)的關鍵。
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爾必達 DRAM
- 據(jù)韓聯(lián)社報導，三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)部社長權五鉉在三星主要首長團會議中表示，日本DRAM制造廠爾必達(Elpida)雖然公開表示已開發(fā)出25納米DRAM，但仍需持續(xù)觀察至正式量產(chǎn)，表現(xiàn)出存疑的態(tài)度。
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爾必達 DRAM
爾必達介紹
Elpida ELPIDA\爾必達是日本最主要的DRAM半導體芯片制造廠商,主要生產(chǎn)DRAM顆粒,并且自己制造原產(chǎn)的ELPIDA內存條.Elpida在歐美市場以提供高品質的DRAM類產(chǎn)品而著稱,但因在大陸地區(qū)韓系廠商的流行,且本身定位于高端產(chǎn)品所以目前在中國較少有貨物銷售,但同時也為廣大業(yè)者帶來潛在的商機.
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