存儲(chǔ)器文章最新資訊

鐵電存儲(chǔ)器工作原理和器件結(jié)構(gòu)

鐵電存儲(chǔ)器工作原理和器件結(jié)構(gòu)1 鐵電存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器的需求越來(lái)越大 ...
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FPGA中SPI Flash存儲(chǔ)器的復(fù)用編程方法的實(shí)現(xiàn)

SPI(Serial Peripheral Interface，串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上只占 ...
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串行FLASH存儲(chǔ)器在小型LED顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用系統(tǒng)分析

LED顯示屏由于其具有耗電少、使用壽命長(zhǎng)、成本低、亮度高、故障少、視角大、可視距離遠(yuǎn)等特點(diǎn)，已經(jīng)成為新一代的信息傳播媒體工具。LED與LCD相比較最突出的特點(diǎn)是亮度高、成本低且屏幕尺寸可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況用標(biāo)準(zhǔn)LED單
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可靠性和性能俱佳的存儲(chǔ)器

除了NOR閃存之外，醫(yī)療電子中也會(huì)用到存儲(chǔ)量更大的NAND閃存，以及Managed NAND。醫(yī)療電子中可以用到的產(chǎn)品有工業(yè)級(jí)CF存儲(chǔ)卡和工業(yè)/汽車(chē)eMMC存儲(chǔ)器，工業(yè)級(jí)產(chǎn)品可以更好的滿足醫(yī)療電子對(duì)工作溫度、平均無(wú)故障時(shí)間的要
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增強(qiáng)型51系列單片機(jī)W77E58的存儲(chǔ)器訪問(wèn)

增強(qiáng)型51系列單片機(jī)W77E58可與標(biāo)準(zhǔn)的8052兼容，它內(nèi)含4個(gè)8位I/O口、3個(gè)16位計(jì)數(shù)器和全雙工串行通信接口。由于W77E58對(duì)處理器內(nèi)核進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，因而其性能較之于標(biāo)準(zhǔn)的8052有了很大提高。W77E58改進(jìn)了傳統(tǒng)處理器的
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快速創(chuàng)建存儲(chǔ)器接口的設(shè)計(jì)

Xilinx FPGA 提供可簡(jiǎn)化接口設(shè)計(jì)的 I/O 模塊和邏輯資源。盡管如此，這些 I/O 模塊以及額外的邏輯仍需設(shè)計(jì)人員在源 RTL 代碼中配置、驗(yàn)證、執(zhí)行，并正確連接到系統(tǒng)的其余部分，然后仔細(xì)仿真并在硬件中進(jìn)行驗(yàn)證。

　
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Ramtron推出最低功耗非易失性存儲(chǔ)器FM25P16

　　世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器，為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開(kāi)創(chuàng)了全新的機(jī)遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲(chǔ)器系列中的首個(gè)產(chǎn)品，其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一，并具有快速讀/寫(xiě)特性和幾無(wú)乎無(wú)限次的耐用性。　　Ramtron市場(chǎng)推廣副總
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一種應(yīng)用于OTP存儲(chǔ)器的新型電荷泵的設(shè)計(jì)

摘要：對(duì)一次性可編程(OTP)存儲(chǔ)器進(jìn)行編程時(shí)需要較大的編程電流，而傳統(tǒng)的DICKSON電荷泵電路所提供的編程電流較小，不能滿足要求。本文提出了一種適用于OTP存儲(chǔ)器的新型電荷泵電路，在3．3V的工作電壓下，輸出電壓7V
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NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的閃存芯片。一個(gè)NAND類(lèi)型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè)，塊是擦
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ARM片外FIash存儲(chǔ)器IAP解決方案

ARM片外FIash存儲(chǔ)器IAP解決方案,0 引言以ARM芯片為處理器核的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，以其小體積、低功耗、低成本、高性能、豐富的片內(nèi)資源以及對(duì)操作系統(tǒng)的廣泛支持，得到了人們?cè)絹?lái)越多的青睞。在應(yīng)用編程IAP(InApplicatAiON Program)就是這樣的自修改程
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嵌入式系統(tǒng)中存儲(chǔ)器性能研究

嵌入式系統(tǒng)中存儲(chǔ)器性能研究,摘要：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器是嵌入式系統(tǒng)的一個(gè)重要組成部分，而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器故障是嵌入式系統(tǒng)故障的一個(gè)主要原因之一。在此從動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和失效模型出發(fā)，有針對(duì)地提出了用于檢測(cè)性能的數(shù)據(jù)和讀寫(xiě)方式，實(shí)驗(yàn)證
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基于NIOS II的SOPC存儲(chǔ)器型外設(shè)接口的設(shè)計(jì)

基于NIOS II的SOPC存儲(chǔ)器型外設(shè)接口的設(shè)計(jì),0 引言

隨著微電子設(shè)計(jì)技術(shù)與工藝的發(fā)展，數(shù)字集成電路由最初的電子管、晶體管逐步發(fā)展成專(zhuān)用集成電路(ASIC，Application Specific IntegratedCircuit)，同時(shí)可編程邏輯器件也取得了長(zhǎng)足進(jìn)步。

如今，可完成超
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硫系化合物相變存儲(chǔ)器

硫系化合物是由元素周期表第16族元素組成的合金(舊式元素周期表：第VIA族或第VIB族)。在室溫條件下，這些合金的 ...
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74HC373與閃速存儲(chǔ)器AT29C010A及其應(yīng)用

引言FLASH存儲(chǔ)器是一種電擦除與再編程的快速存儲(chǔ)器，又稱(chēng)為閃速存儲(chǔ)器。它可以分為兩大類(lèi)：并行FLASH和串行FLASH。串行產(chǎn)品能節(jié)約空間和成本，但存儲(chǔ)量小，又由于是串行通信，所以速度較慢，開(kāi)發(fā)編程較復(fù)雜；并行產(chǎn)品
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使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]