存儲器文章最新資訊

FPGA中SPI Flash存儲器的復(fù)用編程方法的實(shí)現(xiàn)

SPI(Serial Peripheral Interface，串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上只占 ...
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串行FLASH存儲器在小型LED顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用系統(tǒng)分析

LED顯示屏由于其具有耗電少、使用壽命長、成本低、亮度高、故障少、視角大、可視距離遠(yuǎn)等特點(diǎn)，已經(jīng)成為新一代的信息傳播媒體工具。LED與LCD相比較最突出的特點(diǎn)是亮度高、成本低且屏幕尺寸可根據(jù)現(xiàn)場情況用標(biāo)準(zhǔn)LED單
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可靠性和性能俱佳的存儲器

除了NOR閃存之外，醫(yī)療電子中也會用到存儲量更大的NAND閃存，以及Managed NAND。醫(yī)療電子中可以用到的產(chǎn)品有工業(yè)級CF存儲卡和工業(yè)/汽車eMMC存儲器，工業(yè)級產(chǎn)品可以更好的滿足醫(yī)療電子對工作溫度、平均無故障時間的要
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增強(qiáng)型51系列單片機(jī)W77E58的存儲器訪問

增強(qiáng)型51系列單片機(jī)W77E58可與標(biāo)準(zhǔn)的8052兼容，它內(nèi)含4個8位I/O口、3個16位計數(shù)器和全雙工串行通信接口。由于W77E58對處理器內(nèi)核進(jìn)行了重新設(shè)計，因而其性能較之于標(biāo)準(zhǔn)的8052有了很大提高。W77E58改進(jìn)了傳統(tǒng)處理器的
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快速創(chuàng)建存儲器接口的設(shè)計

Xilinx FPGA 提供可簡化接口設(shè)計的 I/O 模塊和邏輯資源。盡管如此，這些 I/O 模塊以及額外的邏輯仍需設(shè)計人員在源 RTL 代碼中配置、驗(yàn)證、執(zhí)行，并正確連接到系統(tǒng)的其余部分，然后仔細(xì)仿真并在硬件中進(jìn)行驗(yàn)證。

　
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Ramtron推出最低功耗非易失性存儲器FM25P16

　　世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計開創(chuàng)了全新的機(jī)遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲器系列中的首個產(chǎn)品，其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一，并具有快速讀/寫特性和幾無乎無限次的耐用性。　　Ramtron市場推廣副總
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一種應(yīng)用于OTP存儲器的新型電荷泵的設(shè)計

摘要：對一次性可編程(OTP)存儲器進(jìn)行編程時需要較大的編程電流，而傳統(tǒng)的DICKSON電荷泵電路所提供的編程電流較小，不能滿足要求。本文提出了一種適用于OTP存儲器的新型電荷泵電路，在3．3V的工作電壓下，輸出電壓7V
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NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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ARM片外FIash存儲器IAP解決方案

ARM片外FIash存儲器IAP解決方案,0 引言以ARM芯片為處理器核的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，以其小體積、低功耗、低成本、高性能、豐富的片內(nèi)資源以及對操作系統(tǒng)的廣泛支持，得到了人們越來越多的青睞。在應(yīng)用編程IAP(InApplicatAiON Program)就是這樣的自修改程
關(guān)鍵字： IAP 解決方案存儲器 FIash 片外 ARM

嵌入式系統(tǒng)中存儲器性能研究

嵌入式系統(tǒng)中存儲器性能研究,摘要：動態(tài)隨機(jī)存儲器是嵌入式系統(tǒng)的一個重要組成部分，而動態(tài)隨機(jī)存儲器故障是嵌入式系統(tǒng)故障的一個主要原因之一。在此從動態(tài)隨機(jī)存儲器的結(jié)構(gòu)和失效模型出發(fā)，有針對地提出了用于檢測性能的數(shù)據(jù)和讀寫方式，實(shí)驗(yàn)證
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基于NIOS II的SOPC存儲器型外設(shè)接口的設(shè)計

基于NIOS II的SOPC存儲器型外設(shè)接口的設(shè)計,0 引言

隨著微電子設(shè)計技術(shù)與工藝的發(fā)展，數(shù)字集成電路由最初的電子管、晶體管逐步發(fā)展成專用集成電路(ASIC，Application Specific IntegratedCircuit)，同時可編程邏輯器件也取得了長足進(jìn)步。

如今，可完成超
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硫系化合物相變存儲器

硫系化合物是由元素周期表第16族元素組成的合金(舊式元素周期表：第VIA族或第VIB族)。在室溫條件下，這些合金的 ...
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74HC373與閃速存儲器AT29C010A及其應(yīng)用

引言FLASH存儲器是一種電擦除與再編程的快速存儲器，又稱為閃速存儲器。它可以分為兩大類：并行FLASH和串行FLASH。串行產(chǎn)品能節(jié)約空間和成本，但存儲量小，又由于是串行通信，所以速度較慢，開發(fā)編程較復(fù)雜；并行產(chǎn)品
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使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計

使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計,基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
關(guān)鍵字： SoC 存儲器設(shè)計 ASIC 嵌入式 SRAM 工藝實(shí)現(xiàn) 使用

TMS320C32浮點(diǎn)DSP存儲器接口設(shè)計

摘要：ＴＭＳ３２０Ｃ３２是美國德州儀器公司第三代數(shù)字信號處理器的新產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于實(shí)時數(shù)據(jù)采集和信號處理系統(tǒng)中。介紹了ＴＭＳ３２０Ｃ３２存儲...
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]