半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

臺(tái)積電今年資本支出將介于140到150億美元創(chuàng)歷史新高

近日，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電今日召開法說會(huì)，展望第四季度，預(yù)計(jì)合并營收介于102~103億美元，可望續(xù)創(chuàng)新高。同時(shí)，臺(tái)積電今年的資本支出也將上調(diào)，預(yù)計(jì)介于140~150億美元，而原先預(yù)計(jì)為超過110億美元，上調(diào)幅度約27.27~36.36%，創(chuàng)下新高紀(jì)錄。
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利用?NI?半導(dǎo)體?測試?系統(tǒng)?(STS)?軟件?的?增強(qiáng)?功能，?進(jìn)一步?加速?測試?程序?的?開發(fā)，?提高?運(yùn)營?效率

2019年9月12日 – 美國國家儀器（National Instruments，簡稱“NI”）是一家軟件定義平臺(tái)的提供商，其平臺(tái)有助于加速自動(dòng)化測試和自動(dòng)化測量系統(tǒng)的開發(fā)和性能提升，該公司于今日推出了STS軟件的最新增強(qiáng)功能，這些功能可顯著提升NI半導(dǎo)體測試系統(tǒng)的編程和調(diào)試體驗(yàn)，并大大提高測試執(zhí)行速度、并行測試效率和整體設(shè)備效率。由于市場壓力不斷增加，半導(dǎo)體生產(chǎn)測試工程師正在力圖加快新測試程序的開發(fā)、調(diào)試和部署進(jìn)程，以快速投入量產(chǎn)。對(duì)于尚未擁有測試系統(tǒng)的用戶，STS軟件2019提供了更優(yōu)化的線
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日韓就半導(dǎo)體材料出口管制問題未達(dá)成一致將再次磋商

據(jù)報(bào)道，因日本加強(qiáng)對(duì)韓出口半導(dǎo)體材料的管制，韓國此前向世界貿(mào)易組織(WTO)提起了訴訟。近日，日韓兩國在WTO總部瑞士日內(nèi)瓦圍繞該問題舉行了雙邊磋商，但并未談妥。雙方同意就此問題再度舉行磋商，但日程未定。
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廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院江門中心正式成立

近日，珠西科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心掛牌儀式暨廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院江門中心成立大會(huì)，在江門市國家高新區(qū)火炬大廈隆重舉行。江門市委常委統(tǒng)戰(zhàn)部長歷為民、省科學(xué)院副院長李定強(qiáng)、江門市政協(xié)副主席任安良、江海區(qū)區(qū)長勞茂昌、江門市科技局局長馮一寧、省科學(xué)院對(duì)外合作部副主任裘鋼、省半導(dǎo)體院黨委書記彭海寧，省科學(xué)院產(chǎn)業(yè)育成中心黨委書記趙明、省工業(yè)檢測中心副主任林義民，以及江門市相關(guān)政府部門領(lǐng)導(dǎo)、企業(yè)負(fù)責(zé)人，省半導(dǎo)體院學(xué)科帶頭人、平臺(tái)負(fù)責(zé)人、科研骨干100余人參加成立大會(huì)。
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半導(dǎo)體談判失??！韓國GDP或因此損失2.2%，那日本經(jīng)濟(jì)損失多少？

據(jù)報(bào)道，2019年10月13日，韓國與日本就半導(dǎo)體材料進(jìn)出口一事的協(xié)商再次失敗——這意味著從2019年上半年開始的“日韓半導(dǎo)體爭端”，雖然經(jīng)過多輪協(xié)商，但一直無法解決問題。外界分析，從目前兩國的分歧來看，短期內(nèi)此事或仍將無解。韓國、日本的半導(dǎo)體之爭20多年前，全球半導(dǎo)體行業(yè)是美國企業(yè)獨(dú)大——英特爾也是全球最大半導(dǎo)體公司。此時(shí)日本和韓國都在積極進(jìn)入半導(dǎo)體（俗稱芯片）行業(yè)，但最終結(jié)果卻是：韓國相關(guān)企業(yè)“全面勝出”，如三星、SK海力士等，成為全球頂尖半導(dǎo)體公司。三星集團(tuán)甚至最終超過了美國的英特爾，成為全球最大的
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半導(dǎo)體內(nèi)載荷子特征參數(shù)增至7個(gè)

科技日?qǐng)?bào)北京10月14日電（記者劉霞）半導(dǎo)體是如今這個(gè)電子時(shí)代的基礎(chǔ)，但半導(dǎo)體內(nèi)的電子電荷還有很多秘密有待揭示，這限制了該領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展。最近，一個(gè)國際科研團(tuán)隊(duì)稱，他們?cè)诮鉀Q這些已延續(xù)140年的物理學(xué)謎題上取得重大突破。他們研制出一種新技術(shù)，可獲得更多有關(guān)半導(dǎo)體內(nèi)電子電荷的信息，有望推動(dòng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，使我們獲得更好的光電設(shè)備等。為了真正理解半導(dǎo)體的物理性質(zhì)，首先需要了解其內(nèi)部載荷子的基本特性。1879年，美國物理學(xué)家埃德溫·霍爾發(fā)現(xiàn)，磁場會(huì)偏轉(zhuǎn)導(dǎo)體內(nèi)載荷子的運(yùn)動(dòng)，偏轉(zhuǎn)量可測為垂直于電荷流的電
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5G有望扭轉(zhuǎn)陷入嚴(yán)重衰退半導(dǎo)體行業(yè)

市場研究機(jī)構(gòu)IHS Markit的最新數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體行業(yè)2019年的收入將比去年下降近13%，這意味著這個(gè)行業(yè)的衰退趨勢仍在繼續(xù)惡化。不過IHS Markit的研究人員認(rèn)為，5G有望扭轉(zhuǎn)這一切。
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工信部：持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展

10月8日消息，據(jù)工信部網(wǎng)站發(fā)布的消息，工信部日前復(fù)函政協(xié)十三屆全國委員會(huì)第二次會(huì)議第2282號(hào)（公交郵電類256號(hào)）提案表示，將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會(huì)等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，深入推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同，促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣。工信部稱，集成電路是高度國際化、市場化的產(chǎn)業(yè)，資源整合、國際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。工信部與相關(guān)部門積極支持國內(nèi)企業(yè)、
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Achronix加入臺(tái)積電（TSMC）半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）聯(lián)盟計(jì)劃

近日，基于現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的硬件加速器件和高性能嵌入式FPGA（eFPGA）半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司（Achronix Semiconductor Corporation）已加入臺(tái)積電IP聯(lián)盟計(jì)劃，該計(jì)劃是臺(tái)積電開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）的關(guān)鍵組成部分。Achronix屢獲殊榮的Speedcore? eFPGA IP針對(duì)高端和高性能應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。Speedcore eFPGA IP現(xiàn)已可用在TSMC 16nm FinFET Plus（16FF +）和N7工藝技術(shù)
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日媒：日韓對(duì)立會(huì)讓中國半導(dǎo)體超越三星

《日本經(jīng)濟(jì)新聞》9月25日?qǐng)?bào)道，目前，日本半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備企業(yè)已經(jīng)開始“轉(zhuǎn)向中國”。在中國，設(shè)備投資額達(dá)到1萬億日元（1日元約合0.009美元）規(guī)模的半導(dǎo)體工廠的建設(shè)計(jì)劃相繼浮出水面。對(duì)于銷售生產(chǎn)設(shè)備的企業(yè)來說，中國是有潛力的市場。東京電子的負(fù)責(zé)人表示，“以100人為單位讓營業(yè)負(fù)責(zé)人到中國長期出差，在各地推進(jìn)洽談”。報(bào)道稱，中國企業(yè)要穩(wěn)定量產(chǎn)尖端半導(dǎo)體，預(yù)計(jì)仍需要較長時(shí)間。但是，將來日系零部件廠商無疑也將轉(zhuǎn)向中國。在液晶面板領(lǐng)域，中國企業(yè)的產(chǎn)能已超越韓國企業(yè)。在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部，認(rèn)為“接下來是半導(dǎo)
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科銳將在美國紐約州建造全球最大SiC制造工廠

2019年9月23日，美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊 – 作為碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree, Inc.，美國納斯達(dá)克上市代碼：CREE），于今日宣布計(jì)劃在美國東海岸創(chuàng)建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工廠?？其J將在美國紐約州Marcy建造一座全新的采用最先進(jìn)技術(shù)并滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的200mm功率和射頻（RF）晶圓制造工廠，而與之相輔相成的超級(jí)材料工廠（mega materials factory）的建造擴(kuò)產(chǎn)正在公司達(dá)勒姆總部開展進(jìn)行。這一新制造工廠是先前所宣布計(jì)劃的一部
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日月光半導(dǎo)體連續(xù)4年蟬聯(lián)道瓊永續(xù)領(lǐng)導(dǎo)者

近日，日月光投控旗下日月光半導(dǎo)體宣布，公司今年連續(xù)第4年蟬聯(lián)道瓊永續(xù)指數(shù)（DJSI）“半導(dǎo)體及半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)組”產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者殊榮，為全球首家獲此肯定的封測業(yè)者，并打破以往3連霸記錄。
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WTO：韓國就半導(dǎo)體材料出口管制起訴日本，磋商期60天

世界貿(mào)易組織（WTO）16日發(fā)布消息稱，針對(duì)日本對(duì)3種半導(dǎo)體材料實(shí)施出口管制一事，韓國已向WTO申訴，申訴要求已于16日分發(fā)給WTO成員。據(jù)日本共同社報(bào)道，韓國向WTO申訴日本對(duì)3種半導(dǎo)體材料實(shí)施出口管制一事，起訴日期為9月11日。今后60天是日韓兩國的磋商期。若其間未能解決，韓國將要求設(shè)置由貿(mào)易問題專家（原則上3人）組成的爭端解決專家組，交由第三方裁定。對(duì)此，日本外相茂木敏充16日在外務(wù)省向媒體表示：“將根據(jù)程序嚴(yán)肅應(yīng)對(duì)?！惫餐绶Q，WTO本月10日就韓國對(duì)日本產(chǎn)氣閥征收反傾銷稅的問題做出了日本勝訴的最
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奶一口”5G元?dú)鉂M滿，半導(dǎo)體板塊要上高地？

盡管有人擔(dān)心庫存水平有問題會(huì)拖累半導(dǎo)體行業(yè)，但該板塊仍有能力實(shí)現(xiàn)增長，VanEck semiconductor ETF今年迄今已上漲40%。對(duì)投資者來說，除了好消息之外，表現(xiàn)最好的分析師之一認(rèn)為，有幾種催化劑可能推動(dòng)半導(dǎo)體類股進(jìn)一步上漲?！拔覀兤毡檎J(rèn)為，自2018年7月開始的多季度庫存調(diào)整已基本結(jié)束，庫存水平已見底。盡管近期宏觀經(jīng)濟(jì)波動(dòng)劇烈，但我們相信，2020年將有許多催化劑對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生積極影響。考慮到這一點(diǎn)，我們使用TipRanks股票比較工具來仔細(xì)研究這個(gè)領(lǐng)域中的一些股票是如何相互競爭的。我們的
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振興半導(dǎo)體行業(yè)需要科學(xué)的規(guī)劃和布局

　　日前，北京大學(xué)教授、半導(dǎo)體業(yè)資深人士周治平稱，中國至少需要“5到10年時(shí)間”才能在半導(dǎo)體領(lǐng)域趕上美國、韓國等國家，因?yàn)樘嵘麄€(gè)生態(tài)系統(tǒng)需要時(shí)間，尤其是在其他國家（在硬件、軟件、服務(wù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面）實(shí)施技術(shù)封鎖的時(shí)候，必須要自己開發(fā)出相關(guān)的設(shè)備、工具和技術(shù)。　　長期以來，中國作為全球最大電子產(chǎn)品制造國家與消費(fèi)國家，電子信息產(chǎn)品的核心半導(dǎo)體元器件以及集成電路高端制造裝備和原材料嚴(yán)重依賴進(jìn)口?，F(xiàn)在，隨著以美國為首的西方發(fā)達(dá)國家對(duì)中國進(jìn)口裝備與原材料進(jìn)行嚴(yán)格的審查和限制，禁止中國企業(yè)通過市場的方式并購相關(guān)企業(yè)
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]