半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

北大教授：在半導(dǎo)體上中國需5-10年才能趕上美國

9月3日消息，北京大學(xué)教授、半導(dǎo)體業(yè)資深人士周治平稱，中國至少需要“5到10年時間”才能在半導(dǎo)體領(lǐng)域趕上美國、韓國等國家......
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人民日報:近九成受訪美企不愿將業(yè)務(wù)遷出中國

美中貿(mào)易全國委員會調(diào)查顯示，87%的受訪美國企業(yè)表示，他們沒有也不打算將業(yè)務(wù)遷出中國；83%的受訪美國企業(yè)表示，過去一年他們沒有削減或停止對華投資。美國榮鼎咨詢公司的數(shù)據(jù)顯示，今年上半年，美國企業(yè)在華投資68億美元，較過去兩年同期均值增長1.5%，逆勢上揚。中國消費增長仍然強勁，許多美國企業(yè)正在向中國二三線城市擴張，我們的經(jīng)驗表明，中國政府仍然非常歡迎美國和其他國家投資，并持續(xù)創(chuàng)造良好的營商環(huán)境。近日，美國知名會員制倉儲連鎖超市開市客在中國開設(shè)第一家分店，開業(yè)首日因客流過大而暫停營業(yè)，這讓人們再次感受到
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為臺積電、中芯國際等提供服務(wù)，吉姆西半導(dǎo)體無錫再投超15億元

9月1日，總投資15.3億元的吉姆西半導(dǎo)體科技（無錫）有限公司（以下簡稱“吉姆西半導(dǎo)體”）12英寸集成電路先進(jìn)制程技術(shù)及裝備研發(fā)制造項目正式簽約落戶無錫錫山。據(jù)錫山發(fā)布報道，此次吉姆西半導(dǎo)體投資建設(shè)的集成電路先進(jìn)制程技術(shù)及裝備研發(fā)制造項目計劃分兩期建設(shè)，一期投產(chǎn)時間預(yù)計為2021年第一季度，二期建設(shè)時間為2023年~2025年，項目建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計可完成年開票銷售20億元，實現(xiàn)年綜合稅收1億元以上。天眼查顯示，吉姆西半導(dǎo)體于2014年注冊于無錫錫山， 2018年，吉姆西半導(dǎo)體投資6億元的半導(dǎo)體耗材項目就在
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貿(mào)易保護(hù)盛行時，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)如何突圍？

　　迎?九?（《電子產(chǎn)品世界》，北京?100036）　　摘?要：在廈門海滄“2019集微半導(dǎo)體峰會主題峰會”的圓桌論壇上，投資界及芯片封裝、設(shè)計界的代表分析了貿(mào)易戰(zhàn)的影響，包括3個部分：國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有哪些短板；中美貿(mào)易摩擦的短期與長期走勢分析判斷；對政府的建議。　　關(guān)鍵詞：貿(mào)易保護(hù)；半導(dǎo)體；產(chǎn)業(yè)鏈；本土　　“貿(mào)易保護(hù)盛行時，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)如何突圍”是很大的話題，就像眾軍包圍如何突圍。不過，如果按照做企業(yè)、做創(chuàng)始人的思路，可把這個大題目進(jìn)行分解，成為若干細(xì)小、具體的話題，并逐個解決。本文分解成了3個具體話
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合作共贏，科創(chuàng)加速共建“先進(jìn)半導(dǎo)體和光電技術(shù)聯(lián)合轉(zhuǎn)化孵化平臺”、“科創(chuàng)板加速中心”簽約儀式

近日，中國電子科技集團(tuán)公司信息科學(xué)研究院、招商證券股份有限公司、北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司三方簽訂共建“先進(jìn)半導(dǎo)體和光電技術(shù)聯(lián)合轉(zhuǎn)化孵化平臺”、“科創(chuàng)板加速中心”戰(zhàn)略合作協(xié)議。三方將發(fā)揮各自資源優(yōu)勢開展深入合作，以先進(jìn)技術(shù)為抓手，通過技術(shù)與資本、成果與市場、人才與產(chǎn)業(yè)的深度融合，助力以先進(jìn)半導(dǎo)體和光電技術(shù)為核心的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
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華為出手第三代半導(dǎo)體材料性能實現(xiàn)千倍提升

華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股達(dá)10%。山東天岳是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
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日韓決裂，半導(dǎo)體誰最受傷？

6月末也是在大阪召開G20結(jié)束的時間，此次出口限制可謂是對韓國企業(yè)的一次“偷襲”！此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時的“日本偷襲珍珠港”。
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日本斷供韓國半導(dǎo)體材料國產(chǎn)屏迎來重大機遇

????????日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省7月1日宣布，日本將限制對韓國出口3種半導(dǎo)體材料。這三種材料是用于制造智能手機與電視機中OLED顯示器部件使用的“氟聚酰亞胺”、“光刻膠”和“高純度氟化氫”，這個消息一出，三星、LG的股票都有所下降，影響很明顯。京東方柔性屏技術(shù)展示知名分析師郭明錤給出的報告顯示，蘋果將引入更多 OLED 屏幕供應(yīng)商來降低風(fēng)險，例如逐步提高LG生產(chǎn)的iPhone OLED屏幕比例，并將中國制造商BOE（京東方）作為
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全球半導(dǎo)體上半年營收同比跌18% Intel重回第一

????????最新數(shù)據(jù)顯示，上半年全球半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)值1487.2億美元，同比下跌18%。整體上看，各個廠商均受到內(nèi)存價格下滑影響，今年上半年業(yè)績均不理想。上半年全球半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)值1487.2億美元其中Intel以320億美元的營收位列重回第一，三星以以266.71億美元的營收位列第二，同比下滑33%。臺積電升至第三，上半年營收148.5億美元，相比去年同期下滑9%。SK海力士排第四，營收115.6億美元，下滑35%。美國半導(dǎo)
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繼半導(dǎo)體材料后，光刻機相關(guān)設(shè)備市場或受日韓貿(mào)易戰(zhàn)影響

在半導(dǎo)體設(shè)備的供應(yīng)商名單中，前15大廠商營收占總產(chǎn)值超過8成，由于半導(dǎo)體制造廠商在設(shè)備選擇上多屬于長期合作模式，因而形成目前半導(dǎo)體設(shè)備廠商大者恒大的態(tài)勢。
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日韓半導(dǎo)體廠商來華尋求“突圍”

　　參考消息網(wǎng)8月13日報道據(jù)韓國KBS新聞8月12日報道，韓國政府決定將日本從本國“白名單”中清出，將于9月生效。新加坡媒體報道稱，日韓半導(dǎo)體爆發(fā)貿(mào)易糾紛，韓國半導(dǎo)體制造商開始在中國尋求替代廠家，日本相關(guān)原料生產(chǎn)商也計劃在中國設(shè)廠，滿足韓國廠商需求。　　新加坡《聯(lián)合早報》網(wǎng)站8月12日報道，自從7月1日日本宣布對韓國加強顯示面板和半導(dǎo)體芯片所需的關(guān)鍵材料的出口管制后，韓國芯片制造商正在尋找積極應(yīng)對方案，部分日本供應(yīng)商也在想辦法規(guī)避管制。　　以高純度氟化氫為例，該原料在半導(dǎo)體的生產(chǎn)過程中至關(guān)重要，其主要
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半導(dǎo)體激光芯片檸檬光子獲5000萬元A+輪融資德聯(lián)資本領(lǐng)投

近日，高端半導(dǎo)體激光芯片設(shè)計和生產(chǎn)商檸檬光子宣布獲得5000萬元A+輪融資，本輪融資由德聯(lián)資本領(lǐng)投。2018年作為A輪唯一投資人支持公司的愉悅資本此次持續(xù)追加投資。本輪融資主要用于擴展市場、產(chǎn)品線開發(fā)、運營、質(zhì)量和研發(fā)迭代。
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日本半導(dǎo)體制裁下，文在寅為韓企打氣：呼吁全民共渡難關(guān)

面臨日本在半導(dǎo)體行業(yè)的制裁壓力，韓國總統(tǒng)文在寅7月22日在青瓦臺主持會議為韓國經(jīng)濟(jì)界打氣。
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韓國開發(fā)出三進(jìn)制半導(dǎo)體，二進(jìn)制過時了？

據(jù)報道，韓國一個科研團(tuán)隊已成功在大尺寸晶圓上成功實現(xiàn)了一種更節(jié)能的三元金屬氧化物半導(dǎo)體。
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小米投資半導(dǎo)體設(shè)計廠商芯原微電子獲6%股權(quán)

之前，中國智能手機制造商小米公司已經(jīng)跟隨三星電子、蘋果、華為等對手的步伐，進(jìn)入了自有芯片設(shè)計領(lǐng)域。如今，小米仍然在壯大半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)。據(jù)外媒最新消息，小米日前投資獲得了國內(nèi)芯片設(shè)計公司芯原微電子公司約6%的股份，小米將半導(dǎo)體視為推動創(chuàng)新的核心，與此同時，該公司正在調(diào)整多年來在半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展計劃。
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]