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半導(dǎo)體?測試?系統(tǒng)? 文章 最新資訊

SunEdison擬將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)分拆上市

  •   美國光伏項目開發(fā)商SunEdison Inc(SUNE)周一宣布,已申請將其半導(dǎo)體子公司SunEdison Semiconductor分拆上市,籌資至多2.50億美元,以專注于高利潤率的太陽能業(yè)務(wù)。   該公司上月已表示,計劃于明年初通過一次IPO出售新組建的半導(dǎo)體子公司的少數(shù)股份,并將收益用于建設(shè)太陽能發(fā)電場。   SunEdison原名MEMC電子材料公司,是世界第四大半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)商,由于太陽能電池板價格的持續(xù)疲軟,該公司也和SunPower以及First Solar等其他太陽能公司一樣開始
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基于bq24161+TPS2419雙電池供電方案設(shè)計

  • 基于bq24161+TPS2419雙電池供電方案設(shè)計,隨著便攜式終端產(chǎn)品處理能力的不斷提升以及功能的不斷豐富,終端產(chǎn)品的功耗也越來越大,因此待機(jī)時間就成為產(chǎn)品的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。由于便攜式終端設(shè)備受到體積的限制,不
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SIA:7月份全球芯片銷售強(qiáng)勁成長5.1%

  •   根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)發(fā)布的世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)資料顯示,盡管日本半導(dǎo)體市場銷售下滑,但在美洲地區(qū)強(qiáng)勁成長的表現(xiàn)下,2013年7月全球晶片的平均銷售額較2012年同期成長了5.1%,不但連續(xù)第5個月成長,也創(chuàng)下今年以來的最佳紀(jì)錄。   7月份全球半導(dǎo)體3個月移動平均銷售額較去年成長了5.1%,達(dá)到255.3億美元。市場研究機(jī)構(gòu)Carnegie Group 的分析師Bruce Diesen表示,這一數(shù)字大幅超越了先前預(yù)測的249億美元。   先前月份的平均銷售額每年約成長2.1%
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1-7月大陸自臺灣地區(qū)進(jìn)口集成電路為440億美元

  •   2013年1-7月,我國自臺灣地區(qū)進(jìn)口集成電路為440億美元,同比增長79%,占同期總值的32%。集成電路是我國與臺灣地區(qū)產(chǎn)生貿(mào)易逆差的主要商品,2012年為440億美元,今年1~7月為385億美元。   同期從韓國、馬來西亞分別進(jìn)口255億美元和168億美元,分別以18%和12%的份額列第二、三位。其他進(jìn)口來源地分別為美國、日本、新加坡、菲律賓等。
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德州儀器任命謝兵為公司副總裁暨全球銷售與營銷副總經(jīng)理

  • 德州儀器(TI) (NASDAQ:TXN) 日前宣布謝兵升任為TI副總裁暨全球銷售與營銷副總經(jīng)理一職。在新的職責(zé)中,謝兵將負(fù)責(zé)推動TI全球銷售的關(guān)鍵戰(zhàn)略在各區(qū)域的執(zhí)行。
  • 關(guān)鍵字: TI  半導(dǎo)體  營銷  

臺積電帶頭 臺灣蟬聯(lián)最大半導(dǎo)體支出市場

  •   臺灣蟬聯(lián)2013年全球半導(dǎo)體設(shè)備與材料投資金額雙料冠軍。在臺積電領(lǐng)軍下,今年臺灣半導(dǎo)體設(shè)備與材料的投資金額持續(xù)領(lǐng)先全球,并分別達(dá)到104.3億美元與105.5億美元;至于全球半導(dǎo)體設(shè)備支出金額方面則與去年相當(dāng),維持在362.9億美元上下,預(yù)估2014年可回升至439.8億美元。   鈺創(chuàng)科技董事長暨臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會理事長盧超群表示,臺灣半導(dǎo)體業(yè)者為鞏固全球領(lǐng)先地位,正持續(xù)加碼設(shè)備與材料的投資金額。   鈺創(chuàng)科技董事長暨臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(TSIA)理事長盧超群表示,盡管過去3年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值每年
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張家祝:半導(dǎo)體今年產(chǎn)值估成長9.3%

  •   國際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2013)4日開展,經(jīng)濟(jì)部長張家祝致詞時表示,臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球供應(yīng)鏈上扮演不可或缺的角色,在全球具有高度競爭力,去年(2012年)臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)1.6兆新臺幣,預(yù)估今年(2013年)將成長9.3%,再創(chuàng)新高。   張家祝表示,臺灣是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最重要的國家之一,從IC設(shè)計、晶圓代工到封裝測試等服務(wù),形成完整的產(chǎn)業(yè)聚落,從去年臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)值達(dá)到新臺幣1.6兆元,預(yù)計今年會比去年成長9.3%,可望再創(chuàng)歷史新高。   張家祝指出,臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所
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單片機(jī)最小系統(tǒng)不能燒寫程序的解決思路

  • 現(xiàn)象:單片機(jī)晶振不起振,不能燒寫程序調(diào)查步驟:1、懷疑晶振諧振電容等貼片有誤 ,重新?lián)Q上后,還是不能下載,排除;2、懷疑單片機(jī)電源紋波過大,示波器測量發(fā)現(xiàn)紋波正常,排除;3、懷疑單片機(jī)復(fù)位腳,用示波器測量發(fā)
  • 關(guān)鍵字: 解決  思路  程序  不能  最小  系統(tǒng)  單片機(jī)  

光谷力爭國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三極

  •   8月的最后一個周三,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的非盈利機(jī)構(gòu)GSA(半導(dǎo)體聯(lián)盟)迎來一名新成員,英文名XMC。   說到這位“新人”,GSA亞太區(qū)執(zhí)行長王智立博士這樣描述:“在新興半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中,XMC正扮演著創(chuàng)新且重要的角色”。   這家公司的中文名字叫武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡稱“武漢新芯”),目前芯片產(chǎn)能排名中部第一。從2006年首條12英寸芯片生產(chǎn)線建成,經(jīng)歷了七年之癢的武漢新芯重回公眾視野,卻代表著光谷的雄心&mdas
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盧超群:往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個大多頭

  •   臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(TSIA)理事長暨鈺創(chuàng)科技董事長盧超群表示,今年將是3D IC從研發(fā)到導(dǎo)入量產(chǎn)的關(guān)鍵年,3D IC元年最快明年來臨,往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個大多頭,重現(xiàn)1990年代摩爾定律為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來的爆發(fā)性成長。   隨著矽元件趨近納米極限,摩爾定律開始遭遇瓶頸,各界期盼立體堆疊3D IC技術(shù)延續(xù)摩爾定律   存儲器芯片設(shè)計公司鈺創(chuàng)董事長盧超群上半年接任臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會理事長,他希望透過協(xié)會的影響力,帶領(lǐng)臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)參與各項國際半導(dǎo)體規(guī)格制定、提升人才參與及素質(zhì),并讓國內(nèi)外科技投
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嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中的“團(tuán)隊技能”

  • 前一陣看了幾本有關(guān)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的書,包括RTOS,算法,硬件設(shè)計、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等,感覺這個系統(tǒng)是相當(dāng)復(fù)雜的,所以在此分享一些心得。
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東芝歡慶泰國新半導(dǎo)體工廠開業(yè)

  •   曼谷和東京--(美國商業(yè)資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation,TOKYO:6502)宣布,該公司旗下的泰國公司東芝半導(dǎo)體(泰國)公司(Toshiba Semiconductor (Thailand) Co., Ltd.,簡稱TST)已經(jīng)完成向新半導(dǎo)體制造工廠的搬遷工作,并開始量產(chǎn),象徵著該公司已經(jīng)從2011年災(zāi)難性大洪水中完全恢復(fù)過來。   新廠位于曼谷東北方向約140公里處,這是一座位于泰國巴真府(Prachinburi)304工業(yè)園區(qū)的最先進(jìn)工廠。這座工廠的建設(shè)始于2012
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2013年前十大半導(dǎo)體廠排名 日本急劇衰落

  •  ?。篒CInsights日前公布2013年上半年全球前十大半導(dǎo)體廠營收排名,其中,日本半導(dǎo)體業(yè)者受到產(chǎn)業(yè)競爭加劇及垂直整合商業(yè)模式式微的沖擊,進(jìn)榜業(yè)者已愈來愈少,目前僅存東芝(Toshiba)一家仍榜上有名,相較于1990年時最多六家同時上榜的紀(jì)錄已大幅減少。 ?   2013年前十大半導(dǎo)體廠排名 日本急劇衰落
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我國首次制備大規(guī)模鍺基石墨烯 助推半導(dǎo)體工業(yè)

  •   將助推石墨烯在半導(dǎo)體工業(yè)界廣泛應(yīng)用   記者從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉,該所信息功能材料國家重點(diǎn)實驗室SOI課題組與超導(dǎo)課題組,采用化學(xué)氣相淀積法,在鍺襯底上直接制備出大面積、均勻的、高質(zhì)量單層石墨烯。相關(guān)成果日前發(fā)表于《自然》雜志子刊《科學(xué)報告》。   石墨烯在機(jī)械、電學(xué)、光學(xué)和化學(xué)方面的優(yōu)異性能,使其具有巨大的應(yīng)用前景。目前,化學(xué)氣相沉積法是制備高質(zhì)量、大面積石墨烯的最主要途徑。但是,在石墨烯的生長過程中,金屬基底是必不可少的催化劑,而隨后的應(yīng)用必須要將石墨烯從金屬襯底上轉(zhuǎn)移到所需要的絕緣或者半
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寬禁帶半導(dǎo)體新時代的來臨

  •   第三代半導(dǎo)體中SiC(碳化硅)單晶和GaN(氮化鎵)單晶脫穎而出,最有發(fā)展前景。第三代半導(dǎo)體主要包括SiC單晶、GaN單晶、ZnO單晶和金剛石,其中又以SiC和GaN為最核心的材料。SiC擁有更高的熱導(dǎo)率和更成熟的技術(shù),而GaN直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點(diǎn)則使其擁有更快的研發(fā)速度。兩者的不同優(yōu)勢決定了應(yīng)用范圍上的差異,在光電領(lǐng)域,GaN占絕對的主導(dǎo)地位,而在其他功率器件領(lǐng)域,SiC適用于1200V以上的高溫大電力領(lǐng)域,GaN則更適用900V以下的高頻小電力領(lǐng)域。目前來看,未來2
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半導(dǎo)體?測試?系統(tǒng)?介紹

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