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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 最新資訊
恩智浦半導(dǎo)體東莞封測(cè)廠全線竣工并投產(chǎn)
- 恩智浦半導(dǎo)體日前宣布,恩智浦位于中國(guó)廣東的東莞制造廠五期投資已全部竣工并投入運(yùn)營(yíng),自2000年起,恩智浦于此東莞廠區(qū)投資總計(jì)達(dá)到1.59億美元,剛完成投入的第五期投資金額達(dá)6,260萬(wàn)美金,進(jìn)一步加強(qiáng)了東莞制造廠的產(chǎn)能。 在中國(guó)政府的大力鼓勵(lì)下,中國(guó)半導(dǎo)體及電子行業(yè)正在努力以創(chuàng)新的產(chǎn)品提升自身的競(jìng)爭(zhēng)力。恩智浦東莞制造廠位于中國(guó)電子行業(yè)最發(fā)達(dá)的珠江三角洲,其得天獨(dú)厚的地理優(yōu)勢(shì)能夠幫助恩智浦在降低制造、
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ROHM推世界上最小體積和面積的超小型LED
- 半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社,針對(duì)手機(jī)按鍵、小型點(diǎn)陣式顯示器、小型七段顯示器等追求小型薄型化的產(chǎn)品,推出世界上最小體積和面積的超小型LED「SML-P12Series」(PicoLEDTM)。該產(chǎn)品從2007年1月開始提供樣品(樣品價(jià)格約6.5元人民幣/個(gè)),于2007年4月以月產(chǎn)1000萬(wàn)規(guī)模開始量產(chǎn)。計(jì)劃在ROHMWAKO(日本岡山縣),ROHMSEMICONDUCTORCHINA(中國(guó)天津市),ROHMWAKOMALAYSIA(馬來(lái)西亞‧吉
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飛思卡爾半導(dǎo)體使EDGE RF子系統(tǒng)尺寸減半
- 通過(guò)擴(kuò)大其支持Enhanced Data Rates for GSM Evolution (EDGE) 手機(jī)設(shè)計(jì)的RF產(chǎn)品,飛思卡爾半導(dǎo)體揭開了公司第一款RF CMOS 90 納米收發(fā)器的神秘面紗。新RFX275-30是一個(gè)收發(fā)器子系統(tǒng),具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低發(fā)送和接收電流、高接收器靈敏度,并且結(jié)構(gòu)非常緊湊。通過(guò)簡(jiǎn)化編程,新子系統(tǒng)能夠加快電話制造商的集成速度。此外,通過(guò)極大地減少制造過(guò)程中的測(cè)試時(shí)間和集成過(guò)程
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臺(tái)塑旗下南科、華亞科成為臺(tái)灣最賺錢芯片廠
- 據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》25日?qǐng)?bào)道臺(tái)塑集團(tuán)旗下兩家DRAM(晶圓,即芯片)廠南科、華亞科去年獲利均創(chuàng)新高,稅后純益加起來(lái)超過(guò)300億元(新臺(tái)幣,下同),首度超越力晶,成為臺(tái)灣DRAM界最會(huì)賺錢的集團(tuán)。 南科與華亞科去年每股純益各為4.55元及5.43元,每股獲利能力居本土同業(yè)前兩強(qiáng),兩家公司本業(yè)獲利各約為146億元及164億元,總計(jì)310億元。 南科與華亞科今年加碼投資
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特許半導(dǎo)體應(yīng)對(duì)需求 大幅擴(kuò)充第七晶圓廠
- 特許半導(dǎo)體(CSM)正在大幅度擴(kuò)充第七晶圓廠(Fab7)的產(chǎn)能,以應(yīng)付客戶訂單(市場(chǎng)需求),而且最終的投資額將達(dá)到42億美元至45億美元(65億新元至69億新元),比原先計(jì)劃的多15億美元。它也考慮是否在新加坡建設(shè)多一座先進(jìn)的采用45納米(nm)技術(shù)的晶圓廠,估計(jì)有關(guān)投資可高達(dá)45億美元。 采用45納米技術(shù) 特許半導(dǎo)體總裁謝松輝昨日在發(fā)布業(yè)績(jī)時(shí),對(duì)媒體透露以上企業(yè)
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半導(dǎo)體:新產(chǎn)品迭出 新技術(shù)紛呈
- 全球進(jìn)入65納米時(shí)代 2006年隨著65納米工藝的成熟,英特爾公司65納米生產(chǎn)線步入大批量生產(chǎn)階段。除英特爾外,美國(guó)德州儀器、韓國(guó)三星、日本東芝等世界上重要的半導(dǎo)體廠商的65納米生產(chǎn)線也紛紛投產(chǎn)。 在65納米工藝上,IBM等公司開發(fā)出了快速CMOS技術(shù)。他們采用了SiGe的應(yīng)變硅技術(shù)和SiN薄層,使所開發(fā)的nMOS晶體管的驅(qū)動(dòng)電流為1.259mA/μm,pMOS晶體管的驅(qū)動(dòng)電流為0.735mA/μm。該快速M(fèi)OS晶體管的漏電流在斷開狀態(tài)下僅為200pA/μm。除應(yīng)變硅技術(shù)外,還采用了先進(jìn)的10層布
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飛思卡爾與IBM宣布簽署標(biāo)志性技術(shù)開發(fā)協(xié)議
- 德州奧斯汀和紐約阿芒克-2007年1月23日訊-飛思卡爾半導(dǎo)體公司和IBM宣布,飛思卡爾將加入IBM技術(shù)聯(lián)盟,聯(lián)合進(jìn)行半導(dǎo)體的研究與開發(fā)。 此協(xié)議包括互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)和絕緣硅(SOI)技術(shù)以及45納米一代產(chǎn)品的高級(jí)半導(dǎo)體研究和設(shè)計(jì)支持轉(zhuǎn)換。飛思卡爾是第一個(gè)與IBM技術(shù)聯(lián)盟共同參與低功耗和高性能技術(shù)研究和開發(fā)的技術(shù)開發(fā)合作伙伴。 本協(xié)議將飛思卡爾在主要嵌入式市場(chǎng)(包括汽車、聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線、工業(yè)和消費(fèi)電子)的領(lǐng)先技術(shù)水平與IBM開發(fā)世界一流技術(shù)和業(yè)界領(lǐng)先系統(tǒng)技術(shù)的成功經(jīng)驗(yàn)結(jié)合起來(lái)。 此次合作將
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科勝訊推出全球首個(gè) VDSL2 CPE 網(wǎng)關(guān)半導(dǎo)體解決方案
- 高度集成的高性能芯片組瞄準(zhǔn)先進(jìn)的三重服務(wù)語(yǔ)音、視頻和數(shù)據(jù)應(yīng)用 日前,全球領(lǐng)先的寬帶通信和數(shù)字家庭半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商科勝訊系統(tǒng)公司宣布,推出全球首個(gè)集成 VDSL2 客戶端設(shè)備(CPE)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)解決方案。新型 SoC 系列專門針對(duì)各種三重服務(wù)的語(yǔ)音、視頻和數(shù)據(jù)產(chǎn)品,包括具有 VDSL2功能的 CPE 網(wǎng)關(guān)和基本網(wǎng)橋。該 SoC 具有靈活的架構(gòu),支持所有 VDSL2 profiles,&
- 關(guān)鍵字: CPE VDSL2 半導(dǎo)體 解決方案 科勝訊 通訊 網(wǎng)關(guān) 網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線
半導(dǎo)體新政緩出有因 從文件上升至法律層面
- “我相信中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新政策快要出了?!弊蛉眨虾<呻娐沸袠I(yè)協(xié)會(huì)副秘書長(zhǎng)薛自在“全球半導(dǎo)體行業(yè)中國(guó)峰會(huì)(2007)”上表示。他還笑稱,如再不出來(lái),將率企業(yè)去“請(qǐng)?jiān)浮?。薛自透露,去年,他便率領(lǐng)上海多家企業(yè)代表多次前去北京咨詢政策進(jìn)展,“光紅圖章就敲了28個(gè)?!钡麖?qiáng)調(diào),盡管企業(yè)心情緊迫,也應(yīng)該充分理解國(guó)家在產(chǎn)業(yè)政策制定過(guò)程中的謹(jǐn)慎與科學(xué)態(tài)度。 緩出原因: 從文件上升至法律層面 “是的,大家真是不能急。因?yàn)?,之前?8號(hào)文件《關(guān)于鼓勵(lì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政
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寶麗來(lái)為新系列互聯(lián)娛樂(lè)產(chǎn)品選擇恩智浦半導(dǎo)體解決方案
- 恩智浦媒體處理器推動(dòng)數(shù)字娛樂(lè)中心和互聯(lián)數(shù)字相框,在家中隨時(shí)隨地呈現(xiàn)視頻音頻精彩體驗(yàn) 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors,前身為飛利浦半導(dǎo)體)在拉斯維加斯舉行的2007消費(fèi)電子展(CES)上宣布:寶麗來(lái)公司已經(jīng)選擇了恩智浦來(lái)生產(chǎn)其第一個(gè)完整的消費(fèi)產(chǎn)品互聯(lián)系列——DEC500和DEC1000數(shù)字娛樂(lè)中心和數(shù)字相框(DPF)。恩智浦基于PNX1502媒體處理器的解決方案提供了多種格式的數(shù)字音頻和視頻解碼、卓越的圖像質(zhì)量以及無(wú)縫的網(wǎng)絡(luò)聯(lián)接。尖端的中間件能將高質(zhì)量的音樂(lè)、視頻及
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18號(hào)文遭美施壓 中國(guó)半導(dǎo)體新政今年出臺(tái)
- 業(yè)內(nèi)期盼許久的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新政有望今年出臺(tái)。昨天,記者從信息產(chǎn)業(yè)部獲悉,第五版征求意見稿目前已經(jīng)形成。 信產(chǎn)部產(chǎn)品司副司長(zhǎng)陳英表示,這則《軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展條例》已多次征求業(yè)內(nèi)專家和地方相關(guān)部門的意見,目前形成了《條例》的第五版征求意見稿。下一階段,將在繼續(xù)征求業(yè)內(nèi)意見的基礎(chǔ)上進(jìn)一步修改完善,形成《條例》送審稿,最后上報(bào)國(guó)務(wù)院法制辦,從而進(jìn)入最后的立法程序。 相關(guān)人士透露,最近信產(chǎn)部對(duì)這項(xiàng)政策的推進(jìn)速度非???,今年出臺(tái)的可能性非常大。據(jù)悉,《條例》主要包含十二個(gè)部分的
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半導(dǎo)體 介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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