半導(dǎo)體文章最新資訊

飛兆半導(dǎo)體推出針對I2C應(yīng)用的電壓轉(zhuǎn)換器

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供用于I2C (Inter-Integrated Circuit) 總線的電壓轉(zhuǎn)換器FXM2IC102，在寬泛的電平范圍 (1.65V 到 5.5V) 內(nèi)工作，以適應(yīng)I2C 低電壓應(yīng)用的要求。FXM2IC102為設(shè)計(jì)人員應(yīng)用 (I2C的) 漏極開路接口提供了簡單的方法，以便于手機(jī)與筆記本電腦和其它應(yīng)用設(shè)備的藍(lán)牙和顯示屏接口握手。利用I2C接口，全雙工通信只需要兩條線路 (時(shí)鐘線和數(shù)據(jù)線)；而且，轉(zhuǎn)換器采用緊湊的1.6mm
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另一只眼看蘋果iPhone的退步

終于，蘋果讓那些詬病iPhone不支持3G網(wǎng)絡(luò)的家伙們閉嘴了。6月9日，蘋果全球開發(fā)者大會，一臉憔悴的史蒂夫·喬布斯如期推出了作為第二代蘋果手機(jī)的iPhone 3G。準(zhǔn)確地說，它更應(yīng)該被稱作“iPhone3.5G”。喬布斯甚至宣稱iPhone 3G的上網(wǎng)速度“比諾基亞N95還要快”。　　但是，任何眼前一亮的變化，都抵不上iPhone商業(yè)模
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2009年70多個(gè)晶圓廠項(xiàng)目將促進(jìn)設(shè)備支出超20％的反彈

　　根據(jù)SEMI近期發(fā)布的World Fab Forecast報(bào)告，報(bào)告顯示2008年半導(dǎo)體設(shè)備支出將減少20％，而2009年將獲得超過20％的反彈，主要受全球70多個(gè)晶圓廠項(xiàng)目的帶動。該報(bào)告的2008年8月版列出了53個(gè)晶圓廠組建項(xiàng)目，2009年還有21個(gè)晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目。　　2008年，300mm晶圓廠項(xiàng)目占了晶圓廠設(shè)備支出的90％，約69％的支出用于65nm及以下節(jié)點(diǎn)技術(shù)。2008年全年晶圓廠總產(chǎn)能預(yù)計(jì)相當(dāng)于1600萬片200mm晶圓，年增長率僅9％，2007年增長率達(dá)16％。2009年，總產(chǎn)能預(yù)
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臺灣力晶半導(dǎo)體或推遲新工廠設(shè)備安裝

　　臺灣力晶半導(dǎo)體表示，由于晶片價(jià)格下跌，公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設(shè)備安裝。　　綜合外電8月27日報(bào)道，力晶半導(dǎo)體股份有限公司（5346.OT）發(fā)言人譚仲民27日表示，由于晶片價(jià)格下跌，公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設(shè)備安裝。以收入計(jì)，力晶半導(dǎo)體是臺灣最大的動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）晶片生產(chǎn)商。　　力晶半導(dǎo)體原計(jì)劃于2009年第三季度臺灣北部新竹的兩家工廠建設(shè)完工后開始安裝新設(shè)備。　　譚仲民稱，由于市場狀況較差，目前看來公司可能會在2009年第四季度或2010年年初開始安裝設(shè)
關(guān)鍵字：力晶半導(dǎo)體晶片 12英寸 DRAM

重慶西部硅谷雛形漸顯臺資成其重要支撐

　　重慶這個(gè)目前以汽摩、能源和裝備制造為主打產(chǎn)業(yè)的城市正為未來發(fā)展尋找新增長點(diǎn)，在其建立“西部硅谷”的藍(lán)圖中，臺資企業(yè)成為其重要支撐。　　按照重慶官方規(guī)劃，未來五年里，重慶將以西永微電園為基礎(chǔ)，集群式承接臺灣地區(qū)及歐、美、日電子信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，建設(shè)中國重要的集成電路及電子產(chǎn)品制造基地、軟件及服務(wù)外包基地，力爭五年后電子制造產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到一千億元人民幣。　　重慶相對而言是一個(gè)電子工業(yè)基礎(chǔ)較薄弱的城市，較同屬西部的成都和西安并不具備產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢。然而，三年時(shí)間里，重慶主城西郊的西永微電
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全球首款立體LED誕生

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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索尼研發(fā)世界最頂級紅光半導(dǎo)體激光陣列

　　索尼公司21日宣布已經(jīng)研發(fā)出高功率、短波長的紅光半導(dǎo)體激光二極管陣列，作為投影器件的理想光源。　　為了讓紅光半導(dǎo)體激光二極管陣列能夠適用在投影器件上，它們必須符合高亮度，高效率和室溫下工作的要求。這一新開發(fā)的激光二極管陣列，實(shí)現(xiàn)了振幅波長635nm，產(chǎn)生的亮度水平是傳統(tǒng)紅光半導(dǎo)體激光的1.6倍。　　激光陣列是由25個(gè)寬條紋激光組成，每一個(gè)激光棒的長度是10mm.激光棒安裝在一個(gè)銅散熱器座上。索尼在激光活躍層內(nèi)實(shí)現(xiàn)了最佳的一致性，高純度晶體層，以及在AlInP電鍍層內(nèi)摻雜高濃度的鎂，這一系列措施
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Avago半導(dǎo)體申請?jiān)贜asdaq上市

　　三年前從安捷倫半導(dǎo)體業(yè)務(wù)剝離出來的Avago公司21日周四向美國證券委員會正式填寫發(fā)行IPO的S-1表格，預(yù)計(jì)最高融資4億美元。　　Avago公司最新一個(gè)季度的盈利是每股8分錢。2007財(cái)年該公司一度注銷過高達(dá)1.58億美元的資產(chǎn)。除了光模塊業(yè)務(wù)，Avago目前還提供傳感器，LED顯示，RF器件等產(chǎn)品。
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飛兆半導(dǎo)體舉辦第六屆全球功率技術(shù)研討會

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 將于9月起舉辦第六屆全球技術(shù)研討會，每個(gè)研討會均為期一天，內(nèi)容非常豐富，將為功率設(shè)計(jì)工程師提供開發(fā)高能效應(yīng)用的設(shè)計(jì)技術(shù)、產(chǎn)品技術(shù)和行業(yè)發(fā)展趨勢信息。　　2008 至 2009年度功率技術(shù)研討會的技術(shù)主題包括：　　通過修正的正弦脈寬調(diào)制 (PWM) 減小 BLDC 紋波扭矩　　PQFN封裝的板級評測　　不對稱半橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng). 　　高能效低待機(jī)功耗的輔助電源設(shè)計(jì) 　　從電源到變壓器. 　　在低輸出電壓的直流
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張忠謀：暫無意在內(nèi)地設(shè)12英寸晶圓廠

　　據(jù)臺灣媒體報(bào)道，臺積電董事長張忠謀昨日表示，全球經(jīng)濟(jì)不景氣，今年發(fā)展情況會比去年差很多，在大環(huán)境不好下，臺積電已二度下調(diào)今年全球半導(dǎo)體市場增長率到4%，目前也無意申請?jiān)趦?nèi)地設(shè)立12英寸晶圓廠。　　張忠謀是在出席海基會董監(jiān)事會議后，被媒體追問對全球經(jīng)濟(jì)的看法時(shí)，做出上述表示的。他指出，受到美國次貸風(fēng)暴影響，全球經(jīng)濟(jì)、股市去年以來開始出現(xiàn)疲弱跡象。　　早前，臺積電已將今年全球半導(dǎo)體市場增長率從5%下調(diào)到4%，這也是臺積電今年內(nèi)第二次下調(diào)行業(yè)預(yù)測。　　張忠謀說，目前大環(huán)境不好，在看不見市場需求下
關(guān)鍵字：臺積電晶圓廠 12英寸半導(dǎo)體

日本對現(xiàn)代半導(dǎo)體征收反補(bǔ)貼關(guān)稅降為9.1%

　　當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周五，路透社披露消息稱，日本計(jì)劃削減韓國儲存芯片廠商現(xiàn)代半導(dǎo)體在日本銷售DRAM芯片征收反補(bǔ)貼關(guān)稅。　　媒體援引日本經(jīng)濟(jì)、貿(mào)易和工業(yè)部提供的消息報(bào)道說，日本收取的進(jìn)口反補(bǔ)貼關(guān)稅將從最初的27.2%削減為9.1%。　　數(shù)年來，美國、歐盟和日本以儲存芯片競爭者提出抱怨為理由，對現(xiàn)代半導(dǎo)體和它的DRAM芯片征收了不同比例的關(guān)稅。抱怨者聲稱韓國政府向現(xiàn)代半導(dǎo)體提供了不公平的補(bǔ)貼，制約了市場的公平競爭。　　今年三月，歐盟委員會正式采納了一項(xiàng)決定，取消進(jìn)口現(xiàn)代半導(dǎo)體DRAM儲存芯片的反補(bǔ)貼關(guān)
關(guān)鍵字：儲存半導(dǎo)體 DRAM 日本關(guān)稅

此消彼長全球半導(dǎo)體投資格局風(fēng)移亞洲

　　受半導(dǎo)體銷售增長放緩的影響，全球半導(dǎo)體投資緊縮。　　據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)的消息，由于內(nèi)存IC產(chǎn)業(yè)的拖累，預(yù)計(jì)2008年半導(dǎo)體銷售增長放緩，但整體半導(dǎo)體銷售額將在2011年以前保持強(qiáng)勁增長。　　市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報(bào)告，稱由于受到美國經(jīng)濟(jì)低迷和DRAM芯片市場拖累，預(yù)計(jì)2008年全球半導(dǎo)體廠商支出將下降19.8%，達(dá)475億美元。預(yù)計(jì)今年DRAM市場支出將減少47%，而整個(gè)存儲芯片市場費(fèi)用支出將減少29。Gartner還稱，預(yù)計(jì)今年全球用于芯片設(shè)備制造開支將減
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 IC產(chǎn)業(yè) DRAM Numonyx

安森美擴(kuò)充汽車應(yīng)用極低靜態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器系列

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)為了滿足需要極低熄火電流的汽車電子模塊的應(yīng)用需求，擴(kuò)充低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列。新推出的NCV86xx LDO系列通過了AEC-Q100規(guī)范認(rèn)證，且工作溫度范圍極寬，并且高度結(jié)合板載功能，典型靜態(tài)電流(Iq)低至22 ?A。　　安森美半導(dǎo)體的這些新的極低Iq LDO可以連接電池，提供精確的3.3 V和5.0 V輸出電壓和高達(dá) 350 mA的輸出電流，具有板載保護(hù)功能，并具有上電復(fù)位和延遲時(shí)間選擇功
關(guān)鍵字：安森美半導(dǎo)體汽車電子穩(wěn)壓器 LDO

半導(dǎo)體特征循環(huán)與可重構(gòu)芯片

　　1 引言　　1965 年，摩爾用三個(gè)集成電路產(chǎn)品集成度隨時(shí)間的增長數(shù)據(jù)，外加1959 年的晶體管（集成度為1）和1965 年預(yù)計(jì)可推出的實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品（有64 個(gè)元件），用半對數(shù)坐標(biāo)，外插預(yù)測到十年后集成電路的集成度將達(dá)到65,000 個(gè)元件。1975 年預(yù)測成真，隨后被稱為“摩爾定律”。近40 年來，“摩爾定律”作為半導(dǎo)體發(fā)展的指南針對整個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生了重大影響。由此我們可以體會到總結(jié)規(guī)律、預(yù)測發(fā)展的重要意義。半導(dǎo)體產(chǎn)品是半導(dǎo)體技術(shù)的載體，也是半導(dǎo)體
關(guān)鍵字：集成電路晶體管半導(dǎo)體摩爾定律可重構(gòu)

安森美推出極低靜態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器系列

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)為了滿足需要極低熄火電流的汽車電子模塊的應(yīng)用需求，擴(kuò)充低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列。新推出的NCV86xx LDO系列通過了AEC-Q100規(guī)范認(rèn)證，且工作溫度范圍極寬，并且高度結(jié)合板載功能，典型靜態(tài)電流(Iq)低至22 μA。　　安森美半導(dǎo)體的這些新的極低Iq LDO可以連接電池，提供精確的3.3 V和5.0 V輸出電壓和高達(dá) 350 mA的輸出電流，具有板載保護(hù)功能，并具有上電復(fù)位和延遲時(shí)間選擇功能的器件。汽車系統(tǒng)電源模塊
關(guān)鍵字：安森美半導(dǎo)體穩(wěn)壓器汽車電子

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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]