半導(dǎo)體文章最新資訊

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆設(shè)立“浙江大學(xué)羅姆獎學(xué)金”

　　12月28日下午，日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)株式會社在浙江大學(xué)永謙活動中心對浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)系及光電學(xué)系的10名大學(xué)生及碩士研究生頒發(fā)了“浙江大學(xué)羅姆獎學(xué)金”。同時，浙江大學(xué)授予羅姆(ROHM)株式會社常務(wù)董事高須秀視客座教授稱號。此次是浙大光電系首次聘請非教育家日本人為客座教授。羅姆(ROHM)集團表示今后繼續(xù)加強與浙江大學(xué)的合作，擴大對優(yōu)秀學(xué)子的支援。　　據(jù)悉，羅姆(ROHM)集團于今年8月30日與浙江大學(xué)簽訂“浙江大學(xué)羅姆獎學(xué)金制度&rd
關(guān)鍵字： ROHM 半導(dǎo)體大學(xué)

安森美半導(dǎo)體完成收購三洋半導(dǎo)體

　　安森美半導(dǎo)體(OnSemiconductor)在一份聲明中稱，已完成收購三洋電機旗下的三洋半導(dǎo)體(SANYOSemiconductor)。　　周一早盤，ONSemiconductor上揚1.11%報9.99美元。
關(guān)鍵字：安森美半導(dǎo)體

半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測

　　2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢，然2011年將會回到上低下高趨勢。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價格2010年上半至年中為止維持上升走勢，并于5月達到頂點2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想，使DRAM價格走向跌勢，并于2010年12月下半跌破1美元，僅達0.97美元。　　
關(guān)鍵字：三星電子半導(dǎo)體

Fabless將繼續(xù)推動產(chǎn)業(yè)進步

　　Fabless模式創(chuàng)建于10多年之前。全球半導(dǎo)體聯(lián)盟GSA的總裁Jodi Shelton再次表示Fabless公司將更多的呈現(xiàn)，成長與繁榮。本文將匯總Fabless模式取得的成就。　　從1994年開始由一批產(chǎn)業(yè)的精英成立Fabless半導(dǎo)體協(xié)會，F(xiàn)SA。目的為了在Fabless與它的合作伙伴之間提供一個平臺，創(chuàng)造一個更利于產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的環(huán)境。它們相信Fabless模式具生命力，而且可持續(xù)的增長。
關(guān)鍵字： Fabless 半導(dǎo)體

ATIC增持GlobalFoundries股份

　　阿布扎比政府投資企業(yè)先進技術(shù)投資公司(ATIC)本周進一步增持了手中的GlobalFoundries股份，也再次削弱了AMD在這家合資晶圓制造企業(yè)中的地位。　
關(guān)鍵字： ATIC 半導(dǎo)體

安智電子材料與IBM共同開發(fā)新世代微影技術(shù)

　　在半導(dǎo)體和平面顯示器產(chǎn)業(yè)居領(lǐng)導(dǎo)地位的主要電子化學(xué)品供應(yīng)商安智(AZ)電子材料(倫敦股票交易所：AZEM)與IBM簽署了一項協(xié)議(紐約證券交易所：IBM)開發(fā)新世代的微影技術(shù)。安智將與IBM-Almaden研究中心的材料研發(fā)團隊共同開發(fā)一種以塊狀聚合物為基礎(chǔ)的材料，可以應(yīng)用在與傳統(tǒng)的微影及半導(dǎo)體制程設(shè)備相容的定向自組裝(Directed Self-Assembly, DSA)制程。　　
關(guān)鍵字：安智半導(dǎo)體

大功率IGBT“中國芯”下線

　　具有世界最先進水平的首批最大功率IGBT產(chǎn)品在中國北車山西永濟電機公司成功下線。這個順利通過動靜態(tài)試驗的6500V/600A IGBT產(chǎn)品，是目前世界上電壓等級最高的產(chǎn)品，將為我國軌道交通裝備提供強勁的“中國芯”。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體大功率IGBT

半導(dǎo)體行業(yè)急待新18號文出臺

　　“18號文件年底就要到期了，新的18號文件到現(xiàn)在還沒出來?！眱商烨?，上海集成電路行業(yè)協(xié)會秘書長蔣守雷在上海張江一場半導(dǎo)體業(yè)論壇開幕演講時說。　　18號文即《關(guān)于進一步鼓勵軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》。按當初政策適用周期，2010年底，文件中的優(yōu)惠條款即增值稅“即征即退”部分將到期。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料設(shè)備

半導(dǎo)體所在微機電射頻諧振器件研究

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 MEMS 微機電射頻諧振器微納加工

硅谷對半導(dǎo)體興趣漸失

　　據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，硅谷(Silicon Valley)投資人對半導(dǎo)體的興趣已不再，大量轉(zhuǎn)移到軟件產(chǎn)業(yè)上。同一時間，大陸企業(yè)在政府扶持獎勵下，對半導(dǎo)體的投資風潮卻越來越盛。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體芯片

三星將建新半導(dǎo)體生產(chǎn)線

　　三星電子(Samsung Electronics)確定購入位于韓國京畿道平澤市高德國際新都市的工業(yè)預(yù)定地，占地規(guī)模為392萬平方公尺。三星計劃利用該土地建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)線，預(yù)計2016年底前完成。　　
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體

2010全球半導(dǎo)體市場增長遠超預(yù)期

　　據(jù)市場研究公司iSuppli表示，今年全球半導(dǎo)體市場將較上年同期低迷的水平實現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。iSuppli預(yù)計，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或為3,040億美元，較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM

2011年半導(dǎo)體市場回歸正常軌道

　　2010年全球半導(dǎo)體市場成長幅度超過30%，這是在歷經(jīng)過去幾年全球不景氣之后，經(jīng)濟復(fù)蘇所展現(xiàn)出的成果。而據(jù)Semico預(yù)測，2011年全球半導(dǎo)體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實上，這個溫和的成長數(shù)據(jù)代表著半導(dǎo)體市場正在回歸正常軌道。　　
關(guān)鍵字：東芝半導(dǎo)體 NAND

中國芯進軍高端IC 取得群體性突破

　　近十年，世界半導(dǎo)體市場、電子系統(tǒng)產(chǎn)品市場、GDP三者的比例關(guān)系約為1：6：200左右，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，新的電子系統(tǒng)市場不斷開拓，以及半導(dǎo)體產(chǎn)品的不斷降價，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(80%為集成電路)在支撐經(jīng)濟發(fā)展中對GDP的貢獻將越來越大。　　我國目前已經(jīng)成為集成電路消費大國，正逐步向集成電路生產(chǎn)大國轉(zhuǎn)變，而集成電路強國是我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的目標，集成電路產(chǎn)業(yè)強國的重要標志之一就是要擁有一大批自主知識產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品。加強知識產(chǎn)權(quán)建設(shè)已成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展應(yīng)該采取的重要戰(zhàn)略舉措，是我國從集成電
關(guān)鍵字：集成電路半導(dǎo)體

我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“黃金十年”

　　集成電路產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心。隨著全球信息化、網(wǎng)絡(luò)化和知識經(jīng)濟的迅速發(fā)展，集成電路產(chǎn)業(yè)在國民經(jīng)濟中的地位越來越重要，它以其無窮的變革、創(chuàng)新和極強的滲透力，推動著信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展?，F(xiàn)代經(jīng)濟發(fā)展的數(shù)據(jù)表明，每1～2元集成電路產(chǎn)值能帶動10元左右電子信息產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值，進而帶動100元左右的GDP 增長。　　集成電路產(chǎn)業(yè)是具有戰(zhàn)略性和市場性雙重特性的產(chǎn)業(yè)。在國防建設(shè)和國家安全領(lǐng)域，集成電路在信息戰(zhàn)和武器裝備中起著維護國家意志、捍衛(wèi)國家主權(quán)的作用;在經(jīng)濟建設(shè)和增強綜合國力的過程中，集成電路又是核
關(guān)鍵字：集成電路半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]