功率模塊文章進(jìn)入功率模塊技術(shù)社區(qū)

綠色節(jié)能當(dāng)?shù)?智能功率模組發(fā)展前景看俏

從目前世界的能源結(jié)構(gòu)來看，以資源有限、污染嚴(yán)重的石化能源為主的能源結(jié)構(gòu)，將逐步轉(zhuǎn)變?yōu)橐再Y源無限、清潔乾凈的可再生能源為主的能源結(jié)構(gòu)。太陽能、風(fēng)能、水能、海洋能、生物質(zhì)能、地?zé)崮?、燃料電池等可再生能源作為新興的綠色能源，以其永不枯竭、無污染、不受地域資源限制等優(yōu)點(diǎn)，正得到迅速的推廣應(yīng)用。隨著綠色環(huán)保概念在全球市場(chǎng)的確立與推進(jìn)，電力電子元件的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C產(chǎn)業(yè)(電腦、通信、消費(fèi)類電子產(chǎn)品和汽車)，擴(kuò)展到新能源(風(fēng)電、太陽能)、軌道交通、智能電網(wǎng)等新興領(lǐng)域。節(jié)能和可替代能源的探索已成為當(dāng)今行業(yè)
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解開功率模塊降額曲線的奧秘

　　隨著電子設(shè)備的尺寸越來越小，電源設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)電源時(shí)必須考慮熱限值的問題。如果一個(gè)較小的電源無法在特定的應(yīng)用環(huán)境(包括環(huán)境溫度)下以高負(fù)載運(yùn)行，那么它就等同于沒有用處?！　〗殿~曲線中就有一種常見的熱限值，該熱限值可以在大多數(shù)的功率模塊數(shù)據(jù)表中看到。降額曲線能夠顯示在不同環(huán)境溫度下可拉電流或功率的大小，同時(shí)仍然保持功率模塊在其溫度規(guī)格范圍內(nèi)(通常低于125°C)。圖1所示為2A TPS82140功率模塊數(shù)據(jù)表的兩條降額曲線?！　D 1：2A TPS82140功率模塊的降額曲線　　如圖1所示，降額曲線會(huì)隨
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2016年全球功率半導(dǎo)體增長(zhǎng)3.5%達(dá)到351億美元

　　日前調(diào)研公司 IHS Markit 首席功率半導(dǎo)體分析師Richard Eden就2016~2017年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)份額做出了如下分析。　　2016年全球功率半導(dǎo)體(分立器件、模塊和功率集成電路)市場(chǎng)銷售額從2015年的339億美元增長(zhǎng)了3.5%達(dá)到351億美元。雖然2015年這一數(shù)字下降了2.6%，但2016年的確打了一場(chǎng)漂亮的翻身仗。　　其中，離散功率半導(dǎo)體增長(zhǎng)5.9%，功率模塊增長(zhǎng)3.5%，功率半導(dǎo)體器件增長(zhǎng)2.1%。2016年英飛凌科技成為全球功率半導(dǎo)體的主要供應(yīng)商，主要供應(yīng)離散功率半
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使機(jī)器尺寸減小40%的功率模塊，你值得擁有！

　　全球先進(jìn)電子元件分銷商世強(qiáng)與國(guó)際橋堆制造領(lǐng)軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷協(xié)議，正式全線代理新電元的橋堆、二極管、電源模塊、IGBT及MOS等產(chǎn)品。而新電元工業(yè)株式會(huì)社一直以來都將由多個(gè)功率半導(dǎo)體器件構(gòu)成的功率模塊產(chǎn)品的開發(fā)作為重點(diǎn)。通過功率電路零部件的集成化，為電子設(shè)備的小型化和制造過程的生產(chǎn)效率改善作出貢獻(xiàn)。　　其中最具代表性的功率模塊為 Shindengen的800V的功率模塊MG020200和MG020201，產(chǎn)品示意圖和內(nèi)部電路圖如圖1、圖2所示，其結(jié)構(gòu)均是由一個(gè)三相 Conver
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ROHM：率先量產(chǎn)溝槽型SiC-MOSFET，看好太陽能、工業(yè)等領(lǐng)域前景

　　ROHM近日于世界率先開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗?！　×硗猓舜伍_發(fā)的SiC-MOSFET計(jì)劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(日本京
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ROHM產(chǎn)品陣容新增高效MOS智能功率模塊

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出滿足家電產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備等的小容量電機(jī)低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module)“BM65364S-VA/-VC(額定電流15A、耐壓600V)”，產(chǎn)品陣容更加豐富。　　此次開發(fā)的產(chǎn)品搭載了ROHM生產(chǎn)的低導(dǎo)通電阻MOSFET“PrestoMOSTM”，而且還利用了ROHM獨(dú)有的LSI控制技術(shù)，使在低電流范圍的損耗比以往的IGBT-IPM降低約43%。通過實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低功耗化
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安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于白家電的二合一智能功率模塊(IPM)

　　當(dāng)前消費(fèi)電子產(chǎn)品技術(shù)日新月異，同時(shí)綠色、環(huán)保、節(jié)能的思想也逐漸深入人心，能效問題日益成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)中關(guān)注的焦點(diǎn)，高效節(jié)能已是大勢(shì)所趨。作為電子設(shè)計(jì)的關(guān)鍵元器件，半導(dǎo)體產(chǎn)品發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。工程師通過對(duì)半導(dǎo)體器件的材料、結(jié)構(gòu)、工藝等方面的不同設(shè)計(jì)，為各種應(yīng)用需求提供相應(yīng)的解決方案。　　與我們?nèi)粘Ｉ蠲芮邢嚓P(guān)的空調(diào)、電冰箱、洗衣機(jī)等白家電產(chǎn)品，在設(shè)計(jì)中需要考慮到尺寸、能效、成本及外觀設(shè)計(jì)等因素。推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體開發(fā)出緊湊的變頻器智能功率模塊(IPM)，以及集成功率因數(shù)校正(PFC)轉(zhuǎn)換器
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從Si功率模塊到SiC基板，中國(guó)企業(yè)垂青功率半導(dǎo)體

　　
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英飛凌推出高性價(jià)比應(yīng)用優(yōu)化型雙極功率焊接模塊

　　英飛凌科技股份有限公司近日推出采用焊接技術(shù)的雙極功率模塊，解決高性價(jià)比應(yīng)用的具體需求。這種新型PowerBlock模塊進(jìn)一步擴(kuò)大了英飛凌此前僅采用壓力接觸技術(shù)的全面功率模塊產(chǎn)品組合。英飛凌為受成本和/或性能限制的工業(yè)驅(qū)動(dòng)、可再生能源、軟啟動(dòng)器、UPS系統(tǒng)、焊接和靜態(tài)開關(guān)等不同應(yīng)用提供優(yōu)化的解決方案。　　焊接模塊不僅封裝尺寸較小(不超過50mm)，而且市場(chǎng)價(jià)格比相關(guān)壓力接觸類型低 25%左右(取決于模塊/應(yīng)用)，具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)或UPS等不要求壓力接觸的高魯棒性應(yīng)用，小型的Power
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晶閘管功率模塊

　　近年來，隨著對(duì)供電質(zhì)量要求的不斷提高和節(jié)能降耗的需要，無功補(bǔ)償裝置的使用量快速增長(zhǎng)。隨后各種不同無功補(bǔ)償裝置不斷研發(fā)推出應(yīng)用，低壓電容器投切開關(guān)由簡(jiǎn)單粗獷到理性精細(xì)經(jīng)歷了三個(gè)階段的成長(zhǎng)。1、機(jī)械式接觸器投切電容裝置;2、復(fù)合開關(guān)投切電容裝置;3、電子式無觸點(diǎn)可控硅投切電容器裝置(晶閘管功率模塊)。晶閘管功率模塊由于其適應(yīng)性廣泛，性能優(yōu)越，而快速占領(lǐng)市場(chǎng)，成為了無功補(bǔ)償裝置投切開關(guān)的主流品種之一。　　一、各無功補(bǔ)償投切開關(guān)比較：　　1、機(jī)械式接觸器投切電容裝置　　接觸器投入過程中
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美高森美發(fā)布創(chuàng)新SiC MOSFET系列

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： SiCMOSFET 功率模塊美高森美 APT40SM120B 高壓工業(yè)

使用功率模塊改進(jìn)汽車電氣化

很少有其它應(yīng)用場(chǎng)所和車輛行駛環(huán)境一樣，對(duì)各種電子元器件的要求異常嚴(yán)苛，它往往意味著如何讓用于汽車或卡車的...
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IR推出60V IR4321M 和IR4322M集成式功率模塊

國(guó)際整流器公司(IR) 推出單通道IR4321M和雙通道IR4322M集成式功率模塊以擴(kuò)充PowIRaudio系列。全新60V IR4321M和IR4322M與現(xiàn)有產(chǎn)品相輔相成，為汽車音響系統(tǒng)、桌面音響系統(tǒng)、有源音箱和帶有集成放大器的樂器等應(yīng)用內(nèi)的低負(fù)載阻抗D類音頻系統(tǒng)提升功率容量。
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三菱電機(jī)伺服系統(tǒng)過載報(bào)警消除方法

一．過載的原因伺服放大器內(nèi)部的智能功率模塊IPM（IntelligentPowerModule）內(nèi)藏有過電壓，過電流和過熱...
關(guān)鍵字：電機(jī)伺服系統(tǒng) 過載報(bào)警功率模塊

面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談

中心論題：由于汽車環(huán)境的復(fù)雜多變，EV和HEV中的IGBT模塊要經(jīng)受嚴(yán)峻的熱和機(jī)械條件(振動(dòng)和沖擊)的考驗(yàn)在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)或機(jī)械沖擊試驗(yàn)中IGBT模塊會(huì)出現(xiàn)的一些典型的故障模式廠商推出用于HEV的高可靠性IG
關(guān)鍵字： IGBT 汽車應(yīng)用功率模塊

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功率模塊介紹

功率模塊是功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一個(gè)模塊. 　　擴(kuò)展: 智能功率模塊（Intelligent Power Module，IPM）是以IGBT為內(nèi)核的先進(jìn)混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和優(yōu)化的門極驅(qū)動(dòng)電路，以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。IPM內(nèi)的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅(qū)動(dòng)電路緊靠IGBT，驅(qū)動(dòng)延時(shí)小，所以IPM開關(guān)速度快，損耗小。IPM內(nèi)部集成了能連續(xù)檢測(cè)IGB [ 查看詳細(xì) ]