功率模塊文章進(jìn)入功率模塊技術(shù)社區(qū)

英飛凌推出高密度功率模塊，為AI數(shù)據(jù)中心提供基準(zhǔn)性能，降低總體擁有成本

【2024年3月1日，德國慕尼黑和加利福尼亞州長灘訊】人工智能（AI）正推動全球數(shù)據(jù)生成量成倍增長，促使支持這一數(shù)據(jù)增長的芯片對能源的需求日益增加。英飛凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，為AI數(shù)據(jù)中心提供更佳的功率密度、質(zhì)量和總體成本（TCO）。TDM2254xD系列產(chǎn)品融合了強(qiáng)大的OptiMOSTM MOSFET技術(shù)創(chuàng)新與新型封裝和專有磁性結(jié)構(gòu)，通過穩(wěn)健的機(jī)械設(shè)計提供業(yè)界領(lǐng)先的電氣和熱性能。它能提高數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行效率，在滿足AI GPU（圖形處理器單元）平臺高功率需求的
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臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目

2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機(jī)控制器”建設(shè)項目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露，該項目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體（嘉興）有限公司，臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項目建筑面積達(dá)45800m2。公開資料顯示，臻驅(qū)科技成立于2017年，是一家提供國產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen）等地布局了多家子
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總投資10億正齊半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬顆功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目落地

正齊半導(dǎo)體杭州項目將在開發(fā)區(qū)投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊工廠，項目首期投資3000萬美元，總投資額將達(dá)10億元人民幣。10月23日消息，近日，正齊半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬顆高階功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目正式落地蕭山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)。正齊半導(dǎo)體杭州項目將在開發(fā)區(qū)投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊工廠。項目首期投資3000萬美元，總投資額將達(dá)10億元人民幣，規(guī)劃建設(shè)10條智能化模塊封裝生產(chǎn)與組裝線，滿足車規(guī)級與航天級的模塊生產(chǎn)線要求，每年將生產(chǎn)6萬顆高端航天及車規(guī)級IGBT與碳化硅芯片、模塊及器件等產(chǎn)品。該工廠將采用與合作廠商共同研制的驅(qū)動
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意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計

●? ?意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現(xiàn)電動化目標(biāo)●? ?博格華納將采用意法半導(dǎo)體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來的多款純電動汽車設(shè)計電驅(qū)逆變器平臺服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
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聊聊功率模塊面臨的高壓挑戰(zhàn)

隨著新能源汽車消費(fèi)熱潮到來，車規(guī)功率半導(dǎo)體的需求不斷攀升。車規(guī)功率模塊面臨的挑戰(zhàn)之一就是高電壓。在高壓環(huán)境中由ECM（電化學(xué)遷移）、漏電流引起的損壞機(jī)制發(fā)生的更加頻繁，而更高壓也會引起新的難題，如AMP（陽極遷移現(xiàn)象）。6月6日，ZESTRON 總部的Helmut Schweigart博士在受邀參加的IPC“可靠性之路”系列講座之《高壓-電動汽車電子硬件可靠性》研討會上提出，業(yè)內(nèi)在60V以內(nèi)電壓范圍內(nèi)有豐富的知識經(jīng)驗支持，到了400V，1200V應(yīng)用，從業(yè)者正在冒險進(jìn)入未知領(lǐng)域（如圖所示）。圖|電子元件上
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投身車電領(lǐng)域的入門課：IGBT和SiC功率模塊

2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴(kuò)張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴(kuò)張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計，全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
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賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT功率模塊

賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯 CEO Claus A.
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10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

近日消息，從東風(fēng)汽車官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車，實現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高，除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代，從而實現(xiàn)10分鐘充電80%，并進(jìn)一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項
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吉利也要自制IGBT功率模塊，一期年產(chǎn)60萬套

吉利招標(biāo)平臺發(fā)布了一則《晶能微電子一期工廠改造項目監(jiān)理工程招標(biāo)公告》。該公告指向，吉利加入IGBT封裝的自制隊伍。從開發(fā)走向制造晶能微電子一期工廠改造項目租賃樂坤產(chǎn)業(yè)園 A-3 的314單元約 5000 平萬米，建設(shè)年產(chǎn)60萬套IGBT 功率模塊的一期工廠，主要包括 3000 平方米的萬級潔凈室及實驗室，1000平方米的動力站，1000 平方米的倉庫及辦公區(qū)。本項目位于杭州市余杭區(qū)錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，杭州錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)于2006年3月6日經(jīng)浙江省人民政府批準(zhǔn)設(shè)立，是余杭區(qū)五大“產(chǎn)業(yè)平臺”之一，是連接杭州城東智
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揭秘 IGBT 模塊封裝與流程

IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀(jì)80年代，并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級，通過新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通態(tài)壓降低、開關(guān)速度快、高電壓低損耗、大電流熱穩(wěn)定性好等等眾多特點于一身，而這些技術(shù)特點正式IGBT模塊取代舊式雙極管成為電路制造中的重要電子器件的主要原因。近些年，電動汽車的蓬勃發(fā)展帶動了功率模塊封裝技術(shù)的更新迭代。目前電動汽車主逆變器功率半導(dǎo)體技術(shù)，代表著中等功率模塊技術(shù)的先進(jìn)水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本競爭力是其首先需要滿足的要求。功率器件模
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你的功率模塊能在應(yīng)用中運(yùn)行多長時間？

功率模塊是大功率電力電子系統(tǒng)的核心部件。因此，它們的壽命對最終產(chǎn)品的可靠性有重要影響。為了了解真實的工況如何影響功率模塊，必須進(jìn)行復(fù)雜的模擬仿真，由于工況文件冗長且復(fù)雜多變, 往往將仿真工具和方法推到極限。出于這個原因，在仿真方法和半導(dǎo)體特性方面需要高水平的專業(yè)知識。了解功率模塊在實際使用情況下的行為對選擇正確的功率模塊，進(jìn)而對系統(tǒng)成本、可靠性和優(yōu)化均有積極的影響。功率模塊的壽命就是功率系統(tǒng)的壽命一個大功率系統(tǒng)是由幾個部件組成的，如：電容、電感、傳感器、控制板、驅(qū)動單元，當(dāng)然還有功率模塊。所有這些都有一個
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ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊打造次世代電動車

SEMIKRON和半導(dǎo)體制造商ROHM在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運(yùn)用于SEMIKRON車規(guī)級功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車制造商簽
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯(lián)系，此次進(jìn)一步合作的目標(biāo)是共同開發(fā)GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應(yīng)用。隨著客運(yùn)車輛日益電氣化，市場對功率半導(dǎo)體的要求也在不斷提高，需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。高壓功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)與創(chuàng)新型封裝技術(shù)相結(jié)合，可以滿
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業(yè)界最強(qiáng)大的1500 VDC組串式逆變器：英飛凌的模塊和芯片技術(shù)驅(qū)動陽光電源的 250 kW光伏發(fā)電解決方案

近日，陽光電源推出支持高達(dá)250 kW裝機(jī)容量的SG250HX系列組串式光伏逆變器，該產(chǎn)品最先在2019年歐洲國際太陽能技術(shù)博覽會（Intersolar Europe）上亮相。該逆變器搭載了英飛凌科技股份公司采用最新TRENCHSTOP?和CoolSiC?芯片技術(shù)打造的定制化EasyPACK? 3B功率模塊。陽光電源的SG250HX系列組串式逆變器能支持1500 V DC和800 V AC的高電壓，最高效率可達(dá)99%。陽光電源歐洲區(qū)技術(shù)總監(jiān)Stefan Froboese表示：“陽光電源致力于不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)
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CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動器創(chuàng)新成果

中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當(dāng)今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應(yīng)用方面，越來越多的人則
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功率模塊介紹

功率模塊是功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊. 　　擴(kuò)展: 智能功率模塊（Intelligent Power Module，IPM）是以IGBT為內(nèi)核的先進(jìn)混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和優(yōu)化的門極驅(qū)動電路，以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。IPM內(nèi)的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅(qū)動電路緊靠IGBT，驅(qū)動延時小，所以IPM開關(guān)速度快，損耗小。IPM內(nèi)部集成了能連續(xù)檢測IGB [ 查看詳細(xì) ]