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放大器設(shè)計(jì)：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類(lèi)似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有
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基于 Richtek RT9119 的音效放大器之家庭娛樂(lè)音效產(chǎn)品方案

隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展，功率放大器的性能對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量有著重要的影響。傳統(tǒng)的線(xiàn)性功放（A、B、AB類(lèi)）雖然有良好的線(xiàn)性度和THD等性能，但都有共同的缺陷，如效率都低于50%、功耗大，制約其在可攜式產(chǎn)品上的應(yīng)用[1]，而高效率、節(jié)能、低失真、體積小的D類(lèi)功放應(yīng)用日益廣泛D類(lèi)放大利用的原理為PWM(Pulse Width Modulation)，作用方式類(lèi)似于主機(jī)板上交換式電源概念，即利用數(shù)位頻率波型的疏密來(lái)輸出類(lèi)比振幅的高低大小，頻率密則振幅高，反之頻率疏時(shí)則振幅降低。也因此運(yùn)作模式，D類(lèi)放大意被稱(chēng)為數(shù)位式功率
關(guān)鍵字： Richtek Audio Amplifier 放大器 Speaker 揚(yáng)聲器 I2S TV Sound Bar

如何為寬帶的精密信號(hào)鏈設(shè)計(jì)可編程增益儀表放大器

本文旨在幫助硬件設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)寬帶可編程增益儀表放大器(PGIA)，從選擇現(xiàn)成的分立式組件到性能評(píng)估，以及如何節(jié)省時(shí)間和減少設(shè)計(jì)迭代次數(shù)。展示的PGIA架構(gòu)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可以全速驅(qū)動(dòng)基于高精度逐次逼近寄存器(SAR)架構(gòu)的ADC。本文還展示了PGIA在各種增益選項(xiàng)下驅(qū)動(dòng)寬帶寬信號(hào)鏈的精密性能。簡(jiǎn)介精密數(shù)據(jù)采集子系統(tǒng)通常由高性能的分立式線(xiàn)性信號(hào)鏈模塊組成，用于測(cè)量和保護(hù)、調(diào)節(jié)和獲取，或者合成和驅(qū)動(dòng)。硬件設(shè)計(jì)人員在開(kāi)發(fā)這些數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈時(shí)，通常需要高輸入阻抗，以直接連接多種傳感器。在這種情況下，通常需要利用可編程增
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如何在更寬帶寬應(yīng)用中使用零漂移放大器

本文簡(jiǎn)短介紹了斬波、自穩(wěn)零和零漂移偽像來(lái)源，并概述了放大器設(shè)計(jì)人員可以用來(lái)降低其影響的一些技術(shù)。本文還闡釋了如何最大程度地減少精密信號(hào)鏈中這些殘余交流偽像的影響，包括匹配輸入源阻抗、濾波和頻率規(guī)劃。簡(jiǎn)介零漂移運(yùn)算放大器使用斬波、自穩(wěn)零或這兩種技術(shù)的結(jié)合來(lái)消除不需要的低頻誤差源，例如失調(diào)和1/f噪聲。傳統(tǒng)上，此類(lèi)放大器僅用于低帶寬應(yīng)用中，因?yàn)檫@些技術(shù)在較高頻率時(shí)會(huì)產(chǎn)生偽像。只要系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)考慮了高頻誤差，例如紋波、毛刺和交調(diào)失真(IMD)等，較寬帶寬的解決方案也可以受益于零漂移運(yùn)算放大器的出色直流性能。零漂移
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如何利用間接電流模式儀表放大器放大具有大直流偏移的交流信號(hào)？

在電磁流量計(jì)和生物電測(cè)量等應(yīng)用中，小差分信號(hào)與大得多的差分偏移串聯(lián)。這些偏移通常會(huì)限制電路在前端設(shè)計(jì)中可以獲得的增益，進(jìn)而影響整體動(dòng)態(tài)范圍。當(dāng)使用較低電源電壓時(shí)，例如在電池供電的信號(hào)鏈中，增益限制更具挑戰(zhàn)性。解決這個(gè)大差分偏移問(wèn)題的一種方案是使用交流耦合測(cè)量信號(hào)鏈。典型的交流耦合信號(hào)鏈包括一個(gè)低增益儀表放大器，其后是一個(gè)高通濾波器和額外的增益級(jí)(請(qǐng)參閱 "放大具有大直流偏移的交流信號(hào)以支持低功耗設(shè)計(jì)")。問(wèn)題:如何支持存在大差分偏移電壓的應(yīng)用而不需要增加增益級(jí)？答案:這可以通過(guò)在一級(jí)中
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基于英飛凌SIC MOSFET 和驅(qū)動(dòng)器的11kW DC-DC變換器方案

REF-DAB11KIZSICSYS是一個(gè)CLLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器板，能夠提供高達(dá)11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性?xún)r(jià)比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開(kāi)關(guān)特性，是電動(dòng)汽車(chē)和能量存儲(chǔ)系統(tǒng)（ESS）等DCDC項(xiàng)目的理想選擇。終端應(yīng)用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機(jī)，50 kW 至 350 kW 的充電機(jī)，儲(chǔ)能系統(tǒng)，電動(dòng)汽車(chē)快速充電，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng) （PCS）?場(chǎng)景應(yīng)用
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功率GaN RF放大器的熱考慮因素

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國(guó)防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。其中許多應(yīng)用需要很長(zhǎng)的使用壽
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功率可擴(kuò)展的V2G充放電系統(tǒng)設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

摘要：針對(duì)目前電動(dòng)汽車(chē)V2G充電樁單接口的充放電功率恒定、無(wú)法擴(kuò)展的問(wèn)題，設(shè)計(jì)一種雙回路雙接口的 V2G充放電系統(tǒng)，采用在功率模塊直流側(cè)進(jìn)行功率投切控制的方式，使得充放電系統(tǒng)突破單接口額定功率的限制，有效進(jìn)行充放電功率擴(kuò)展。樣機(jī)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，充放電系統(tǒng)能夠根據(jù)后臺(tái)指令，控制相應(yīng)的接觸器投切動(dòng)作，完成回路間功率模塊調(diào)用，準(zhǔn)確響應(yīng)后臺(tái)功率需求，輸出擴(kuò)展后的充放電功率。關(guān)鍵詞：V2G；充電樁；功率；擴(kuò)展；設(shè)計(jì)0 引言我國(guó)新能源電動(dòng)汽車(chē)保有量日益增多，作為“新基建”之一的充電樁是連接電動(dòng)汽車(chē)和電網(wǎng)
關(guān)鍵字： 202208 V2G 充電樁功率擴(kuò)展設(shè)計(jì)

耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

在線(xiàn)性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢(shì)所在。?在線(xiàn)性模式工作時(shí)，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿(mǎn)足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一款采用先進(jìn)的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體功率 MOSFET 耐用性

終端綜測(cè)儀自動(dòng)校準(zhǔn)研究與實(shí)現(xiàn)

終端測(cè)試儀是通信測(cè)試領(lǐng)域的重要環(huán)節(jié)，本文對(duì)此類(lèi)儀器的校準(zhǔn)方法進(jìn)行了分析和研究，闡述了一種利用數(shù)字穩(wěn)幅電路校準(zhǔn)終端測(cè)試儀內(nèi)部信號(hào)源的功率，利用內(nèi)置信號(hào)源校準(zhǔn)內(nèi)部接收機(jī)功率的自動(dòng)校準(zhǔn)的方法，同時(shí)給出終端綜測(cè)儀硬件平臺(tái)總體方案及自動(dòng)校準(zhǔn)軟件流程圖，提供了一套針對(duì)該類(lèi)型儀表功率的自動(dòng)校準(zhǔn)的可行方案做為參考。
關(guān)鍵字：數(shù)字穩(wěn)幅功率自動(dòng)校準(zhǔn) 202108

模擬電子電路基礎(chǔ)：耦合、放大、振蕩、調(diào)幅和檢波

在電子電路中，電源、放大、振蕩和調(diào)制電路被稱(chēng)為模擬電子電路，因?yàn)樗鼈兗庸ず吞幚淼氖沁B續(xù)變化的模擬信號(hào)。1. 反饋反饋是指把輸出的變化通過(guò)某種方式送到輸入端，作為輸入的一部分。如果送回部分和原來(lái)的輸入部分是相減的，就是負(fù)反饋。2. 耦合一個(gè)放大器通常有好幾級(jí)，級(jí)與級(jí)之間的聯(lián)系就稱(chēng)為耦合。放大器的級(jí)間耦合方式有三種：①RC 耦合(見(jiàn)圖a): 優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單、成本低。但性能不是最佳。② 變壓器耦合(見(jiàn)圖b):優(yōu)點(diǎn)是阻抗匹配好、輸出功率和效率高，但變壓器制作比較麻煩。③ 直接耦合(見(jiàn)圖c): 優(yōu)點(diǎn)是頻帶寬，可作直流放
關(guān)鍵字：放大器振蕩器模擬電路

DC充電站：ST在功率與控制層面所遇到之挑戰(zhàn)

預(yù)計(jì)到2027年，全球電動(dòng)汽車(chē)充電站市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)展，而亞太地區(qū)電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量的迅速成長(zhǎng)推動(dòng)了全球電動(dòng)汽車(chē)充電站市場(chǎng)的成長(zhǎng)。意法半導(dǎo)體（ST）產(chǎn)品可支持此一市場(chǎng)／應(yīng)用。本文介紹主要系統(tǒng)架構(gòu)以及主要適用的ST產(chǎn)品。預(yù)計(jì)到2027年，全球電動(dòng)汽車(chē)充電站市場(chǎng)規(guī)模將從2020年估計(jì)的2,115,000個(gè)成長(zhǎng)至30,758,000個(gè)，復(fù)合年均成長(zhǎng)率高達(dá)46.6%。該報(bào)告的基準(zhǔn)年為2019年，預(yù)測(cè)期為2020年至2027年。[1] 從地理位置來(lái)看，亞太地區(qū)（尤其是中國(guó)）電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量的迅速成長(zhǎng)推動(dòng)了全球電動(dòng)汽車(chē)充電站市場(chǎng)
關(guān)鍵字： DC充電站 ST 功率

手機(jī)趨向于沉浸式音效，智能升壓放大器來(lái)搞定

1? ?音效成為選購(gòu)手機(jī)的重要因素如今，消費(fèi)者購(gòu)買(mǎi)手機(jī)時(shí)非常看重?fù)P聲器模式下的音頻質(zhì)量，希望得到更好的沉浸式體驗(yàn)。尤其疫情期間消費(fèi)者對(duì)于手機(jī)揚(yáng)聲器的使用越來(lái)越頻繁，使揚(yáng)聲器的音質(zhì)和音效成為了選購(gòu)手機(jī)的重要考慮因素。?據(jù)SAR Insight ＆?Consulting所做的一項(xiàng)最新用戶(hù)調(diào)查顯示，用戶(hù)越來(lái)越看重智能設(shè)備的音頻質(zhì)量，而且人們對(duì)智能設(shè)備揚(yáng)聲器模式的使用也越來(lái)越頻繁。例如，在2020年4月—2021年3月的為期12個(gè)月的調(diào)查樣品中，40％的受訪者增加了對(duì)揚(yáng)聲器
關(guān)鍵字：手機(jī) 揚(yáng)聲器放大器

共模信號(hào)有多重要？如何正確對(duì)放大器前端進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換？

　　目前，在轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域風(fēng)頭正盛的是 GSPS ADC—也稱(chēng) RF ADC。憑借市場(chǎng)上采樣速率如此高的轉(zhuǎn)換器，奈奎斯特頻率與五年前相比提高了 10 倍。關(guān)于使用 RF ADC 的優(yōu)勢(shì)，以及如何使用它們進(jìn)行設(shè)計(jì)并以如此高的速率捕獲數(shù)據(jù)，人們進(jìn)行了大量的討論?！　「咝阅苣?shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)之前的輸入配置或者前端設(shè)計(jì)，對(duì)于實(shí)現(xiàn)所需的系統(tǒng)性能非常關(guān)鍵。通常重點(diǎn)在于捕獲寬帶頻率，例如大于 1 GHz 的寬帶頻率。然而，在某些應(yīng)用中，也需要直流或近直流信號(hào)，并且受到最終用戶(hù)的歡迎，因?yàn)樗鼈円部梢詡鬏斨匾畔?。因此，通過(guò)
關(guān)鍵字：轉(zhuǎn)換器放大器 GSPS 高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器模擬電源

超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET輸出電容特性

本文主要分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的輸出電容以及非線(xiàn)性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內(nèi)部P柱形成耗盡層及橫向電場(chǎng)過(guò)程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關(guān)系，最后討論了新一代超結(jié)技術(shù)工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓，降低開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，對(duì)系統(tǒng)EMI產(chǎn)生影響。
關(guān)鍵字： 202008 功率 MOSFET 超結(jié)結(jié)構(gòu) 輸出電容橫向電場(chǎng)