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耐用性 文章 最新資訊

電池架構使用100%硅負極來提高能量密度和耐用性

  • 推出了采用 100% 硅負極設計的智能手機電池平臺，能量密度超過每升 900 瓦時 （Wh/L）。這款名為 AI-1 的電池專為執(zhí)行高級設備處理任務（包括人工智能工作負載）的智能手機而開發(fā)。這種電池架構已以 7,350 毫安時 （mAh） 配置運送給原始設備制造商 （OEM） 進行評估和鑒定。該設計采用了以硅為主的陽極配置，解決了通常與硅材料相關的體積膨脹和機械應變挑戰(zhàn)。通過優(yōu)化負極結(jié)構和支撐材料（如陰極配方、隔膜和電解質(zhì)），電池支持高放電率，并在很寬的溫度范圍內(nèi)保持運行完整性。初步內(nèi)部測試表明，支持 3
  • 關鍵字： 電池架構  硅負極  能量密度  耐用性  

耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

  • 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
  • 關鍵字： 意法半導體  功率  MOSFET  耐用性  

驗證射頻功率晶體管的耐用性

  • 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管，
  • 關鍵字： 射頻功率晶體管  耐用性  LDMOS  
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耐用性介紹

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