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在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢
- 摘要隨著汽車電動化推進，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應(yīng)用也是方興未艾，越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應(yīng)用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應(yīng)用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導體進行了輸出功率和開關(guān)頻率比較。前言隨著汽車電動化推進，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
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IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制
- 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點，采用模擬電路仿真的方法說明功率模
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比亞迪半導體將發(fā)布新一代高性能IGBT
- 2018年比亞迪半導體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片，樹立了國內(nèi)車規(guī)級中高端IGBT芯片標桿。歷時兩年積累沉淀，比亞迪半導體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區(qū)已經(jīng)匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè)，隨著西安研發(fā)中心大樓的落成，也標志著比亞迪半導體正式入駐中國“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購了寧波中緯。中緯賬面上最有價值的東西是源自臺積電淘汰的一條8英寸晶圓線，但這筆收購給還給比亞迪帶來了晶圓車間、技術(shù)團隊等資源。當時長三角地區(qū)是中國半導體制造的重要基地。彼時這些資
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為何智能功率模塊會盛行，ROHM的600V產(chǎn)品有哪些特色
- 1? ?低碳時代驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的變革當前，世界各國以全球協(xié)約的方式減排溫室氣體，我國也提出了碳達峰和碳中和的目標，這對電子產(chǎn)品的降低能耗提出了巨大挑戰(zhàn)。因為隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及，產(chǎn)品需要有更長的待機時間；由于產(chǎn)品的性能提高和功能豐富，也會增加工作能耗。這就需要功率轉(zhuǎn)換元器件和模塊的效率進一步提升，因此，近年來IPM（智能功率器件）開始盛行。2? ?適合小功率電機的IPM?IPM的優(yōu)勢是高效率、低功耗、模塊化。以空調(diào)市場為例，全球空調(diào)市場的出貨量這兩年約1.5億臺
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基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應(yīng)加熱設(shè)計
- 電磁感應(yīng)加熱在小家電市場(如電飯煲，油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，減小系統(tǒng)尺寸，降低系統(tǒng)成本和提高可靠性是越來越多客戶的需求。本文設(shè)計了一款2.1 kW電磁感應(yīng)加熱平臺。搭載了英飛凌自帶保護IPD Protect，XMC單片機和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓撲采用單端并聯(lián)諧振電路，最大輸出功率2.1 kW，實現(xiàn)了IPD Protect的快速過流保護，過壓保護，過溫報警和保護，輸入電壓欠壓保護和低靜態(tài)電流等功能，其中IPD protect過壓和過流保護點可以根據(jù)系統(tǒng)要求來調(diào)節(jié)。同時，
- 關(guān)鍵字： 感應(yīng)加熱 IPD Protect IGBT 小家電 TRENCHSTOP 202102
電動車用大功率 IGBT 模塊測試解決方案
- 功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。根據(jù)iHS預測，MOSFET和IGBT將是2020-2025年增長最強勁的半導體功率器件。增長的市場空間被行業(yè)專家拆解成兩個方面：折舊帶來的替換市場以及電氣化程度加深帶來的新增市場。既然新增市場源于電氣化程度的加深，那
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科索為中型機器人控制器和工廠自動化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案
- 科索有限責任公司近日宣布擴大其為中型機器人和工廠自動化設(shè)計的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專門為機器人控制器和工廠自動化定制?；谝粋€獨特的概念，科索RBC300F系列提供三個可配置隔離輸出，其中一個具有增強隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應(yīng)用供電。RBC300F通過EN62477-1過電壓類別（OVC）Ⅲ認證，當連接到配電板時，通過減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡化了系統(tǒng)架構(gòu)師的設(shè)計過程，同時降低了成本。RBC3
- 關(guān)鍵字： OVC IGBT COSEL RBC300F 對流冷卻設(shè)計
推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)
- 隨著電動汽車（EV）數(shù)量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術(shù)
- 關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
GaN 器件的直接驅(qū)動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓撲。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
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英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設(shè)計,以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴展到了太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗
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一種電動汽車能量回饋下IGBT保護策略優(yōu)化及驗證
- 舒 暉（奇瑞新能源汽車股份有限公司，安徽 蕪湖 241002） 摘 要：針對電動汽車在能量回饋時，動力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下，提出了一種IGBT保護策略優(yōu)化方案，快速檢測因動力電池瞬斷產(chǎn)生的尖峰電壓，觸發(fā)保護機制保護IGBT模塊。本文通過臺架實驗對比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值，最終通過實車驗證了該方案的可行性。結(jié)果表明，優(yōu)化后的保護策略能更快地檢測到抬升的母線電壓，觸發(fā)保護機制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風險?！ ￡P(guān)鍵詞：電動汽車；能量回饋；IGBT 0 引言 傳統(tǒng)汽車
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新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
- 關(guān)鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率
- 本文將強調(diào)出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點。摘要由于電動馬達佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來強化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標準。1.導言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
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東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機功率損耗
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出型號為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設(shè)計用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機驅(qū)動。并計劃于今日開始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設(shè)備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅(qū)動帶方波輸入信號的無刷直流電機，無需PWM控制
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