中國首臺具有自主知識產(chǎn)權MOCVD設備問世
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由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產(chǎn)權的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/82314.htm該設備在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備，目前國內(nèi)半導體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設備全部依賴進口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的氮化鎵基外延材料生長設備，已獲國家發(fā)明專利該系列設備，在藍寶石Sapphire晶片和碳化硅SiC晶片生長出各種結構的GaN基材料。
成立于2001年的杰生電氣，專門從事氮化鎵外延生長“金屬有機物氣相淀積法”設備（MOCVD SYSTEM）的研制開發(fā)和生產(chǎn)，杰生電氣以研發(fā)和生產(chǎn)高質量GaN-MOCVD SYSTEM為起點，開發(fā)具有完全自主知識產(chǎn)權的從研究型到生產(chǎn)型MOCVD SYSTEM，是國內(nèi)目前唯一的GaN-MOCVD設備生產(chǎn)制造廠家。
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