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我國抗2000℃超高溫沖擊壓力傳感器研制成功

作者: 時間:2008-04-25 來源:EDN行業(yè)資訊 收藏

  一種可抗2000℃瞬時超高溫沖擊的硅隔離耐高溫日前在精密工程研究所研制成功。專家認為,這一國家“863”計劃項目的完成,將有效解決我國航空航天、石油化工、等領域高溫環(huán)境下壓力測量和瞬時高溫沖擊下傳感器失效的技術難題,打破了國外同類產品對我國傳感器市場的壟斷,提升了我國這一行業(yè)的整體水平和國際競爭能力,具有很高的推廣和使用價值。常規(guī)的硅只能在120℃以下進行壓力測量,超過120℃時,傳感器的性能會嚴重惡化以至失效。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/81903.htm

  常規(guī)的測量方法和手段不能滿足高溫等惡劣環(huán)境下的壓力測量和自動化領域越來越高的測量精度要求,致使我國高溫產品長期以來主要依賴進口。研制的耐高溫能在-30℃~250℃環(huán)境下進行壓力測量,可完成1000Mpa以下任意量程范圍的壓力測量,能承受2000℃瞬時高溫沖擊。可滿足高溫、高壓、高頻響及瞬時高溫沖擊等惡劣環(huán)境下的壓力測量,具有自主知識產權,填補了國內在此領域的多項空白,對于推動我國工業(yè)的發(fā)展,培養(yǎng)新的經濟增長點具有重要意義。



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