雙調制鎖相頻率合成器的設計與實現
1 引 言
在便攜式及車載型電臺中,多采用直接調頻技術,應用以電壓調控的變容二級管,使振蕩器的頻率產生偏移,由于鎖相環(huán)環(huán)路誤差傳遞函數的高通特性,被搭載的調制信號不能出現阻帶內的低頻或直流分量,數字調制即表現為長"0"或長"1"的狀態(tài),否則會使頻偏降低或消失。這對數傳電臺不利,為此可對基帶數據進行擾碼,減小長"0"或長"1"的狀態(tài),但又會帶來誤碼的傳遞,為了解決這個問題本文提出采用雙調制鎖相頻率合成器的方法。
2 雙調制電路工作原理
雙調制鎖相頻率合成器構成如圖1所示,fo一般用高精度和高穩(wěn)定晶體產生,以達到鎖相輸出頻率和晶振同等級別的性能。這種系統(tǒng)可以被用來直接調頻,作為模擬調制或數字調制。一般鎖相調制電路只調制VCO,而雙調制方法就是既調制VCO,又調制晶體基準源,通過兩者互相補償來實現任意低頻調制頻偏。
根據環(huán)路的線性相位模型[1],可以分別計算雙調制中UF1(t)和Uf2(t)的調制作用,以下均以拉普拉斯變換表示。

不考慮調制部分時,圖1就是一個鎖相頻率合成器的框圖,滿足以下等式:

式(2)為閉環(huán)傳遞函數,式(3)為誤差傳遞函數。
單獨考慮UF1(t)的調制,產生的輸出相位為:

單獨考慮UF2(t)的調制時θ1(s)=0,產生的輸出相位為:

由式(3)、式(6)可得

He(s)具有高通特性,所以必須使調制頻率在他的通帶之內才行,進入阻帶后調制頻偏很小,甚至消失。
若選擇G1(s)=G2(s)=1,則總輸出相位為:

當K1/M=K2/N=K時

由此可見雙調制電路可以使兩個調制的效果相互補償,得到在很寬調制范圍內頻偏正比于調制信號的FSK調制器,同樣也適合模擬的FM調制。
環(huán)路中配備了可預置分頻器"N分頻"和"M分頻",軟件可控,通過單片機控制可實現任意頻率的輸出,即:

3 電路設計與實現
雙調制的VCO調制部分采用變容二極管組成的西勒振蕩[2],電路如圖2所示。其中D4用于鎖相環(huán)路自調節(jié),D3用于FSK調制,Q4及周邊的元件構成振蕩器的核心電路,產生實際所需的射頻信號源,Q5和Q7是緩沖電路,其中Q5輸出信號提供給鎖相環(huán),作為頻率(或相位)反饋信號,Q7是一個反向放大器,輸出信號提供給功率放大器。之所以要用Q5,Q7,緩沖,是為了隔離負載效應,避免功放的輸入阻抗對壓控振蕩器的頻率產生牽引,影響頻率的精度。

另一調制部分采用VCXO實現,該器件為集成有源品振,可使能輸出,且有一電壓輸入控制端,可使VCXO輸出頻率在
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